tag 标签: 沟道

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    时间: 2024-2-28 09:41
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    上传者: VBsemi
    型号:FDV301N-NL-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi详细参数说明:-功能类型:N沟道MOSFET-额定电压:20V-最大电流:6A-开态电阻:24mΩ(4.5V时),33mΩ(2.5V时)-门极电压:8Vgs(±V)-阈值电压:0.45~1Vth-封装类型:SOT23应用简介:该型号的FDV301N-NL-VBN沟道MOSFET适用于多种领域的电路模块应用。以下是一些可能的应用领域:1.电源管理模块:由于FDV301N-NL-VB具有较低的开态电阻和适中的额定电流,它可以用在各种电源管理模块中,如开关电源、电池保护电路等。2.DC-DC转换器:由于该MOSFET的低开态电阻和较高的额定电流,它在DC-DC转换器中可以提供较低的导通损耗和较高的效率。3.电压稳定器:FDV301N-NL-VB具有较低的开态电阻,在电压稳定器中可以提供稳定的输出电压和较低的功耗。4.电机驱动:该型号的MOSFET适用于小功率的电机驱动电路,可以提供较低的开态电阻和较高的额定电流。5.LED驱动:因为FDV301N-NL-VB具有适中的电流和较低的开态电阻,它可以用于LED照明应用中的电流调节和驱动电路。总结起来,FDV301N-NL-VBN沟道MOSFET适用于电源管理、DC-DC转换器、电压稳定器、电机驱动和LED驱动等多种电路模块应用。
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    时间: 2024-2-28 09:38
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:FDC6312P-VB-丝印:VB4290-品牌:VBsemi-参数: -2个P沟道 -工作电压:-20V -工作电流:-4A -导通电阻:75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V -门源极电压范围:12Vgs(±V) -阈值电压范围:-1.2~-2.2Vth(V) -封装:SOT23-6应用简介:这款FDC6312P-VB型号的晶体管适用于需要P沟道的场合,可以用于各种需要控制电流和电压的应用。其主要应用领域包括但不限于以下几个方面:1.电源管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于设备电源管理模块,主要用于控制电源开关和稳定输出电压。通过控制门源极电压和阈值电压,可以实现电源的开关控制和调节输出电压。2.电机驱动模块:FDC6312P-VB晶体管具有较低的导通电阻和较高的工作电流能力,适用于各种需要高效、稳定驱动电机的场合。可以用于电动工具、汽车电动座椅、航模、无人机等应用中的电机驱动模块。3.电池管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于电池充放电管理模块,通过控制电流和电压,保护电池的充电和放电过程。同时,其小尺寸的封装可以满足电池管理模块对于体积的要求。4.其他模块:FDC6312P-VB晶体管还可以用于其他需要控制电流和电压的模块,比如LED照明模块、电子设备的开关控制模块等。总之,FDC6312P-VB晶体管适用于各种需要P沟道的控制电流和电压的应用场合,广泛应用于电源管理模块、电机驱动模块、电池管理模块等领域模块上。型号:SI4848DY-T1-E3-VB丝印:VBA1158N品牌:VBsemi参数:N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8详细参数说明:-沟道类型:N沟道-最大电压:150V-最大电流:5.4A-开态电阻:80mΩ@10V;85mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:2Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻,能够在较低的电压下提供低电压降,具备较低的损耗和高效率。这款产品可以广泛应用于以下领域模块:1.电源模块:由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性,适用于电源模块中的开关电路和功率开关。2.电机控制模块:该器件能够提供高功率输出和低能耗,适用于电机控制模块中的开关电路,如直流电机驱动器和步进电机控制器等。3.照明模块:SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路,实现灯光的开关和亮度控制。4.电源逆变器:该产品可以用于逆变器模块中的开关电路,将直流电源转换为交流电源,如太阳能逆变器和电动车驱动器等。总之,SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块,如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降,能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。
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    时间: 2024-2-28 09:33
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    上传者: VBsemi
    型号:AP9435K-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi详细参数说明:1.P沟道2.最大耐压:-40V3.最大工作电流:-6A4.开导电阻(RDS(ON)):42mΩ@10V,49mΩ@4.5V5.最大门源电压(20Vgs)6.临界电压(Vth):-0.83V7.封装类型:SOT223应用简介:AP9435K-VB是一款P沟道功率场效应晶体管(FET)。它具有高耐压和低导通电阻特性,适用于需要控制高电流和电压要求的应用场景。该产品主要用于:1.电源模块:由于其能够控制较高的电流和电压,AP9435K-VB常用于电源模块中,用于稳定和调整电源输出。2.驱动模块:AP9435K-VB可以应用于各种驱动模块,例如电机驱动器、LED驱动器等,以实现有效的电流控制和输出。3.逆变器模块:在逆变器模块中,AP9435K-VB可用于将直流电转换为交流电,并用于太阳能逆变器、UPS系统等应用中。4.照明模块:由于其高电流和高耐压特性,AP9435K-VB可用于照明模块中,例如LED照明驱动器等。总之,AP9435K-VB适用于需要控制高电流和高电压的电源、驱动、逆变器和照明模块等应用领域。
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    时间: 2024-2-28 09:34
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    上传者: VBsemi
    型号:AP4407GM-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数说明:1.P沟道2.最大承受电压:-30V3.最大工作电流:-11A4.开阻抗:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压:20Vgs(±V)6.阈值电压:-1.42Vth(V)7.封装:SOP8应用简介:AP4407GM-VB是一款适用于P沟道的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备的功率开关和驱动控制电路中。其优异的特性使其可在低电压和大电流的环境下稳定工作,并能提供低导通电阻。产品应用领域:AP4407GM-VB常被应用在以下领域的模块上:1.电源模块:用于电源开关控制和功率变换。2.车载电子:用于车辆电子系统的功率开关和电机控制。3.工业自动化:用于工控设备和传感器的驱动控制。4.照明领域:用于LED照明驱动器和照明系统的控制。5.通信模块:用于通信设备的电源开关和功率控制。总之,AP4407GM-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的电子设备模块中,常用于功率开关和驱动控制电路。
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    时间: 2024-2-28 09:36
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    上传者: VBsemi
    型号:NTD20N06LT4G-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:45A-导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-硅极电压:20Vgs(±V)-门槽电压:1.8Vth(V)-封装类型:TO252详细参数说明:NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其丝印为VBE1638,由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数:1.高额定电压(60V)和大额定电流(45A),适合处理高功率电路;2.导通电阻低,具有优秀的导通性能(24mΩ@10V,28mΩ@4.5V),可以降低功率损耗;3.20V的硅极电压(20Vgs),以及1.8V的门槽电压(1.8Vth(V)),提供灵活的驱动和控制能力;4.封装为TO252,易于焊接和安装。应用简介:NTD20N06LT4G-VBMOSFET通常用于以下领域模块:-电源模块:由于其高额定电压和大额定电流,可广泛应用于电源模块中,用于稳定和分配电流;-电机驱动:该器件的低导通电阻和高功率特性,使其成为电机驱动模块的理想选择,可以提供高效率和高输出功率;-电子设备:由于其灵活的驱动和控制能力,NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备,如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。总之,NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件,适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:45
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    上传者: VBsemi
    型号:AO4826-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-额定电流:6A-开通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压:1.5Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:AO4826-VB是一款具有两个N沟道,电压和电流额定值较高的MOSFET器件。其具有低开通电阻和低阈值电压,适用于需要高电流驱动的应用。该器件封装为SOP8,便于安装和布局。该产品可用于各种领域的模块,常见的应用包括:1.电源模块:AO4826-VB适用于低压电源模块,可用于开关电源和直流-直流(DC-DC)转换器。其低开通电阻和高电流特性使其能够提供高效的功率传输和稳定的电源输出。2.电机驱动:该器件也常用于电机驱动模块中,例如直流电机控制器、步进电机控制器等。其高电压和电流额定值以及低开通电阻特性能够提供强大的驱动能力,适用于各种类型的电机。3.LED照明:AO4826-VB可用于LED驱动模块,提供高效的电流控制和调光功能。其低开通电阻可以减少功率损耗,提高整体效率。总结:AO4826-VB是一款适用于高电压和电流应用的MOSFET器件,可广泛应用于电源模块、电机驱动模块和LED照明等领域的模块中。
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    时间: 2024-2-28 09:37
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    上传者: VBsemi
    型号:IPD50P04P4L-11-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-最大工作电压:-40V-最大工作电流:-65A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压:-1.6Vth(V)-封装类型:TO252应用简介:IPD50P04P4L-11-VB适用于各种领域的电子模块,主要用于功率开关应用。由于P沟道MOSFET具有负责电流的优点,因此它们广泛应用于电源管理和开关模块。此型号产品可用于以下领域模块:1.电源模块:由于其高电流和低导通电阻特性,适用于高功率电源模块,如电动汽车充电器和电池管理系统。2.电机驱动模块:具有高工作电流能力的IPD50P04P4L-11-VB可用于电机驱动模块,如电动机控制器和电机驱动电路。3.照明模块:由于其高电流能力和低导通电阻特性,可用于LED照明模块,如LED驱动器和LED灯控制电路。4.工业控制模块:适用于工业控制模块,如工业自动化控制系统和工业电源模块。总之,IPD50P04P4L-11-VB适用于需要高功率开关能力和低导通电阻的电子模块应用,并可广泛应用于电源管理、电机驱动、照明和工业控制等领域。
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    时间: 2024-2-28 09:39
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    上传者: VBsemi
    型号:SI4848DY-T1-E3-VB丝印:VBA1158N品牌:VBsemi参数:N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8详细参数说明:-沟道类型:N沟道-最大电压:150V-最大电流:5.4A-开态电阻:80mΩ@10V;85mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:2Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻,能够在较低的电压下提供低电压降,具备较低的损耗和高效率。这款产品可以广泛应用于以下领域模块:1.电源模块:由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性,适用于电源模块中的开关电路和功率开关。2.电机控制模块:该器件能够提供高功率输出和低能耗,适用于电机控制模块中的开关电路,如直流电机驱动器和步进电机控制器等。3.照明模块:SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路,实现灯光的开关和亮度控制。4.电源逆变器:该产品可以用于逆变器模块中的开关电路,将直流电源转换为交流电源,如太阳能逆变器和电动车驱动器等。总之,SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块,如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降,能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。
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    时间: 2024-2-28 09:32
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:型号:RSQ045N03TR-VB丝印:VB7322品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:30V-额定电流:6A-开态电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门压(Vgs):20Vgs(±V)-阈值电压(Vth):1.2Vth(V)-封装:SOT23-6应用简介:该型号的RSQ045N03TR-VB是一种N沟道MOSFET器件,主要用于在各种电子设备中进行开关控制。它具有较低的开态电阻和高的额定电流,适用于许多领域的模块。应用领域:1.电源和逆变器模块:RSQ045N03TR-VB可用于电源和逆变器模块中,实现高效的电能转换和电压调节功能。2.工业自动化领域:该器件可用于工业自动化设备中的电流控制和电流保护功能,提高系统的稳定性和可靠性。3.汽车电子控制模块:RSQ045N03TR-VB适用于汽车电子控制模块,如发动机控制单元、车身控制模块等,实现精确的汽车电子控制。4.照明和照明控制模块:该MOSFET器件可用于照明和照明控制模块,如LED驱动器和照明开关,提供高效和可靠的照明控制。5.其他领域模块:RSQ045N03TR-VB还可应用于其它领域的模块,如电机驱动、电源管理、无线通信等,为这些模块提供高效的开关功能。总结:RSQ045N03TR-VB是一种N沟道MOSFET器件,适用于多种领域的模块,包括电源和逆变器模块、工业自动化领域、汽车电子控制模块、照明和照明控制模块以及其他领域的模块。由于其具有较低的开态电阻和高的额定电流等特点,可提供高效的开关控制功能。
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    时间: 2024-2-28 09:30
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    上传者: VBsemi
    型号:FDS4435A-NL-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻: -RDS(ON):23mΩ@10V -RDS(ON):29mΩ@4.5V -RDS(ON):66mΩ@2.5V-门源极电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.37Vth(V)-封装类型:SOP8详细参数说明:FDS4435A-NL-VB是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其电气参数为额定电压为-30V,额定电流为-7A。其导通电阻RDS(ON)在不同的电压下有不同的取值,如在10V时为23mΩ,在4.5V时为29mΩ,在2.5V时为66mΩ。其最大允许的门源极电压为20Vgs,阈值电压为-1.37Vth(V)。该器件采用SOP8封装。应用简介:FDS4435A-NL-VB常被广泛应用于各种电路模块中,如电源管理,电池充放电控制,开关电源等。产品应用领域:FDS4435A-NL-VB适用于以下领域的模块:1.电源管理:可用于电源开关模块、直流-直流(DC-DC)转换器、逆变器等。2.电池充放电控制:可应用于锂电池充电管理、电池保护、电池充电器等领域的模块。3.开关电源:可用于开关电源的开关组件、逆变器等。4.其他领域:该器件还可应用于电机驱动、照明控制等领域的模块。总之,FDS4435A-NL-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高性能特性,常被广泛应用于电源管理、电池充放电控制、开关电源等领域的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:40
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:型号:AM4599C-T1-PF-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-最大工作电压:±60V-最大工作电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-RDS(ON):28mΩ(正向,10V),51mΩ(反向,10V),34mΩ(正向,4.5V),60mΩ(反向,4.5V)-门源电压:±20Vgs-临界电压:±1.9Vth-封装类型:SOP8应用简介:该型号的AM4599C-T1-PF-VB晶体管适用于以下领域模块:1.电源模块:由于该型号具有较高的工作电压和电流能力,可用于电源模块中提供必要的电流和电压。2.汽车电子模块:由于其较高的电压和电流特性,适用于汽车电子模块中,如驱动电机、控制器等。3.工业自动化模块:适用于工业控制和自动化设备中,如机器人、PLC等。4.通信设备模块:适用于通信设备中的功率放大器、开关等模块。5.LED照明模块:适用于LED照明驱动模块,提供所需的电流和电压。总结:AM4599C-T1-PF-VB是一个N+P沟道、具有高电压和电流能力的晶体管,在电源、汽车电子、工业自动化、通信设备和LED照明等领域模块中有广泛的应用。
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    时间: 2024-2-28 09:42
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    上传者: VBsemi
    型号:SI2309DS-T1-GE3-VB丝印:VB2658品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-5.2A-开通电阻:40mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源极电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-2Vth(V)-封装类型:SOT23应用简介:SI2309DS-T1-GE3-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种领域的应用。它具有较高的额定电压和额定电流,能够提供可靠的功率放大和开关控制。其低开通电阻,在低电压下能够提供较低的功耗,同时保持较低的温升。这些产品适用于以下领域模块:1.电源模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电源模块中的开关电源,为电子设备提供稳定和高效的电源转换。2.电机驱动模块:由于SI2309DS-T1-GE3-VB具有较高的额定电流和低的开通电阻,它可以用于电机驱动模块中,实现电机的高效、精确控制。3.照明模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于LED照明模块中的开关电源,提供稳定和可靠的电源供应,以实现高亮度和节能的照明效果。4.电池管理模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电池管理模块中的电源开关和电流控制,以保护电池并提供高效的充放电控制。总结而言,SI2309DS-T1-GE3-VB适用于各种领域模块,包括电源模块、电机驱动模块、照明模块和电池管理模块等,用于功率放大、开关控制和电源转换等应用。
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    时间: 2024-2-28 09:35
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:STD35P6LLF6-VB-丝印:VBE2625-品牌:VBsemi-功能:P沟道功率MOSFET-最大工作电压:-60V-最大工作电流:-50A-开启电阻(RDS(ON)):20mΩ@10V、25mΩ@4.5V、20Vgs-阈值电压:-1.76Vth(V)-封装:TO252应用简介:这种型号的P沟道功率MOSFET广泛应用于以下领域的模块中:1.电源供应模块:由于其较大的工作电压和电流能力,该MOSFET可用于电源供应模块,以控制电流和达到稳定的电压输出。2.电动工具:由于其高效能和低开启电阻,该MOSFET能够在电动工具中实现高速开关控制,提高工具的效率和性能。3.汽车电子:该MOSFET可用于汽车电子模块中,如电动车辆的电动驱动模块,以实现高效能的电能转换和驱动电动机。4.工业自动化:在工厂自动化系统中,该MOSFET可用于控制电机和其他高功率装置,以实现高效能、高精度的控制。5.LED照明:由于其低开启电阻和高工作电流能力,该MOSFET可用于LED照明模块中,以调节和控制LED的亮度和电流。6.其他领域模块:除以上领域外,该MOSFET还可应用于各种需求较大功率和控制的电子模块,如家用电器、医疗设备等。综上所述,STD35P6LLF6-VB型号的P沟道功率MOSFET主要用于电源供应模块、电动工具、汽车电子、工业自动化、LED照明以及其他需要较大功率和控制的领域模块中。
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    时间: 2024-2-28 09:51
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    上传者: VBsemi
    型号:SI9435BDY-T1-E3-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-6A-导通电阻:40mΩ(在10V下)-导通电阻:54mΩ(在4.5V下)-门源电压:±20V-阈值电压:-1.5V-封装:SOP8详细参数说明:SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于负责在特定应用中控制电流的关键元件。该器件的工作电压范围为-30V,工作电流可达-6A。在10V下,其导通电阻为40mΩ;在4.5V下,其导通电阻为54mΩ。门源电压范围为±20V,阈值电压为-1.5V。器件封装为SOP8。应用简介:SI9435BDY-T1-E3-VB常用于各种电子设备和模块中的开关电路、功率放大电路等场合,以实现对电流的精确控制。该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于要求高效能和响应速度的应用场景。其主要应用领域包括但不限于:1.电源管理:该MOSFET可用于电力转换、开关模式电源和电源控制器中的功率开关电路。2.电子调光:可应用在LED照明设备、背光模块、触摸开关等场合,实现对灯光亮度的调节和控制。3.电荷控制:可用于电池充电和放电保护电路、USB充电器等场合,对电流进行准确的控制和管理。4.电机驱动:适用于电动工具、无刷直流电机和步进电机等电机控制电路中,实现对电机的高效驱动。总结:SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻、快速开关特性,可适用于多个领域的功率开关电路、电源管理、电子调光和电机驱动等应用场景。
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    时间: 2024-2-28 09:49
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:NTD24N06LT4G-VB-丝印:VBE1638-品牌:VBsemi-参数: -极性:N沟道 -额定电压:60V -额定电流:45A -漏电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V -门源电压:20Vgs(±V) -阈值电压:1.8Vth(V) -封装:TO252应用简介:该型号的NTD24N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于60V以下的电路应用。其具有低漏电阻和低阈值电压的特点,能够在较低电压下实现高电流的开关和增强功能。该产品适用于以下领域模块:-电源模块:由于该型号具有较低的漏电阻和高电流承受能力,可以用于电源模块中的开关电路,提高效率和稳定性。-驱动模块:由于具有低门源电压和低阈值电压,可广泛应用于驱动模块中,用于控制电流和功率输出。-电动工具:该型号的降低漏电阻和高电流特性使其适用于电动工具中,提高效率和稳定性。-电动汽车:由于额定电压和电流较高,该型号可用于电动汽车中的驱动系统,以实现高功率输出和能效。总结来说,NTD24N06LT4G-VB适用于电源模块、驱动模块、电动工具和电动汽车等领域模块。其具有低漏电阻、低阈值电压和高电流承受能力的特点,在这些领域模块中能够提供高效率、稳定性和高功率输出。
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    时间: 2024-2-28 09:54
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V),1-3Vth(V),SC70-3应用简介:AO7414-VB是一款适用于各种领域的N沟道功率MOSFET。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、卓越的温度稳定性和导通耐压等。该器件在20V工作电压下,最大能够承受4A的电流。同时,它具有较低的导通电阻,以保证低功耗和高效率的电流传输。该器件的阈值电压范围在1-3V之间,使其适用于各种电路控制需求。该器件采用SC70-3封装,具有小体积和高密度布局的优势,适用于紧凑型模块和电路设计。它广泛应用于各种领域的模块,包括但不限于:1.电源管理模块:AO7414-VB可用于电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器等功率管理模块中,以实现有效的能量转换和管理。2.电动工具:该器件适用于电动工具如电钻、扳手和锯等的功率控制模块,提供可靠的电源控制和高效能量传输。3.汽车电子模块:AO7414-VB可用于汽车电子模块,如车载音频系统、车身控制模块和照明控制模块,以提供高效的功率管理和保护功能。4.LED驱动器:该器件可用于LED照明驱动模块,以提供精确的亮度控制和高效的功率传输,适用于室内照明和汽车照明等应用。总之,AO7414-VB是一款用途广泛的N沟道功率MOSFET,适用于各种领域的模块,包括电源管理、电动工具、汽车电子和LED驱动器等。
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    时间: 2024-2-28 09:52
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    上传者: VBsemi
    丝印:VB2355品牌:VBsemi型号:SPP3407DS23RGB-VB参数说明:-电源电压(Vds):-30V-电流(Id):-5.6A-开关电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-硅门压(Vgs(±V)):20V-硅门阈值电压(Vth):-1V-封装类型:SOT23应用简介:SPP3407DS23RGB-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。它具有低电阻、高电流处理能力,适用于各种需要进行开关控制或功率放大的应用。该产品主要应用于以下领域模块:1.电源模块:由于SPP3407DS23RGB-VB能够承受高电流和电压,因此非常适用于电源模块中的开关电路和功率放大电路。2.电调模块:对于需要对电机进行控制的设备,如电调模块,SPP3407DS23RGB-VB能够提供高效的电源开关和驱动功能。3.车载电子模块:由于其小巧的封装和高电流处理能力,SPP3407DS23RGB-VB可用于车载电子模块中的驱动器和电源开关。4.工业自动化模块:在工业自动化和控制系统中,SPP3407DS23RGB-VB可以用作各种开关和放大电路的关键元件。总之,SPP3407DS23RGB-VB是一款高性能P沟道MOSFET器件,适用于各种需要进行高电流、高电压开关控制或功率放大的领域模块。
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    时间: 2024-2-28 09:49
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    上传者: VBsemi
    型号:SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印:VBC6P3033品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.2A-导通电阻:33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源极电压范围:±20V-阈值电压:1~3V-封装类型:TSSOP8应用简介:SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压,使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。具体应用领域模块如下:1.电源模块:SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关,用于控制电源的开关和调节功率的大小。2.电动工具模块:在电动工具中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动工具的功率输出和运行状态。3.LED照明模块:SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器,控制LED的亮度和开关。4.电动车辆模块:在电动车辆中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动车辆的动力输出和控制。5.手持设备模块:在手持设备中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块,控制电池的供电和功耗管理。总之,SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中,特别适用于低电压和高电流条件下的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:46
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    上传者: VBsemi
    型号:AM4392N-T1-PF-VB  丝印:VBA1203M  品牌:VBsemi  详细参数说明:  -沟道类型:N沟道-额定电压:200V-额定电流:3A-开态电阻:300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压范围:20Vgs(±V)-阈值电压范围:2~4Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:  该型号的AM4392N-T1-PF-VBMOSFET适用于各种领域模块中的电路设计,其具有以下特点:1.N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。2.高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。3.低RDS(ON)值(300mΩ和360mΩ)可实现低导通电阻以减小功耗和提高效率。4.广泛的门源电压范围(20Vgs)和门阈值电压范围(2~4Vth(V))使其能够适应不同的驱动电路需求。5.SOP8封装提供了方便的安装和散热性能。这些产品主要用于以下领域的模块:1.电源模块:由于高额定电压和电流以及低导通电阻,AM4392N-T1-PF-VB可以在电源模块中用于有效地控制电流和改善功率效率。2.电动工具:高额定电流使其适用于电动工具中的电机驱动。3.工业自动化:由于能耐受高压和高电流,AM4392N-T1-PF-VB可以用于工业自动化系统中的各种电路设计需求。4.汽车电子:适用于汽车电子系统中的各种模块设计,如电动汽车控制器。5.LED照明:可用于LED照明模块中,以实现高效的电流驱动和精确的亮度控制。总之,AM4392N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种领域的模块中的电路设计,具有高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的门源电压和阈值电压范围等优势。
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    时间: 2024-2-28 09:48
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    上传者: VBsemi
    型号:PMN50XP-VB丝印:VB8338品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-4.8A-开启电阻:RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门极电压范围:20Vgs(±V)-阈值电压范围:-1~-3Vth(V)-封装类型:SOT23-6应用简介:该型号的PMN50XP-VBP沟道功率MOSFET适用于各种领域的电路和模块设计,可以应用于需要高性能功率开关和电源控制的应用中。该器件的特性包括工作电压高,电流能力大,开启电阻低等,使其适用于以下领域模块:1.DC/DC转换器:用于电源管理系统,提供高效率的电力转换;2.电机驱动:用于控制电机速度和方向的模块,可以应用于工业自动化、家电等领域;3.逆变器:用于将直流电转换为交流电的模块,广泛应用于太阳能发电、电动车、UPS等领域;4.开关电源:用于稳定输出电压和电流的电源模块,适用于计算机、通信设备等领域。