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    2018-9-21 12:30
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    2018-09-12 虎子给了我一些交流的总结材料,写的挺好的。我摘录出来,和大家一起分享下。总的背景,是在整个智能化配电单元上,继电器被MOSFET所取代。12V的配电架构,特别是电动汽车,由于整个系统的变化,都开始转变。传统的配电架构都因继电器与保险丝而受到局限: 如下图所示: 很大一部分配电用的熔丝+继电器的设计,被MOSFET管理电路所取代 这个发展的路径,是越来越快了。随着MOSFET的发展很快,现在只要单一芯片,就能够取代诸如继电器、保险丝、继电器驱动器等众多组件,从芯片的角度来看,MOSFET开关极为耐用,不怕灰尘、冲击和震动,因此配置与组装组件时具有更多弹性。 主要的优点是: 1)过载时的行为差异,保险丝损坏而需要更换时,应用将无法运作。 基于MOSFET的开关可以通过软件,能够重置并重新启动; 2)在承受短路的层面,由于是个闭环的系统,能够承受的短路周期比较多 3)继电器会产生些许噪音,MOSFET在状态切换时噪音几近于无 备注:这里最为核心的还是有关于线束短路的保护,对于电动汽车而言,除了电池以外就是电气短路问题最多,通过线束的模型,可以认真而细致的设定整个短路的状态,根据电流早期判别电气短路(特别是间歇性的) 线束的短路计算分析 如上图所示,传统的熔丝设计,其实也做到了一定的程度,再往下就比较难了。通过这个配电盒的设计,主要对于线束设计可以解放不少的工作量 备注:从控制角度来看,差异主要在控制部分,之前很大一部分是按照HSD的封装形式来做 以下是虎子写的了,我做一些摘录和引用,并且把HSD的部分摘出来 第一部分 从HSD开关设计考虑来说 ◆负载的正常电流多大? ◆最大电流多大? ◆负载的工作环境温度是多少?极限温度试多少? ◆负载是否是容性?容性的话,冲击电流是多少? ◆负载是否为感性?感性的话,关断时的能量? ◆负载的控制方式?ON/OFF方式(没有续流,注意过压保护,需要对GD,GS保护背靠背的稳压管),PWM方式(有续流,没有对GD,GS的过压保护)注:ON/OFF方式和PWM方式参考SMTC 2800 017电路端口设计目的 ◆系统如果是地线开路的话,对负载有何影响? ◆散热方式,根据参数计算是否需要加散热片?(PCB上的通孔方式铜箔的面积大小) ◆负载是否需要诊断:如需要,有哪些诊断?过流,过压,过温还是短路。 ◆负载是否有以下应用:电池反接,负载突降,过压,过流等 ◆负载突降(Load dump):如果负载的突降超过VCC的最大额定值时,Did瞬态抑制二极管必须要加的。 第二部分 HSD和LSD的区别: ◆导通电阻:NMOS的导通电阻比PMOS在同样条件下要小(电子导通速度比空穴快,因而影响到导通电阻),为了追求低的导通电阻,在某些HSD的驱动应用,用充电泵加上NMOS来完成PMOS作为HSD的应用,代价是价格高,驱动比较复杂。 ◆采样电路:对于HSD的保护,需要对电流的采样,需要差分的配置才能实现电流的采样;而对于LSD,采用单端配置就可以。由于差分电路成本高于采用单端的成本,所以从这个意义上说,LSD比HSD具备成本优势。 ◆线制的要求:汽车中的大部分负载多为负极搭铁,采用HSD给负载供电的好处是负载的一端直接接在底盘地上,另外一端则只需要一根线给负载供电,这就节省了系统的成本。 ◆失效对系统的影响:这是根据系统的要求,选择哪种负载失效。在飞机失效类型中,如果负载失效,最安全的方式是让负载继续运行下去;而对于汽车的负载应用,则正好相反。 HSD驱动配置优缺点: ◇系统中是1 Wires ◇短路到地不会损坏负载 ◇load corrosion unlikely (连接到地) ◇简单的地连接更健壮(单线) ◇内部电路(设计相对复杂,成本高);外部接线(单线,简单线成本降低) 例如:在ECM控制中,控制油泵的开关就是HSD,这是因为在大多数情况下,当驱动模块失效时,是关掉油泵的,这种设计对于当发生车祸或系统失效时是非常有利的。 如图电路所示: 控制油泵对电源端通过HSD开关控制,当汽车遇到危险状况时,通过控制模块直接把电源切断,避免油箱漏油某一点与负载的另外一端短路造成危害(低边控制的话,等效油泵控制的回路只是对地开关,油泵负载另外一端接常电);所以说LSD控制更容易遭受短路危害,LSD短路将导致负载永久性的处于导通,HSD短路只是对开关造成应力,相比电池电压,接地更容易遭受短路危害,所以HSD开关比LSD开关更安全。 HSD:HSD_OUT对地短路只是对开关(MOS管)造成应力,可以理解为对电源的一个保险 LSD:LSD_OUT对地短路的话将会对负载永久性的导通状态,所以对于油泵控制(汽车遇到危险状况时)非常危险的。 小结:开个头,从汽车电子的角度来看,也是配合着车辆的智能化开始发展和创新的,就是国内做个模块或者部件很难赚到钱。
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    2016-5-25 11:35
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    电阻主要特性参数 电阻的主要参数有电阻阻值,允许误差,额定功率,温度系数等 1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。  2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度。 3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。  4、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。 5、温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小,电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。 6、老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数。 7、电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,电阻器的相对变化量。   电感器的主要参数 电感器的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容和额定电流等。 1、电感量:电感量也称自感系数,是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。 电感器电感量的大小,主要取决于线圈的圈数(匝数)、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常,线圈圈数越多、绕制的线圈越密集,电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大;磁心导磁率越大的线圈,电感量也越大。 2、允许偏差:允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。 一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高,允许偏差为±0.2%~±0.5%;而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高;允许偏差为±10%~15%。 3、品质因数:品质因数也称Q值或优值,是衡量电感器质量的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。 4、分布电容:分布电容是指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。电感器的分布电容越小,其稳定性越好。 5、额定电流:额定电流是指电感器有正常工作时反允许通过的最大电流值。若工作电流超过额定电流,则电感器就会因发热而使性能参数发生改变,甚至还会因过流而烧毁。 电容的主要特性参数 电容的主要参数有电容容值,允许误差,额定工作电压,温度系数等 1、容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围,一般分为±5%,±10%,±20%。精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。 2、额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。 3、温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。 4、绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。 5、损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。       MOSFET 的主要特性参数  “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件 MOSFET的主要参数有I D ,I DM ,V GS ,V (BR)DSS ,R DS(on)  ,V GS(th) 等 1、I D :最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过I D 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 2、I DM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 3、V GS :最大栅源电压。 4、V (BR)DSS :漏源击穿电压。是指栅源电压V GS 为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V (BR)DSS 。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 5、R DS(on) :在特定的V GS (一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 6、V GS(th) :开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压V GS 超过V GS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下I D 等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 7、P D :最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。 8、T j :最大工作结温。通常为150℃或175℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。   功率 MOSFET 与双极型功率相比具有如下特点: 1、MOSFET 是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单; 2、输入阻抗高; 3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小; 4、有较优良的线性区,并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作 Hi-Fi 音响; 5、功率 MOSFET 可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。
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    2016-2-15 12:00
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    XX电子:给我报价单,要最低价格   飞捷小曾 15:28:28 因为你这个价格说实话是做不了的,所以我们不能提供报价单   飞捷小曾 15:28:45 做这个的代理也很多,你可以多对比下 飞捷小曾 15:29:52 价格真的不建议你压的那么低,到时候采购也会很麻烦,要给供应商合理的利润。   XX电子15:30:12 先报过来吧 XX电子 15:30:56 你只有把最低价格报过来我好拉单给你 XX电子 15:31:19 不给我报价单我没办法把你带进我公司系统你懂的   飞捷小曾 15:31:28 嗯,实在做不了,我们也没办法 XX电子 15:31:42 又报不了 XX电子 15:31:47 你这样会把我害死的,   飞捷小曾 15:32:41 做生意大家讲缘分,勉强不得,很辛苦 XX电子 15:33:06 那你昨天口头报了,今天要个书面价格也没有关系 XX电子 15:33:17 关键我已经入系统了,没办法改啊 飞捷小曾 15:34:01 嗯,做生意真的靠缘分,价格市场波动的,现在又是年底,汇率年后怎么变化也不知道,价格涨了您又说忽悠您。   XX电子 15:34:12 这不是缘份的事,你们服务实在是太差。 XX电子 15:47:52  2N60     TO-251        TP:RMB0.XX含税 2N65     TO-220F       TP:RMB0.XX含税 2N65C    TO-251        TP:RMB0.XX含税 10N60F   TO-220F-3L    TP:RMB1.XX含税 7N65     TO-220F       TP:RMB0.XX含税 几个牌子的都申请10PCS样品,年前一定要收到。    飞捷小曾 15:40:22    你的条件确实要求很严格,我们上班,又怕快递不上班。 我们怕没按照您的要求做到,真对不起。   XX电子 15:34:12 XXXX......         没有利润,哪来的服务?    故事一:   一哥们去买汉堡,对老板说:“给我来一个3块钱的汉堡,不要辣椒, 给我多放点肉,放,再放,再放点,再多放点……”,老板抬头看着他:“我给你卷头猪吧?”      故事二:   曾经有一个业务员问老板:“市场上有一个小厂,价格很低,很难对付,怎么办?”   老板反问道:“既然这家厂这么厉害,为什么一直是家小厂,而我们却是大厂呢?”   实际上,低价在市场上通常只是扮演着“搅局”的角色,成事不足,败事有余。在对抗性竞争中,高价经常被低价搅得心烦意乱甚至胆战心惊,但低价最终总是难敌高价,甚至在高价面前一败涂地。      没有利润的支撑,哪来的售后服务和不断的创新!   客户一直觉得贵,使命压价,跟我算材料成本,我就很想问他:   研发成本你加了吗?   人工成本加了吗?   店面成本加了吗?   管理成本加了吗?   你还要售后吗?   还要质保吗?      服务的前提是利润,   利润空间可以被挤压,   但不能消失,   否则连同利润一起消失的还有服务。   请不要一味的过度要求,   每个人都要生存,   你拿走了他生存的空间,   服务也就消失了。   请尊重每个行业,   每一位尽心尽力为大家服务的人,   也包括我们自己!   不好意思!   有时候我们会对您说: No ,   因为我们会用心去做好每一件事,   不仅是对您负责,   更对自己负责!   小伙伴们,我们业务面对采购砍价的时候,怎样才可以做的更好呢?
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    2014-10-23 17:04
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    记得去年我还在古镇政府对面的看广场该公司请来了“凤凰传奇”做广告,那个气势磅礴,那个人山人海,才过去1年多就玩不下去了,古镇的一部分老板还是比较浮躁。贷款都要搞个豪车, 在这里做生意不吹不装没人相信你,也找不到客户,也没供应商给你赊账。    昨天发生的事,今天网络上传开了锅,从业内人士处获悉“‘凤光传奇’老板跑路,供应商围堵追款”的消息后,立即赶往其在中山古镇海洲的工厂。只见十多名武警和公安已经在现场维持秩序,约四五十名供应商在厂区扎堆商议,赶来追款的供应商也络绎不绝,但并未见一名凤光的员工现场讨薪。   记者在现场看到,代言人“凤凰传奇”的海报已经横躺在地,办公室里空无一人。在凤光照明形象墙的右下角,记者发现,“凤光照明--中国名牌”的字样,与现状对比,反差极大。   而信息栏中人员处罚和奖励的公布日期还是最近10月14日,可见其失联事件发生前,一直在正常运作,所以受害的供应商和经销商也是最近才得知真实情况。今年6月的光亚展,凤光照明更是对外宣称获取巨额国内外订单,网点开拓数量同比大幅增加。   记者从现场办公登记的海洲派出所民警处获悉,凤光照明(华亮灯饰)的老板、老板娘,以及原来安插在工厂中高层管理的亲戚已经失联,目前正在现场登记被欠款供应商的情况,并协助取证追款。    据不完全统计,凤光照明目前欠上游企业货款两千多万,银行贷款三千多万,代理商未发货款五百多万,员工工资两百多万(金额仍在统计中)。   “听说目前最多的一位供应商被欠了400多万元啊。我之前死磨硬泡收回了60多万,现在还有50多万元没能收回来。”一位与凤光照明合作两年的工厂老板说道,“估计是员工工资已经发得差不多了,不然今天肯定一大帮员工也来围堵。”   而一位一脸沮丧的供应商则大倒苦水:“刚合作三个多月,60多万元,有些还是借钱来买材料供货的,现在很可能血本无归。”   从中山市凤光照明有限公司的官方宣称所知:其创立于2003年,起初以生产T4、T5支架灯、节能灯、镇流器为主。企业是从传统照明转型到LED照明的,高峰时期工厂占地3万平方米。旗下有龙光、凤光、"凤光传奇"和"龙凤E光"四大品牌,产品涵盖家居照明、工程照明等领域。    在今年4月的LED新品发布会上,凤光照明的董事长肖进面对全国经销商仍以“LED应用的领跑者和主流品牌”自诩。   “谁都想做大做强企业品牌,但野心的过分膨胀和难以为继的资金链终将原本风光的凤光推入了绝境。”一位曾与其合作过的经销商如此评价。   “凤光传奇跑路、亿光照明萎靡,再次证明我一年前的预测:一切不可持续的营销都是对品牌的伤害,一切不能长期坚持的营销都是耍流氓!”业内资深营销人士肖南方说道
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    2009-1-22 09:15
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    我的父母都是大陆培养的第一届半导体毕业生。与王阳元院士、中国半导体协会的俞忠瑜理事长等是同班同学。我在孩童期间就曾有幸见识过王守武、王守觉等院士的风采,也深为这些大师的学养和谦虚的精神所折服。有这些让我高山仰止的前辈在,本无能力也无胆量来谈论方向性的问题。只是近日无论是朋友聚会、还是平日闲聊,实实在在感受到本土的集成电路设计圈子中的一种悲观、迷茫、甚至绝望的气氛。不觉想说说自己的一管之见。由于个人从未接触过电力电子或电源管理之外的课题,所述也仅限电源管理IC (以下简称PIC) 的范畴。 中国的IC设计业曾经经历了几家公司冲上纳斯达克前后的小小辉煌,恰似台儿庄之后速胜论的抬头。随后我们听到的仿佛都是坏消息:IC价格下降、人员成本上升、人民币升值、税率优惠不再、次级危机影响消费需求等等。偶尔几个敢于投资IC的人都灰头土脸地转去了传统产业,随即有了"宠儿变弃儿"的慨叹。曾经豪情万丈的海归精英们拉到了以前他们看不起的小钱竟成了极值得庆祝的事情。于是微利论、生死年论、回归论充斥。这又极似当年亡?论的兴盛。自觉造成IC设计业移往大陆的基本动因并未改变,只是经历了数年50%以上的高成长后积累的不成熟的因素开始发酵。恰似抗战的前途是光明的,暂时的挫折促使我们总结经验和教训,以更平和的心态思考持久的战法。大浪淘沙其实更有利于以后的健康发展。 从全球电源管理IC的市场的份额来看,我们长远的主要对手还主要是欧美公司。要明白我们为什么会赢取最后的胜利,首先要了解欧美公司为什么会输。本人有幸在Semtech公司参与了主机板电源IC线的管理,有着切身的感受。Semtech的主机板电源IC线曾经拥有30%全球的市场,有超过一亿美元的销售收入,当时只有Intersil是主要对手。随后以立錡为代表的台湾电源管理IC开始崛起。台湾公司开始只会作CPU以外的供电IC,且产品性能很一般。但我们还是很快感到了威胁。作为美国公司,我们在台湾的FAE(应用支持工程师)必须英文、技术和沟通能力都极强,由于这样的人才有限,全台20多个大客户,我们仅有两个FAE。而立錡在华硕一家就放了两个。果然,优异的服务和在台湾无孔不入的上下游关系很快使台湾本土的企业发展起来。后来台湾公司不仅做得出,由于天天和他们的客户在一起,立錡甚至还改进了我们产品的定义。当一群服务比你好、价钱比你便宜、甚至东西都有独特优点的本土对手兴起后,美国人看到的是一颗曾经卖$2.5美金的驱动芯片沦落到$0.1!作为一个曾经将Semtech股票推高了6?倍的功勋产品线,在CEO获知毛利已跌至47%以后就断然决定放弃了。一般的欧美公司要不停地扬弃自己去获取高额利润。我在美国亲历了国际整流器公司(IR)从1991年开始的淘汰可控硅专家、补充MOSFET人员的兑变过程。而现在的IR已经几乎变成一个IC公司了。 MTK的蔡明介董事长有一个著名的S型市场理论。也就是避开市场的起步阶段,只在产品上量前进入。美国的商学院流行一种L-shape市场理论。就是说产品开始利润和价格都高,随着时间的推移,产量逐渐上升,利润和价格都下降,直到该产品被淘汰为止。2007年初,华为要求岭芯的前身拷贝一颗台湾某著名公司的芯片,这颗IC是给DDR2供电的电源芯片。当我们拿到了规格书后,发现这几乎是照搬了我在2002年给Intel定义的一颗,当时由于Intel不能接受单一供应商,Semtech将定义告诉了On-semi,所以我们只知道On-semi在后面六个月抄,不知台湾那家是何时开始抄的。世事无常,有趣的是有人要我们抄一颗我自己定义的东西。需要指出的是2002年时的价格是$0.8,到华为来寻求替代时,售价只有$0.11。而Semtech作为一个Fabless公司,我记得当时的成本也就在$0.09左右。这正是本土IC公司的现实。没有哪家系统公司会在它毛利很高时愿意把宝押在本土IC公司上,多半是系统厂商的成本支持不住了才来寻求Cost-down。现在许多电源IC公司都是设计人员创办的,很多甚至不是电源IC圈子里的人,因此做什么多半是看哪个产品在中国的量大。须知产品的需求往往发端于欧美,象一个浪一样,随后涌到韩日、台湾,当这个浪涌到大陆时,量确实很大,但产品周期也快结束了。就如同2007年再去作DDR2(DDR3已经起来了),就算2008年就做出来,你会发现没有量就赚不到钱了。很多人知道在美信有70%毛利时,有近30%来源于生产环节。要想在本土立于不败之地,必需结合生产环节,这样当别的Fabless无以为继时,你还有20-30%利润空间。岭芯的团队之所以要和贝岭和华虹集团合作,正是看准了这一点。这两年的最大收获远不是区区一亿多的营业额,而是结合华虹四、六、八寸线的特点,建立起来的电源IC的基本模块。只有当每一个建筑单元都有很好的性价比时,最后的IC才能保证提供给客户最好的性价比。 从上面的例子不难看出,欧美公司有两大致命伤:第一是高额的人员开销不利于做技术上已经成熟的电源管理IC。即使不计算公司上层的股权等收入,一般人员费用也远非大陆可比。我曾经参与编写了一个50人部门的预算,经过裁剪,最后还是有$14M!这其中,应该只有两三个人是真正值得付美国工资的人。对比一下MPS(或AATI)和Richtek的产值和利润就不难看出。欧美公司可以保持亚洲公司类似的产值增长,但却很难保持净利润的同步增长。今年是第一次全球前十大电源管理IC公司的总产值有所下降,这说明小公司在瓜分这些大公司的传统地盘。当年美国人看不起的立錡,现在已经是超过两亿美金的公司了。但台湾的公司还是以台商为主,大陆公司完全有可能以台?人击败美国人的方式击败任何本土以外的对手。欧美公司的第二大致命伤是设计的决定权不再是欧美公司独有,越来愈多的OEM改成ODM模式。越来越多产品可以像MTK平台的手机一样,即使不能都达到"农民都可以做"的水品,能够制造完整电子产品的门槛也在降低。个人一直认为电源管理IC行业是一个服务行业,台湾的经验证明谁贴近客户,谁就会赢。   待续……
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    时间: 2020-6-29 18:46
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    上传者: kaidi2003
    使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率.pdf
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    时间: 2020-6-25 16:25
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    上传者: kaidi2003
    DN05025-D_ONSEMI_MOSFETPre‐driverPWMConsiderations.PDF
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    时间: 2020-6-13 16:57
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    上传者: samewell
    陈桥梁博士_功率MOSFET:从原理、特性到应用分析.pdf
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    时间: 2020-4-7 15:08
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    上传者: 16245458_qq.com
    MOSFET及MOSFET驱动电路总结MOSFET及MOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。[pic]    至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。   对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。   在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。下图是MOS管的构造图,通常的原理图中都画成右图所示的样子。 (栅极保护用二极管有时不画)[pic]    MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,如右图所示。这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,在MOS管的驱动电路设计时再详细介绍。[pic] 2、MOS管导通特性   导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。   NMOS的特性,Vgs大于一定……
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    时间: 2019-12-27 19:27
    大小: 116.91KB
    上传者: 微风DS
    MOSFET的选型,资料中的MOSFET选型资料来自南方芯源,数学推导挺多的,大家耐心看,SAMWINSemiconductorsSW04-3-01V1.01一、设计选择MOSFET的应用选择须综合各方面的限制及要求。下面主要从应用的安全可靠性方面阐述选型的基本原则。建议初选之基本步骤:下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。1)电压应力:在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:第1页-共6页SAMWINSemiconductorsSW04-3-01V1.01VDS_peak≤90%*V(BR)DSS注:一般地,V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之V(BR)DSS值作为参考。2)漏极电流:其次考虑漏极电流的选择。基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的90%;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的90%即:ID_max≤90%*IDID_pulse≤90%*IDP注:一般地,ID_max及ID_pulse具有负温度系数,故应取器件在最大结温条件下之ID_max及ID_pulse值作为参考。器件此参数的选择……
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    时间: 2019-12-27 19:27
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    上传者: rdg1993
    详解MOSFET的驱动技术及应用,MOSFET作为功率开关管,已经是电源领域的绝对主力器件,,,,,详解MOSFET的驱动技术及应用详解MOSFET的驱动技术及应用2011-01-1415:32:34文章来源:OFweek电子工程网http://ee.ofweek.com/2011-01/ART-8300-2802-28436335.html导读:MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。关键字:MOSFET驱动应用MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。首先,来做一个实验,把一个MOSFET的G悬空,然后在DS上加电压,那么会出现什么情况呢?很多工程师都知道,MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢?因为我根本没有加驱动电压,MOS怎么会导通?用下面的图,来做个仿真:去探测G极的电压,发现电压波形如下:G极的电压居然有4V多,难怪MOSFET会导通,这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。这种情况有什么危害呢?实际情况下,MOS肯定有驱动电路的么,要么导通,要么关掉。问题就出在开机,或者关机的时候,最主要是开机的时候,此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了,由于驱动电路没有工作,G级的电荷无法被释放,就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢?在GS之间并一个电阻.……
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    时间: 2019-12-27 19:32
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    上传者: 二不过三
    张兴柱之MOSFET分析,MOSFET的正向导通等效电路张兴柱博士功率MOSFET的正向导通等效电路功率MOSFET的正向导通等效电路张兴柱博士(1):等效电路DDGRds(on)SS(2):说明:功率MOSFET正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。1功率MOSFET的反向导通等效电路(1)功率MOSFET的反向导通等效电路(1)张兴柱博士(1):等效电路(门极不加控制)DDDG……
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    时间: 2019-12-27 19:50
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    上传者: 978461154_qq
    特点:1、低导通电阻在UDFN6中提供高12A的电流(SOT-1220);2、低输入电容应用于高频率DC-DC的快速开关;3、高负载电压器件可支持多电池和USB功率输送应用于高负载(>2A)电池充电的低导通电阻MOSFET/负载开关IC特点Q1Q2APPUSBPowerRapidCharge低导通电阻在UDFN6中提供高12A1-cell2-cellDeliveryDC-DC的电流(SOT-1220)TypePchMOSFETPchMOSFETLoadSWICNch×2MOSFET……
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    时间: 2019-12-27 19:58
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    FDMQ86530L解决方案由四个60VN沟道组成,采用飞兆GreenBridge™技术,改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率,将功耗降低了10倍。……
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    时间: 2019-12-27 20:02
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    上传者: quw431979_163.com
    TrenchFETIV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFETIII相比,TrenchFETIV的导通电阻(RDS(ON)和栅极电荷(QG,QGD)数值都有所减小,降低了同步DC/DC转换器中的损耗。过去,降低RDS(ON)通常会以更高的栅极电荷做为折衷。但TrenchFETIV采用一种新的高密度设计,同时实现了优化的栅极电荷水平和更低的RDS(ON)。……
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    时间: 2019-12-27 20:03
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    上传者: wsu_w_hotmail.com
    随着LED用于室内照明解决方案日渐盛行,成本结构已成为关键因素。简单的反激式转换器是实现低成本LED照明的最佳解决方案之一。然而,LED照明的开关电源仍要求高功率因数及高系统效率。为应对这一挑战,采用最新的功率器件至关重要。本文将介绍用作LED照明解决方案的全新集成控制器和高性能高压超级结MOSFET。……
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    时间: 2019-12-27 20:04
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    上传者: 978461154_qq
    利用PSoC1系列芯片中的可编程模拟单元可实现对步进电机的高细分数和精确的正弦波形控制。图1为利用PSoC1实现以上步进电机驱动器方案电路图,只需一个芯片,就可实现可编程模拟电路,例如高速/低速比较器,DAC等功能模块,以及可编程数字电路,并且利用芯片内的模拟/数字总线非常方便灵活地进行互联。……
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    时间: 2019-12-27 20:03
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    上传者: givh79_163.com
    PV逆变器系统通常有两个主要的组成部分:用于实施系统管理任务和控制算法的控制器,以及AC至DC转换电路。控制器的特性取决于PV系统的类型和结构以及功能需求。以下章节将更详细地分析每个组成部分以及它们如何影响整体系统效率。……
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    时间: 2019-12-27 20:08
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    4419AO441930VP-ChannelMOSFETGeneralDescriptionProductSummaryTheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFETVDS-30VtechnologywithalowresistancepackagetoprovideID(atVGS=-10V)-9.7AextremelylowRDS(ON).ThisdeviceisidealforloadswitchRDS(ON)(atVGS=-10V)andbatteryprotectionapplications.……
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    时间: 2019-12-27 20:09
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    上传者: 微风DS
    摘要:本文介绍了一种“零电压开关(ZVS)降压”的新型降压稳压器拓扑,说明了其给系统带来的优势和其在PicorCool-PowerZVS降压稳压器系列产品中的集成。……
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    时间: 2019-12-27 21:12
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    汽车功率MOSFET的应用High-currenttestingofSOT78andSOT404AutomotivePowerMOSFETapplicationsIncreasedautomotivepowerrequirementshavedriventheneedforimprovedcurrent-handlingcapabilities.RecentprocesstechnologyadvanceshaveaddressedthisrequirementandextensivetestingbyNXPhasshownthat,undercertaincircumstances,themaximumcurrentforitsSOT78(TO-220AB)andSOT404(D2PAK)packagescanbeashighas100A.KeyfeaturesandbenefitsWhenfirstreleased,NXP’sautomotivepowerdevices}ImprovedcurrenthandlinghousedintheSOT78andSOT404packageswerelimited}Industrystandardpackagestomaximumcurrentr……
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    时间: 2019-12-27 21:12
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    功率MOSFET封装的演变版本LFPAKTheToughestPower-SO8TheevolutionofPowerMOSFETpackagesTypicalTO220constructionTO220isthe‘original’through-holepowerpackage.Itissuitableforthrough-holemountingandlow-costwavesoldering.Italsoprovidesverylowthermalresistanceswhenmountedtoasuitableheatsink.Benefits}devicesareidealforthrough-holePCBassembly&wavesoldering}compatiblewithawidevarietyofheat-sinkingtechniques}lowRth(j-a)whenmountedtoasuitableheatsinkLimitations}bond……
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    时间: 2019-12-27 21:13
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    汽车电源应用的高可靠性LFPAK封装的MOSFETNewNXPAutomotiveLFPAKMOSFETsHighReliabilityLFPAKMOSFETsforAutomotivePowerApplicationsAsautomotiveapplicationsbecomemorecomplex,additionalreal-estateisrequiredwithinthesamemodulesize.Inapplicationssuchasenginecontrollers,theadditionalfunctionalityrequirestheuseofsmallerfootprintMOSFETs.LFPAKhasafootprint46%smallerthanthatofDPAKwhilstofferingsimilarthermalperformance.KeybenefitsTargetapplications}Lowinductance}Engineandtransmissioncontrollers}Lowthermalresistance}Advancedbrakingsystems}Dim……
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    时间: 2019-12-27 21:13
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    广泛的小信号MOSFET产品组合以适应广泛的应用May2011Broadsmall-signalMOSFETportfoliotosuitawiderangeofapplicationsOuradvancedMOSFETsolutionsdelivertheflexibilityandperformancethattoday’smarketdemands.Choosefromawiderangeofgeneral-purposeMOSFETsolutions,availableinavarietyofpackageoptions,fromthelargerSOT223tothesmallestMOSFETinanSOT883package-theultimateinminiaturization.SingleN-channel……
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    时间: 2019-12-27 21:15
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    恩智浦PNP低VCEsat的BISS/TrenchMOSFET模块SOT1118封装的PBSM5240PFNXPPNPlowVCEsatBISS/TrenchMOSFETmodulePBSM5240PFinSOT1118Unique2-in-1solutioninanultra-smallleadlessSOT1118packageThisgroundbreakingsolutionenablesslimmobiledevicesanddeliversbest-in-classthermalperformancetosupporthighercurrentsandlongerlifetimes.KeyfeaturesandbenefitsComparedtoconventionalsolutions,whichrequiretwo``SmallerPCBareathanforconventionaltransistorspackagesfortheBISS/MOSFETsolution,thePBSM5240PF``Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatoffe……
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