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【SI4848DY-T1-E3-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号: SI4848DY-T1-E3-VB
丝印: VBA1158N
品牌:VBsemi
参数: N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8

详细参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 最大电压:150V
- 最大电流:5.4A
- 开态电阻:80mΩ @ 10V;85mΩ @ 4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:2Vth (V)
- 封装类型:SOP8

应用简介:
SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻,能够在较低的电压下提供低电压降,具备较低的损耗和高效率。

这款产品可以广泛应用于以下领域模块:
1. 电源模块:由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性,适用于电源模块中的开关电路和功率开关。
2. 电机控制模块:该器件能够提供高功率输出和低能耗,适用于电机控制模块中的开关电路,如直流电机驱动器和步进电机控制器等。
3. 照明模块:SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路,实现灯光的开关和亮度控制。
4. 电源逆变器:该产品可以用于逆变器模块中的开关电路,将直流电源转换为交流电源,如太阳能逆变器和电动车驱动器等。

总之,SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块,如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降,能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。

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