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Toshiba东芝TPN11003NL N沟道MOSFET产品规格书datasheet
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类别: 工业/医疗
时间:2024-09-06
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资料介绍

TPH11003NL的设计聚焦于优化电源转换效率。以下是其一些重要的技术参数

  • 导通电阻(RDS(ON))低:在4.5V的栅极驱动电压下,其典型值为12.6 mΩ,这使得在负载电流较大时,功耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。
  • 栅极电荷低:其栅极电荷(QSW)典型值为2.0 nC,使得它在开关转换过程中损耗小,适用于高频应用场景。
  • 高效的热管理:TPH11003NL的通道至壳体热阻为5.95 °C/W,通道至环境热阻在不同条件下分别为44.6 °C/W和78.1 °C/W,确保了在高功率条件下的稳定性和可靠性。

2. 适用领域

TPH11003NL广泛应用于各类需要高效电源转换的设备中,例如

  • DC-DC转换器:TPH11003NL的低导通电阻和快速开关速度使得它能够有效减少转换损耗,提升系统效率。
  • 开关电压调节器:其增强型设计(阈值电压Vth为1.3到2.3V)确保了MOSFET的开关动作迅速且稳定,从而适应复杂的电压调节需求。

此外,其低漏电流特性(最大10 µA)和高抗干扰能力使得该器件在高精度应用中表现尤为出色。

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