丝印： VBA1158N
品牌：VBsemi
参数： N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；SOP8
详细参数说明：
- 沟道类型：N沟道
- 最大电压：150V
- 最大电流：5.4A
- 开态电阻：80mΩ @ 10V；85mΩ @ 4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：2Vth (V)
- 封装类型：SOP8
应用简介：
SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻，能够在较低的电压下提供低电压降，具备较低的损耗和高效率。
这款产品可以广泛应用于以下领域模块：
1. 电源模块：由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性，适用于电源模块中的开关电路和功率开关。
2. 电机控制模块：该器件能够提供高功率输出和低能耗，适用于电机控制模块中的开关电路，如直流电机驱动器和步进电机控制器等。
3. 照明模块：SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路，实现灯光的开关和亮度控制。
4. 电源逆变器：该产品可以用于逆变器模块中的开关电路，将直流电源转换为交流电源，如太阳能逆变器和电动车驱动器等。
总之，SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块，如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降，能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。
