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    2024-1-5 17:36
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    半导体封装设计工艺 ▲图1:半导体封装设计流程的各个方面(ⓒ HANOL出版社) 图1显示了半导体封装设计工艺的各项工作内容。首先,封装设计需要芯片设计部门提供关键信息,包括芯片焊盘(Chip Pad)坐标、芯片布局和封装互连数据。然后,团队将根据封装材料设计由基板(Substrate)和引线框架(Leadframe)组成的半导体封装结构。这一过程涉及应用设计规则,需要充分考虑封装的批量生产、制造过程、工艺条件和所需设备等。 封装可行性审查应在封装开发初期进行,审查结果需要提交给芯片和产品设计人员做进一步反馈。完成可行性研究后,须向封装制造商下订单,并附上封装、工具、引线框架和基板的设计图纸。交付用于封装的晶圆时,除了引线或焊接凸点(Solder Bump)连接的设计图纸外,还需要准备好工具、引线框架材料和基板。引线或焊接凸点连接的设计图纸必须提前分享给封装工艺及制造工程师。 收到这些设计图纸后,封装设计工程师将开展可行性测试。具体来讲,使封装锡球(Solder Ball)的布局和芯片的焊盘序列关联在一起,以确定这种布线方式是否可行。通过前期的可行性研究,工程师将提出有关封装锡球排列、封装尺寸和规格的建议,以改进半导体芯片和器件的特性与工艺。 优化封装特性 ▲图2:封装设计优化流程(ⓒ HANOL出版社) 封装设计优化流程如图2所示。在封装可行性审查的初始阶段,提出最佳焊盘位置,再确保接线的可行性。为了优化这些工艺特性,需要对结构特性、热特性和电气特性进行分析。 如今,为了满足半导体行业针对传输速度、集成度和性能日益增长的需求,这些特性有必要进行全面提升。就电气特性而言,封装时增加锡球,可以增加链接印刷电路板(PCB)上引脚(Pin)的数量,从而添加更多布线。这样一来,基板、引线框架和印刷电路板的设计将变得更加精细和复杂。这就会导致这些设备的制造会受制于封装公司和基板等组件制造商的工艺能力。因此,在半导体封装设计中,为了避免质量问题,需要制定与材料、工艺和设备相关的设计规则,定期对这些规则进行审查,并分享给芯片设计人员及基板和封装制造商。 基于共享的设计规则,封装工艺工程师和基板制造工艺工程师可合力缩小封装锡球的尺寸和间距,以及信号布线的宽度和间隔。同样,设计规则中还会明确规范从工艺性能到电气规格在内的一系列细节。此外,设计规则中还会详细说明管理封装和基板容差1的方法,以及核查封装工艺性能的方法。 更具体地说,设计规则还可以用来满足严格的电气规格容差管理。为了满足电气规格,团队需要根据预先验证的设计数据绘制图纸,来规划并依次制定三个方面的容差:每条高速信号线;管理每条信号线阻抗2一致性的电介质3厚度;以及能够实现最佳低功耗设计的过孔尺寸4。另一方面,为了提高封装效率和批量生产能力,团队在设计诸如基板等器件时会考虑使用标记模式,以注明符合标准的器件,并将其作为设计规则进行管理。 1 容差(Tolerance) :性能差异导致的空间或数字上的误差范围。 2 阻抗(Impedance) :衡量电路阻碍电流通过能力程度的指标。 3 电介质(Dielectric) :通过施加电场可以被极化的一种电绝缘体。 4 过孔尺寸(Via Size) :印刷电路板中不同层之间用于电气连接的孔的尺寸。 分析封装结构 针对半导体封装结构,可通过计算机模拟的方式去分析。通常情况下,计算机模拟分析过程会将推导出的一般方程应用于特定条件中,以便深入了解特定情况。标准的计算机模拟分析过程包括四个步骤。 首先,将支配某种自然现象的要素以及这些要素之间的关系归纳为数学表达式,如控制方程5,然后对分析对象进行建模,以便进行计算机模拟。接下来,将控制方程应用到模型中,进行数学计算,最后将计算结果应用于现象进行分析。计算机模拟分析方法主要分为:有限差分法(Finite Difference Method)、有限元法(Finite Element Method, FEM)和有限体积法(Finite Volume Method)。其中,有限元法被广泛应用于分析半导体结构。从工程角度而言,有限元法指将无限数量的点和自由度6转化为有限数量的点和自由度的能力,这些点随后被纳入线性方程组进行计算。 5 控制方程(Governing Equation) :构成计算机代码基础的数学公式。在计算建模场景中,控制方程决定由代码提前预设的隐藏的流体行为。 6 自由度(Degrees of Freedom) :对某一统计量进行最终计算时,可以自由变化的数值的个数。 有限元法由有限数量的被称为元素的构建模块组成。每个元素都包含有限数量的点和一个控制方程,而数值则通过求解方程获得。为了深化对结构分析的了解,我们有必要知道结构分析所需材料的三个关键属性:热膨胀系数(CTE)、泊松比(Poisson’s Ratio)和应力(Stress)。 热膨胀系数是用来描述材料因温度波动而发生长度变化的一项指标。一般来说,温度升高时材料膨胀,温度下降时材料收缩。因此,热膨胀系数被定义为单位温度上升时材料长度的增幅量。泊松比指材料在垂直于特定载荷方向上的膨胀或收缩,考虑物体所受的推拉作用可有助于我们更好地了解泊松比的概念。如果我们从两端纵向拉动一个物体并对其施加拉力,那么物体会沿着长度方向伸展,沿着宽度方向收缩。但是,如果我们从两端纵向推挤一个物体并对其施加压缩力,那么物体会沿着这个力的方向收缩,沿着宽度方向伸展。最后,应力指物体在受到外部作用时在内部形成的内力,用以抵抗这股外力,同时保持物体的形状不变。应力压力是以单位进行测量的。 这些材料特性应用于半导体封装结构分析的三个主要领域:封装翘曲、焊点可靠性和封装强度。 翘曲分析 在进行封装时,当温度上升然后回落到室温时,不同材料之间由于热膨胀系数不同,可能导致封装翘曲并造成封装缺陷。因此,我们应基于产品结构、材料的弹性模量7、热膨胀系数、工艺温度和时间,对封装进行结构性分析,以便更好地预防翘曲及封装缺陷。 7 弹性模量(Elastic Modulus) :在固体力学中表示材料刚度的数值,是应力与应变的比值。 焊点可靠性 焊锡主要用于半导体封装和PCB基板之间的机械和电气连接。由于焊点可靠性非常重要,所以我们需要在封装前对焊点进行结构性分析,以改进封装结构和材料。 焊锡的失效主要源于两个方面的共同作用——平面收缩造成的剪切断裂以及轴向拉伸造成的拉伸断裂。因此,在焊点结构分析中,需要对各种工艺或使用条件下施加到焊点的应力值进行分析。 强度分析 因为封装的作用是保护芯片免受外部影响,所以芯片在受外部影响时表现出的稳健性要依靠封装强度。为了确定封装的稳健性,我们可以使用万能试验机(UTM)8进行三点弯曲或四点弯曲试验,由此计算断裂强度。结构性分析可以模拟用万能试验机进行的实验,从而推导出封装各个区域的应力水平,并以特定材料的断裂强度为参考来预测整个产品的断裂强度。 8 万能试验机(UTM) :一种测量材料强度的仪器,通过用一定重量拉伸或压缩材料来测量其抗拉、抗弯和抗压强度。 散热性能分析 电子设备在运行时会消耗电能并产生热量。这种热量会提高包括半导体产品在内元件的温度,从而损害电子设备的功能性、可靠性和安全性。因此,电子设备必须配备适当的冷却系统,以确保元件在任何环境下均能保持在一定温度水平下。 鉴于散热性能在半导体封装中的重要作用,热分析也成为了一项必不可少的测试内容。因此,必须提前准确了解半导体封装在系统应用时产生的热量、封装材料与结构的散热效果、以及温度效应,并将其反应在封装设计中。 ▲图3:封装的关键温度点(ⓒ HANOL出版社) 对半导体封装实施并使用热分析,我们需要定义封装的关键温度点,包括:环境温度(Ta)、结温(Tj)、壳温(Tc)和板温(Tb)。封装规格的温度通常为最高结温(Tj max.)或者最高壳温,这两点指的是确保半导体器件正常工作的最高温度。图3显示了封装原理示意图中的各个温度点。 ▲图4:封装中的热特性类型(ⓒ HANOL出版社) 使用封装的主要温度点可以计算出热阻,热阻是最重要的热保护特性。封装热阻是一个指数,单位为℃/W,表示当芯片产生1瓦热量时,半导体产品相对于环境温度所上升的温度。该比值根据每种产品和环境条件而变化。常见的热阻类型包括结到环境热阻(Ja)、结到板热阻(Jb)和结到壳热阻(Jc),它们是封装的抗热性指标。 电气模拟 ▲图5:封装RLGC模型示例(ⓒ HANOL出版社) 随着半导体芯片传输速度的提升和密度的增大,封装也对半导体产品的特性产生重大影响。特别是在封装高性能半导体芯片时,必须要对封装状态进行精确的电气模拟。为了预测由高性能半导体芯片的复杂布线引起的电气问题,需要使用诸如RLGC等模型。因此,电气模拟可以创建各种模型,并利用这些模型来预测高速数字系统中的数据传输用时、信号质量和形状精度。 在封装电气分析过程中,电气模型的基本元素包括电阻(Resistance)、电感(Inductance)和电容(Capacitance)。电阻的强度足以阻碍电流的流动,它与物体中的单位电流成反比。电感是电路中电流变化引起的电磁感应形成的反电动势的比率。最后,电容是电容器在单位电压作用下储存电荷的物理量。 ▲图6:电气分析的不同方面(ⓒ HANOL出版社) 如图5所示,利用RLGC建模,可以预测的最重要特性,即信号完整性(SI)、电源完整性(PI)和电磁干扰(EMI)。信号完整性衡量的是电信号的质量,电源完整性衡量的是电源传输的质量。最后,EMI指电磁干扰,即辐射或传导的电磁波会干扰其他设备的运行的因素。因此,应提前检查噪声问题,尽可能缩短其发展周期,确保电源完整性和电源配送系统能够支持创建可靠的电路板。信号完整性、电源完整性和电磁干扰之间存在着密切的有机联系,因此,综合考量这三种特性的设计方案对于电气分析至关重要。 支持半导体行业发展 无论单个芯片性能如何提高,如果不能妥善管理封装内芯片和供电电网间连接路径的电磁特性,整体系统性能就无法得到保障。因此,封装设计工艺和相关分析对于确保芯片的运行和持续发展至关重要。通过遵循特定设计规则,可以创建具备最佳特性的半导体封装蓝图。随后可以通过结构分析、热分析和电气分析对封装特性进行优化。通过各阶段的设计和分析,最终可以满足市场对半导体的传输速度、集成度和性能方面日益增加的需求。 来源:skhynix
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    2024-1-5 17:33
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    传统封装组装方法概述 图1显示了塑料封装的组装工艺,塑料封装是一种传统封装方法,分为引线框架封装(Leadframe Package)和基板封装(Substrate Package)。这两种封装工艺的前半部分流程相同,而后半部分流程则在引脚连接方式上存在差异。 ▲图1:引线框架封装和基板封装的组装步骤(ⓒ HANOL出版社) 晶圆经过测试后,首先要经过背面研磨(Backgrinding),以达到所需厚度;然后进行晶圆切割(Wafer Sawing),将晶圆切割成芯片;选择质量良好的芯片,通过芯片贴装(Die Attach)工艺将芯片连接到引线框架或基板上;之后通过引线键合(Wire Bonding)的方式实现芯片与基板之间的电气连接;最后使用环氧树脂模塑料(EMC)进行密封保护。引线框架封装和基板封装在前半部分流程中均采用上述步骤。 在后半部分流程中,引线框架封装采用如下步骤:通过切筋(Trimming)1的方式将引线分离;通过电镀(Solder Plating)将锡球置放至引线末端;最后是成型(Forming)工艺,成型工艺将封装分离为独立单元,并弯曲引线,以便将它们连接到系统板上。而对于基板封装,则是在进行植球(Solder Ball Mounting),即锡球被焊接在基板焊盘上之前,先完成模塑;之后进行切割,成为独立封装,也可称之为切单(Singulation)。接下来的内容中,将阐述传统封装方法的组装工艺,并重点介绍基板封装的八个步骤。 1 切筋(Trimming) :一种应用于引线框架封装的工艺,使用剪切冲床去除引线之间的阻尼条。 第一步:背面研磨 背面研磨工艺可确保将晶圆加工成适合其封装特性的最佳厚度。该工艺包括对晶圆背面进行研磨处理并将其安装在环形框架内,如图2所示。 ▲图2:晶圆背面研磨工艺的四个步骤(ⓒ HANOL出版社) 在对晶圆背面进行研磨之前,首先需要在晶圆正面覆盖一层保护胶带,称之为背面研磨保护胶带。这是为了防止用于绘制电路的晶圆正面遭受物理性损害。之后使用研磨轮(Grinding Wheel)对晶圆背面进行研磨,使其变得更薄。在这个过程中,需要先用高速旋转的粗磨轮去除大部分多余材料;再用细磨轮对表面进行精磨,以达到理想厚度;最后使用精拋光垫(Fine Pad)对晶圆进行抛光,使其表面变得光滑。如果晶圆表面粗糙,那么在后续工艺中施加应力(Stress)时,会使其更易产生裂痕,导致芯片断裂。因此,通过抛光来防止裂痕形成,对于减少芯片破损具有重要意义。 对于单芯片封装而言,通常需要将晶圆研磨到约200-250微米(μm)的厚度。而对于堆叠封装而言,因将多个芯片堆叠在同一封装体中,所以芯片(晶圆)需要研磨至更薄。然而,研磨晶圆背面所产生的残余应力会导致晶圆正面收缩,这样可能会引发晶圆弯曲成弧形;此外随着晶圆变薄,其弯曲度也会增加。因此为了保持晶圆平整,首先需要在晶圆背面贴上承载薄膜(Mounting Tape),然后将其固定在环形框架内。最后,去除用于保护晶圆正面器件的背面研磨保护胶带,露出半导体器件,背面研磨工艺即视为完成。 第二步:晶圆切割/分割 晶圆切割是指沿着晶圆上的划片槽(Scribe Lane)2进行切割,直到分离出芯片的工艺,也被称为划片工艺。晶圆切割是芯片封装工艺的必要工序。 图3给出了使用刀片切割法将晶圆分割为芯片的示例。在这种晶圆切割方法中,使用轮状锯片来切割和分离晶圆。这种锯片采用高硬度的金刚石刀头沿着晶圆划片线切割,晶圆格状划片线如图左侧所示。由于锯片旋转时会产生容差3,因此划片线宽度必须超过砂轮厚度。 2 划片槽(Scribe Lane) :从晶圆上切割芯片时,既不影响附近器件,又可满足切片分布所需的足够宽度的空间。 3 容差 :性能差异导致的空间或数字上的误差范围。 ▲图3:通过刀片切割工艺将晶圆切割成芯片(ⓒ HANOL出版社) 刀片切割存在一个问题:由于切割过程中刀片直接接触晶圆,因此当晶圆变得越来越薄时,发生断裂的可能性也随之增加。而另一种晶圆切割方法——激光切割(Laser Dicing),在切割过程中则无需直接接触晶圆,而是在晶圆背面利用激光来完成切割,可非常有效地解决断裂问题。因为激光切割工艺能尽量避免对晶圆表面造成损害,可以保持芯片的坚固性,所以它更适用于切割较薄的晶圆。 随着晶圆厚度越来越小,先切割后研磨(DBG)这一方法从而被提出。DBG在晶圆切割过程中采取了相反的顺序,以减少芯片损坏。传统工艺先对晶圆背面进行研磨,再对晶圆进行切割;而DBG则先对晶圆进行部分切割,再对晶圆背面进行研磨,最后通过承载薄膜扩张法(MTE)4使其被彻底切割。 4 承载薄膜扩张法(MTE) :利用激光进行隐形切割并在晶圆上形成凹槽后,使贴在晶圆上的承载薄膜出现扩张。然后,在相应区域施加作用力,使晶圆分割成芯片。 第三步:芯片贴装 如图4所示,芯片贴装是指从承载薄膜上拾取经过晶圆切割后的芯片,并将其贴装在涂有粘合剂的基板或引线框架上的工艺。 ▲图4:芯片贴装工艺(ⓒ HANOL出版社) 晶圆切割的过程中,需防止已切割的芯片从承载薄膜上脱落;而贴装的过程,则须将芯片从承载薄膜上顺利剥离。如果承载薄膜的黏附力太强,在剥离过程中可能会对芯片造成损坏。因此在晶圆切割过程中需确保粘合剂具有较强的粘合力;而在贴片之前,需用紫外线对晶圆进行照射,以减弱其粘合力,此时,只需从承载薄膜上剥离通过晶圆测试的芯片即可。 剥离出来的芯片必须使用粘合剂重新贴装到基板上,由于粘合剂的类型不同,所需的贴装工艺也有所不同。如果使用液体粘合剂,则必须使用类似于注射器的点液器或通过网板印刷(Stencil Printing)5提前将粘合剂涂在基板上。而固体粘合剂通常做成胶带的形式,也被称为晶片黏结薄膜(Die Attach Film, DAF)或晶圆背面迭片覆膜(WBL),则更适用于堆叠封装。在完成背面研磨后,在承载薄膜和晶圆背面之间粘贴晶片黏结薄膜;切割晶圆时,晶片黏结薄膜也会同时被切割;由于晶片黏结薄膜会连同其粘接的芯片一起脱落,因此可将晶片黏结薄膜粘接到基板上或其他芯片上。 5 网板印刷(Stencil Printing) :一种使用镂空模板将糊状材料涂抹到诸如基板等器件的印刷方法。 第四步:互连 互连是指芯片之间、芯片与基板之间,以及封装体内其它组合间的电气连接。接下来将介绍引线键合及倒片键合(Flip Chip Bonding)这两种互连方式。 ▲图5:引线键合工艺的七个步骤(ⓒ HANOL出版社) 引线键合 引线键合是使用金属线,利用热、压力和振动实现芯片与基板间的电气连接的工艺。金属引线的材质通常为金(Au),因为金具有良好的导电性和延展性。引线键合类似于缝纫,金属引线充当缝线,毛细管劈刀(Capillary)6充当缝针。引线宛如纱线缠绕在线轴并安装到设备上,之后将引线拉出,穿过毛细管劈刀正中央的小孔,在毛细管劈刀末端形成尾线。当采用电子火焰熄灭工艺(EFO)7在引线末端制造出强烈的电火花时,尾线部分将熔化并凝固,在表面张力作用下形成无空气球(FAB,Free Air Ball)。 FAB制作完成后需对其施压,使其粘合至焊盘,即完成一次球键合(Ball Bonding)。毛细管劈刀在基板移动时,引线会像缝线一样被拉出,形成一个引线环。向引线施加力量,将其按压到基板上的电气连接插脚,即金手指(Bond Finger),以此来实现针脚式键合(Stitch Bonding)8。针脚式键合后,向后拉紧引线,形成尾线,最后断开尾线,以完成芯片与基板间连接过程的最后一步。在引线键合过程中,其它芯片焊盘和基板金手指之间同样重复以上过程。 6 毛细管劈刀(Capillary) :引线键合设备中辅助引线连接芯片电极与引线端子的工具。 7 电子火焰熄灭(EFO) :用电火花熔化引线形成无空气球的工艺。 8 针脚式键合(Stitch Bonding) :在半导体封装过程中,通过按压方式将引线键合到焊盘上。 倒片键合和底部填充 倒片键合是通过在芯片顶部形成的凸点来实现芯片与基板间的电气和机械连接。因此,倒片键合的电气性能优于引线键合。倒片键合分为两种类型:批量回流焊工艺(Mass Reflow,MR)和热压缩工艺(Thermo Compression)。批量回流焊工艺通过在高温下熔化接合处的锡球,将芯片与基板连接在一起。而热压缩工艺则通过向接合处施加热量和压力,实现芯片与基板间的连接。 仅仅依靠凸点无法处理芯片和基板之间因热膨胀系数(CTE)9差异所产生的应力,因此需要采用底部填充工艺,使用聚合物填充凸点间隙,以确保焊点可靠性。填充凸点间隙的底部填充工艺主要有两种:一是后填充(Post-Filling),即在倒片键合之后填充材料;二是预填充(Pre-Applied Underfill),即在倒片键合之前填充材料。此外,根据底部填充方法的不同,可将后填充分为毛细管底部填充(Capillary Underfill,CUF)和模塑底部填充(Molded Underfill,MUF)。毛细管底部填充是在倒片键合后,使用毛细管劈刀沿着芯片的侧面注入底部填充材料以填补凸点间隙;而模塑底部填充则是在倒片键合后,将环氧树脂模塑料作为底部充填材料来发挥填充作用。 9 热膨胀系数(CTE) :一种材料性能,用于表示材料在受热情况下膨胀的程度。 第五步:模塑 芯片在完成引线键合或倒片键合后,需进行封装,以保护芯片结构免受外部冲击。此类保护工艺涵盖模塑、密封和焊接,但只有模塑工艺适用于塑料封装。模塑工艺使用环氧树脂模塑料,将热固性树脂(Thermosetting Resin)10与多种无机材料混合,封装在芯片、引线等部件周围进行保护,使这些部件免受外部物理性和化学性损害,并可根据实际需求制作成相应的封装尺寸或形状。 10 热固性树脂(Thermosetting Resin) :一种稳定的聚合物材料,在加热后会发生聚合反应从而硬化并形成聚合物。它主要用于制作环氧树脂模塑料,通过防止热损伤、机械损伤,及腐蚀以保护半导体电路的电子和电气性能。 模塑工艺需在模具中进行。根据传递模塑法(Transfer Molding)的工艺,需要将引线键合连接芯片的基板放置在两个模具上,同时将环氧树脂模塑料片放置在中间,然后施加热量和压力,使固态环氧树脂模塑料熔化为液态,流入模具并填充间隙。但使用传递模塑法工艺也面临一些问题,随着芯片与封装顶部之间的空隙不断变小,使用环氧树脂模塑料等液体很难完成填充;此外,随着基板尺寸越来越大,模具尺寸也需相应加大,同样也加大了使用环氧树脂模塑料填充间隙的难度。 近年来,传递模塑法工艺已达到极致。随着封装内堆叠的芯片数量不断增加,封装厚度逐渐变薄,芯片与封装顶部之间的空隙持续缩小。为了降低制造成本,芯片被大批量加工,基板的尺寸也在不断增大。因此,压缩模塑法(Compression Molding)成为了填充小空隙的解决方案。在压缩模塑法的工艺中,模具中会预先填充环氧树脂模塑料粉末,基板放入模具中后,随后施加热量和压力,模具中填充的环氧树脂模塑料粉末会液化并最终成型。在这种情况下,环氧树脂模塑料会即刻熔化为液体,无需流动便可填充间隙,因此成为了填充芯片与封装顶部之间小空隙的理想选择。 第六步:打标 打标(Marking)是指在半导体封装表面刻印产品信息的工艺,包括半导体类型、制造商,以及客户要求的图案、符号、数字或字母等。这在封装后的半导体产品出现故障时尤为重要,因为标记有助于追踪产品故障原因等。打标既可以使用激光灼烧环氧树脂模塑料等材料来进行刻印,也可以使用油墨压印。 对于塑料封装,必须在封装表面刻印所需信息之前进行模塑。由于激光打标只是简单的刻印行为,所以黑色环氧树脂模塑料通常会作为首选,因为它可以增加标记的易读性。考虑到刻印字符或符号不易着色,因此,在黑色背景上刻印会使标记更加明显。接下来两个步骤是基板封装的最后阶段,也是基板封装和引线框架封装工艺之间的区别所在。 第七步:植球 基板封装中的锡球不仅可以作为封装体和外部电路之间的电气通路,还可提供机械连接。植球工艺是将锡球粘合至基板焊盘的过程。在该工艺的第一步,将助焊剂(Flux)11涂抹在焊盘上,并将锡球放置在焊盘上。然后通过回流焊工艺熔化并粘合锡球,之后清洗并去除助焊剂。助焊剂的作用是在回流焊过程中清除锡球表面杂质和氧化物,使锡球均匀熔化,形成洁净表面。锡球熔化后便会流入基板上覆盖的网板,即可填充网板上的每个孔隙。最后,将基板和网板分离,但因助焊剂具有黏附力,锡球仍然会留在基板上。由于焊盘上预先涂抹了助焊剂,因此锡球会暂时粘合并附着在焊盘上。 11 助焊剂(Flux) :一种有助锡球附着在铜表面的水溶性和油溶性溶剂。 ▲图6:回流焊工艺的温度曲线(ⓒ HANOL出版社) 通过回流焊工艺,在助焊剂的作用下附着于基板焊盘上锡球会熔化。图6显示了回流焊工艺的温度曲线。在锡球达到熔化温度之前,助焊剂会在吸热区(Soak Zone)被激活,以清除锡球表面氧化物和杂质。当温度高于熔化温度时,锡球会熔化并粘合在焊盘上,但熔化后的锡球不会完全流走。相反,它们会在表面张力的作用下,在除了其与焊盘粘合在一起的金属部分以外的所有区域,形成一个球形。随着温度逐渐下降,锡球会保持其形状并再次凝固。 第八步:切单 切单(Singulation)是基板封装工艺的最后一道工序。即使用刀片将成品基板切割为单独的封装。切单完成后,将封装放在托盘上进行测试,并完成其余步骤。 传统封装工艺组装涉及的各个步骤彰显了精准对齐、最佳电气连接、坚固保护措施以防止外部损坏等要素,这些步骤在封装流程中都是不可或缺的。 来源:skhynix
  • 2024-1-5 17:23
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    本篇文章将侧重介绍不同晶圆级封装方法所涉及的各项工艺。晶圆级封装可分为扇入型晶圆级芯片封装(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圆级芯片封装(Fan-Out WLCSP)、重新分配层(RDL)封装、倒片(Flip Chip)封装、及硅通孔(TSV)封装。此外,本文还将介绍应用于这些晶圆级封装的各项工艺,包括光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺和湿法(Wet)工艺。 扇入型晶圆级芯片封装工艺 在扇入型晶圆级芯片封装中,合格晶圆首先将进入封装生产线。通过溅射工艺在晶圆表面制备一层金属膜,并在金属膜上涂覆一层较厚的光刻胶,光刻胶厚度需超过用于封装的金属引线。通过光刻工艺在光刻胶上绘制电路图案,再利用铜电镀工艺在曝光区域形成金属引线。随后去除光刻胶,并利用化学刻蚀(Chemical Etching)工艺去除多余的薄金属膜,然后在晶圆表面制备绝缘层(Dielectric Layer),并利用光刻工艺去除锡球(Solder Ball)放置区域的绝缘层。因此,绝缘层也被称为“阻焊层”(Solder Resist),它是晶圆级芯片封装中的钝化层(Passivation Layer),即最后的保护层,用于区分锡球放置区域。如没有钝化层,采用回流焊(Reflow Soldering)等工艺时,附着在金属层上的锡球会持续融化,无法保持球状。 利用光刻工艺在绝缘层上绘制电路图案后,再通过植球工艺使锡球附着于绝缘层。植球安装完成后,封装流程也随之结束。对封装完成的整片晶圆进行切割后,即可获得多个独立的扇入型晶圆级芯片封装体。 锡球植球工艺 ▲图1:晶圆级回流焊设备平面图(ⓒ HANOL出版社) 在植球过程中,需要将锡球附着到晶圆级芯片封装体上。传统封装工艺与晶圆级封装工艺的关键区别在于,前者将锡球放置在基板上,而后者将锡球放置在晶圆顶部。因此,除了用于涂敷助焊剂和植球的模板需在尺寸上与晶圆保持一致之外,助焊剂涂敷、植球工艺、回流焊工艺都遵循相同步骤。 此外,回流焊设备采用基于发热板的回流焊方式,如图1所示,而不是涉及运送器的对流热风回流焊方式(Convection Reflow)。晶圆级回流焊设备在不同的加工阶段会对晶圆施加不同温度,以便保持回流焊操作所需温度条件,确保封装工艺流程能够顺利进行。 倒片封装凸点工艺 倒片封装体中凸点(Bump)是基于晶圆级工艺而完成的,而后续工序则与传统封装工艺相同。 ▲图2:倒片封装工艺概览 ▲图3:倒片封装凸点制作工序 由于要确保凸点拥有足够的高度,因此需选用能在晶圆上厚涂的光刻胶。铜柱凸块(CPB)1需要先后经历铜电镀和焊料电镀两道工序后形成,所使用的焊料通常为不含铅的锡银合金。电镀完成后,光刻胶随即被去除,并采用金属刻蚀工艺去除溅射而成的凸点下金属层(UBM)2,随后通过晶圆级回流焊设备将这些凸点制成球形。这里采用的焊接凸点回流焊工艺可以最大限度减少各凸点的高度差,降低焊接凸点表面的粗糙度,同时去除焊料中自带的氧化物,进而保障在倒片键合过程中增加键合强度。 1 铜柱凸块(CPB) :用于倒片键合的凸点结构,旨在减少凸点间距。铜作为材料,被用于制作铜柱来承上方凸点。 2 凸点下金属层(UBM) :在倒片凸点下方形成的金属层。 重新分配层封装工艺 ▲图4:重新分配层封装工艺概览 ▲图5:重新分配层形成工序 利用重新分配层封装工艺,在晶圆原本焊盘上形成新焊盘,以承载额外的金属引线,此种工艺主要用于芯片堆叠。因此,如图4所示,重新分配层工序之后的封装工序遵循传统封装工序。在芯片堆叠过程中,每个单独芯片都需重复进行芯片贴装和引线键合这两道工序。 在重新分配层工艺中,首先通过溅射工艺创建一层金属薄膜,之后在金属薄膜上涂覆厚层光刻胶。随后利用光刻工艺绘制电路图案,在电路图案的曝光区域电镀金层,以形成金属引线。由于重新分配工艺本身就是重建焊盘的工艺,因此确保引线键合强度是十分重要的。这也正是被广泛用于引线键合的材料—金,被用于电镀的原因。 扇出型晶圆级芯片封装工艺 在扇出型晶圆级芯片封装工艺中,首先需要在等同于晶圆形状的载片上贴附一层薄膜。切割晶圆后,再按照一定间距将优质芯片贴在薄膜上,接下来对芯片间隔区域进行模塑,以形成新形状。晶圆模塑完成后,载片和薄膜将被移除。随后在新形成的晶圆上,利用晶圆设备创建金属导线,并附着锡球以便封装。最后,将晶圆切割成多个独立封装体。 晶圆模塑 制作扇出型晶圆级芯片封装体时,晶圆模塑是一项重要工序。对于扇出型晶圆级芯片封装件而言,晶圆塑膜需先在芯片上贴附同样形状的晶圆载片,而后将其放置到模塑框架中。将液状、粉状或颗粒状的环氧树脂模塑料(EMC)3加入到模塑框架内,对其进行加压和加热处理来塑膜成型。晶圆模塑不仅是扇出型晶圆级芯片封装工艺的重要工序,对于利用硅通孔(TSV)工艺制作已知合格堆叠芯片(KGSD)4也是无可或缺的工序。本篇文章的后续内容,将对此展开更详细的探讨。 3 环氧树脂模塑料(EMC) :一种基于环氧树脂或热固性聚合物的散热材料。这种材料可用于密封半导体芯片,以避免芯片受到外部环境因素影响,如高温、潮湿、震动等。 4 已知合格堆叠芯片(KGSD) :经过测试确认质量良好的由堆叠芯片组成的产品,最好的例子就是 HBM。 硅通孔封装工艺 图6展示了采用中通孔(Via-middle)5方法的硅通孔封装工艺步骤。首先在晶圆制造过程中形成通孔。随后在封装过程中,于晶圆正面形成焊接凸点。之后将晶圆贴附在晶圆载片上并进行背面研磨,在晶圆背面形成凸点后,将晶圆切割成独立芯片单元,并进行堆叠。 5 中通孔(Via Middle) :一种硅通孔工艺方法,在互补金属氧化物半导体形成后及金属层形成之前开展的工序。 接下来,将简单概括中通孔的基本工序。首先在前道工序(Front-end of Line)中,在晶圆上制作晶体管,如互补金属氧化物半导体等。随后使用硬掩模(Hard Mask)6在硅通孔形成区域绘制电路图案。之后利用干刻蚀(Dry Etching)工艺去除未覆盖硬掩膜的区域,形成深槽。再利用化学气相沉积工艺(Chemical Vapor Deposition)制备绝缘膜,如氧化物等。这层绝缘膜将用于隔绝填入槽中的铜等金属物质,防止硅片被金属物质污染。此外绝缘层上还将制备一层金属薄层作为屏障。 6 硬掩膜(Hard Mask) :一种由硬质材料而非软质材料制成的薄膜,用于绘制更为精细的电路图案。硬掩膜本身对光线并不敏感,所以需使用光刻胶才能进一步绘制电路图案,以最终实施刻蚀工艺。 此金属薄层将被用于电镀铜层。电镀完成后,采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)技术使晶圆表面保持平滑,同时清除其表面铜基材,确保铜基材只留在沟槽中。然后通过后道工序(Back-end of Line)完成晶圆制造。 ▲图6:硅通孔封装工序(ⓒ HANOL出版社) 使用硅通孔技术制造芯片堆叠封装体时,一般可采用两种类型的封装方法。第一种方法是利用3D芯片堆叠技术的基板封装。第二种方法则需创建KGSD,然后基于KGSD来制作2.5D或3D封装。下文将详细介绍如何创建KGSD,以及如何基于KGSD来制作2.5D封装的过程。 作为利用硅通孔技术制作而成的芯片堆叠封装体,制作KGSD必需经历额外封装工艺,如2.5D封装、3D封装以及扇出型晶圆级芯片封装等,高带宽存储器(HBM)就是KGSD产品的一个典型例子。由于KGSD需经历额外封装工艺,其作为连接引脚的焊接凸点需要比传统锡球更加精细。因此3D封装体中芯片堆叠在基板上,而KGSD中的芯片则堆叠于晶圆上方,晶圆也可以视为KGSD的最底层芯片。就HBM而言,位于最底层的芯片被称为基础芯片或基础晶圆,而位于其上方的芯片则被称为核心芯片。 此方法工序如下:首先,通过倒片工艺在基础晶圆和核心晶圆的正面制作凸点。在制作2.5D封装体时,基底晶圆需要排列凸点,使之能够附着到中介层(Interposer);相反,核心晶圆上的凸点布局则是有助于晶圆正面的芯片堆叠。在晶圆正面形成凸点后,应减薄晶圆,同时也需在晶圆背面形成凸点。然而,正如前文在介绍背面研磨工艺时所述,需注意在减薄过程中导致晶圆弯曲。在传统封装工艺中,进行减薄之前,可将晶圆贴附到贴片环架上,以防止晶圆弯曲,但在硅通孔封装工艺中,由于凸点形成于晶圆背面,所以这种保护方法并不适用。为解决此问题,晶圆承载系统(Wafer Support System)应运而生。利用晶圆承载系统,可借助临时粘合剂将带有凸点的晶圆正面贴附于晶圆载片上,同时对晶圆背面进行减薄处理。此时晶圆贴附于晶圆载片上,即使经过减薄也不会发生弯曲。 此外,因晶圆载片与晶圆形式相同,因此也可使用晶圆设备对其进行加工。基于此原理,可在核心晶圆的背面制作凸点,当核心晶圆正面及背面上的凸点均制作完成时,便可对载片进行脱粘。随后将晶圆贴附于贴片环架中,并参照传统封装工艺,对晶圆进行切割。基础晶圆始终贴附于晶圆载片上,从核心晶圆上切割下来的芯片则堆叠于基础晶圆之上。芯片堆叠完成后,再对基础晶圆进行模塑,而后进行晶圆载片脱粘。至此,基础晶圆就变成了堆叠有核心晶圆的模制晶圆。随后对晶圆进行研磨,使其厚度达到制作2.5D封装体所需标准,然后再将其切割成独立的芯片单元,以制作KGSD。HBM成品包装后将运送至制作2.5D封装体的客户手中。 晶圆承载系统工艺 晶圆承载系统是指针对晶圆背面减薄进行进一步加工的系统,该工艺一般在背面研磨前使用。晶圆承载系统工序涉及两个步骤:首先是载片键合,需将被用于硅通孔封装的晶圆贴附于载片上;其次是载片脱粘,即在如晶圆背面凸点制作等流程完工后,将载片分离。 图7展示了晶圆承载系统的工艺步骤。首先在晶圆表面涂覆临时粘合剂,使其贴附于载片上;待晶圆背面的加工工序完成后,即可对载片进行脱粘,并去除残留粘合剂,以确保晶圆表面清洁。 ▲图7:晶圆承载系统工序 进行载片键合时,需要注意几个因素:首先,载片键合后的晶圆整体厚度应均匀一致;其次,键合面不应存在空隙,两片晶圆对齐应准确无误;此外还应确保晶圆边缘不受到粘合剂污染,且在处理过程中应尽量避免晶圆发生弯曲。在载片脱粘过程中,还应注意:避免晶圆脱离载片后发生损坏,如边缘剥落(Chipping)7或出现裂纹等;避免粘合剂残留;避免凸点变形。 7 边缘剥落(Chipping) :芯片或晶圆边角损坏。 在基于晶圆承载系统的封装工艺中,载片脱粘是一个相对复杂且重要的工序。因此,业界已经提出并研发多种脱粘方法,并针对每一种脱粘方法开发出相应的临时粘合剂。典型的脱粘方法包括热技术、激光烧蚀(Laser Ablation)后剥离、化学溶解、机器剥离后化学清洗等。 晶圆边缘切筋工艺 ▲图8:未切筋(上图)与切筋后(下图)的晶圆边缘对比图 如图8上半部分红圈内区域所示,将采用硅通孔工艺封装的晶圆键合到晶圆载片上,经过背面研磨后,其边缘会变得较为尖锐。此种状态下,晶圆后续还将经历光刻、金属薄膜制备、电镀以在背面制作凸点等工序,这些工序会增加晶圆边缘剥落的风险。边缘裂纹可能会延伸至晶圆内部,进而导致后续工序无法进行,最终造成严重的良品损失。为避免此问题,对于采用硅通孔工艺封装的晶圆,在其进行载片键合前,应先对晶圆正面边缘进行切筋并去除修剪部分。如图8下半部分区域所示,将切筋后的晶圆贴附于晶圆载片并对其进行背面研磨时,锋利而凸起的边缘已消失。因此,在后续工序中,晶圆边缘剥落的风险也被消除。在切筋过程中,旋转的晶圆切割刀片穿过晶圆边缘,将指定的边缘区域切除。 堆叠工艺 硅通孔封装工艺中,在晶圆正面和背面形成的凸点均用于键合,以便堆叠。同样地,在倒片键合时,批量回流焊(Mass Reflow)工艺8和热压缩(Thermocompression)工艺9也用于键合。根据堆叠方式的不同,堆叠工艺可分为芯片与芯片(Chip-to-Chip)堆叠、芯片与晶圆(Chip-to-Wafer)堆叠、晶圆与晶圆(Wafer-to-Wafer)堆叠。 8 批量回流焊工艺(Mass Reflow) :将多个器件按陈列连接到基板上,然后在烤箱等中一起加热,以熔化焊料使之形成互联的工艺。因一次性处理多个器件,所以在这个术语中使用了“批量”这一词。 9 热压缩工艺(Thermocompression) :对物体进行加热和加压处理,使其进行键合的一种工艺。 使用硅通孔工艺堆叠芯片时,需使用微型凸点。因此,凸点之间的间距很小,堆叠芯片之间的间距也很小,这就是以可靠性著称的热压缩工艺因被广泛使用的原因。然而,热压缩工艺也存在缺点,那就是耗时长,生产率底,因为在键合过程中必然会耗时去加热加压。因此热压缩工艺逐渐被批量回流焊工艺取代的趋势日益明显。 来源:skhynix
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    2023-12-18 20:40
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    包含了我们平时常用的2.0间距的排针,排母,贴片的插件的都有,总共100种封装及精美3D模型。完全能满足日常设计使用。每个封装都搭配了精美的3D模型哦。 2.0排针排母是一种电子连接器,通常用于电路板上的电子元件之间的连接。它由一排金属针脚和与之对应的金属插座组成。这些针脚和插座通过插拔的方式进行连接,实现电路信号的传输和电源的供应。2.0排针排母的名称中的“2.0”代表了其针脚的间距,通常为2.0毫米。这种间距适中,可以满足大多数电子设备的连接需求。排针和排母通常由导电性能良好的金属材料制成,如铜或黄铜,以确保稳定的电信号传输和电源供应。2.0排针排母具有简单易用、可靠性高的特点。它们可以在电子设备制造过程中方便地焊接到电路板上,形成稳固的连接。它们还可以通过配对使用,连接不同的电子模块,实现信号的传输和电源的供应。由于其优良的导电性能和可靠性,2.0排针排母广泛应用于计算机、通信设备、消费电子产品等领域。2.0排针排母还具有一定的可扩展性和适应性。根据不同的需求,可以选择不同数量的针脚和插座,以满足连接的要求。此外,它们还可以与其他类型的连接器配合使用,如插头、插座等,实现更复杂的连接方式。总之,2.0排针排母是一种常见且常用的电子连接器,它通过金属针脚和插座的连接,实现电路信号的传输和电源的供应。它具有简单易用、可靠性高的特点,广泛应用于各种电子设备中。随着科技的不断发展,2.0排针排母也在不断创新和进化,以满足不断变化的电子连接需求。 封装下载链接!
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    2023-11-19 07:52
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    包含了我们平时常用的芯片IC封装,包含SOP,SOIC,SSOP,TSSOP,SOT,总共 171种 封装及精美3D模型。完全能满足日常设计使用。每个封装都搭配了精美的3D模型哦。 ❖ TSSOP和SSOP 均为SOP衍生出来的封装。TSSOP的中文解释为:薄的缩小型 SOP封装。SSOP的中文解释为:缩小型 SOP封装。所以,TSSOP和SSOP这两种封装的差别就是带T (THIN:扁平)的比SSOP要更薄。SSOP和TSSOP比SOP薄,引脚更密,相同功能的话封装尺寸更小。 ❖ SOP (Small Outline Package):pin脚间距:1.27mm,正常的贴片厚度和脚的间距,小外形封装。在EIAJ 标准中,针脚间距为1.27mm (50mil)的此类封装被称为“SOP”。请注意,JEDEC 标准中所称的“SOP”具有不同的宽度。 ❖SSO P(Shrink Small Outline Package): pin脚间距:0.635mm(25mil), 缩小外形封装,厚度正常,脚是密脚的。 ❖ TSOP (Thin Small Outline Package):pin脚间距:1.27mm(50mil),薄小外形封装,薄体的脚,间距正常的。 ❖ TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package),pin脚间距:0.65mm(26mil),薄的缩小外形封装,薄体的脚是密脚的。 下载链接!
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    时间: 2024-2-28 09:38
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:FDC6312P-VB-丝印:VB4290-品牌:VBsemi-参数: -2个P沟道 -工作电压:-20V -工作电流:-4A -导通电阻:75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V -门源极电压范围:12Vgs(±V) -阈值电压范围:-1.2~-2.2Vth(V) -封装:SOT23-6应用简介:这款FDC6312P-VB型号的晶体管适用于需要P沟道的场合,可以用于各种需要控制电流和电压的应用。其主要应用领域包括但不限于以下几个方面:1.电源管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于设备电源管理模块,主要用于控制电源开关和稳定输出电压。通过控制门源极电压和阈值电压,可以实现电源的开关控制和调节输出电压。2.电机驱动模块:FDC6312P-VB晶体管具有较低的导通电阻和较高的工作电流能力,适用于各种需要高效、稳定驱动电机的场合。可以用于电动工具、汽车电动座椅、航模、无人机等应用中的电机驱动模块。3.电池管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于电池充放电管理模块,通过控制电流和电压,保护电池的充电和放电过程。同时,其小尺寸的封装可以满足电池管理模块对于体积的要求。4.其他模块:FDC6312P-VB晶体管还可以用于其他需要控制电流和电压的模块,比如LED照明模块、电子设备的开关控制模块等。总之,FDC6312P-VB晶体管适用于各种需要P沟道的控制电流和电压的应用场合,广泛应用于电源管理模块、电机驱动模块、电池管理模块等领域模块上。型号:SI4848DY-T1-E3-VB丝印:VBA1158N品牌:VBsemi参数:N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8详细参数说明:-沟道类型:N沟道-最大电压:150V-最大电流:5.4A-开态电阻:80mΩ@10V;85mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:2Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻,能够在较低的电压下提供低电压降,具备较低的损耗和高效率。这款产品可以广泛应用于以下领域模块:1.电源模块:由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性,适用于电源模块中的开关电路和功率开关。2.电机控制模块:该器件能够提供高功率输出和低能耗,适用于电机控制模块中的开关电路,如直流电机驱动器和步进电机控制器等。3.照明模块:SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路,实现灯光的开关和亮度控制。4.电源逆变器:该产品可以用于逆变器模块中的开关电路,将直流电源转换为交流电源,如太阳能逆变器和电动车驱动器等。总之,SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块,如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降,能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。
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    时间: 2024-2-28 09:40
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:型号:AM4599C-T1-PF-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-最大工作电压:±60V-最大工作电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-RDS(ON):28mΩ(正向,10V),51mΩ(反向,10V),34mΩ(正向,4.5V),60mΩ(反向,4.5V)-门源电压:±20Vgs-临界电压:±1.9Vth-封装类型:SOP8应用简介:该型号的AM4599C-T1-PF-VB晶体管适用于以下领域模块:1.电源模块:由于该型号具有较高的工作电压和电流能力,可用于电源模块中提供必要的电流和电压。2.汽车电子模块:由于其较高的电压和电流特性,适用于汽车电子模块中,如驱动电机、控制器等。3.工业自动化模块:适用于工业控制和自动化设备中,如机器人、PLC等。4.通信设备模块:适用于通信设备中的功率放大器、开关等模块。5.LED照明模块:适用于LED照明驱动模块,提供所需的电流和电压。总结:AM4599C-T1-PF-VB是一个N+P沟道、具有高电压和电流能力的晶体管,在电源、汽车电子、工业自动化、通信设备和LED照明等领域模块中有广泛的应用。
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    时间: 2024-2-28 09:45
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    上传者: VBsemi
    型号:AO4826-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-额定电流:6A-开通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压:1.5Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:AO4826-VB是一款具有两个N沟道,电压和电流额定值较高的MOSFET器件。其具有低开通电阻和低阈值电压,适用于需要高电流驱动的应用。该器件封装为SOP8,便于安装和布局。该产品可用于各种领域的模块,常见的应用包括:1.电源模块:AO4826-VB适用于低压电源模块,可用于开关电源和直流-直流(DC-DC)转换器。其低开通电阻和高电流特性使其能够提供高效的功率传输和稳定的电源输出。2.电机驱动:该器件也常用于电机驱动模块中,例如直流电机控制器、步进电机控制器等。其高电压和电流额定值以及低开通电阻特性能够提供强大的驱动能力,适用于各种类型的电机。3.LED照明:AO4826-VB可用于LED驱动模块,提供高效的电流控制和调光功能。其低开通电阻可以减少功率损耗,提高整体效率。总结:AO4826-VB是一款适用于高电压和电流应用的MOSFET器件,可广泛应用于电源模块、电机驱动模块和LED照明等领域的模块中。
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    时间: 2024-2-28 09:41
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    上传者: VBsemi
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    时间: 2024-2-28 09:37
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    上传者: VBsemi
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    上传者: VBsemi
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    上传者: VBsemi
    型号:AP4407GM-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数说明:1.P沟道2.最大承受电压:-30V3.最大工作电流:-11A4.开阻抗:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压:20Vgs(±V)6.阈值电压:-1.42Vth(V)7.封装:SOP8应用简介:AP4407GM-VB是一款适用于P沟道的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备的功率开关和驱动控制电路中。其优异的特性使其可在低电压和大电流的环境下稳定工作,并能提供低导通电阻。产品应用领域:AP4407GM-VB常被应用在以下领域的模块上:1.电源模块:用于电源开关控制和功率变换。2.车载电子:用于车辆电子系统的功率开关和电机控制。3.工业自动化:用于工控设备和传感器的驱动控制。4.照明领域:用于LED照明驱动器和照明系统的控制。5.通信模块:用于通信设备的电源开关和功率控制。总之,AP4407GM-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的电子设备模块中,常用于功率开关和驱动控制电路。
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    时间: 2024-2-28 09:30
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    上传者: VBsemi
    型号:FDS4435A-NL-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻: -RDS(ON):23mΩ@10V -RDS(ON):29mΩ@4.5V -RDS(ON):66mΩ@2.5V-门源极电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.37Vth(V)-封装类型:SOP8详细参数说明:FDS4435A-NL-VB是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其电气参数为额定电压为-30V,额定电流为-7A。其导通电阻RDS(ON)在不同的电压下有不同的取值,如在10V时为23mΩ,在4.5V时为29mΩ,在2.5V时为66mΩ。其最大允许的门源极电压为20Vgs,阈值电压为-1.37Vth(V)。该器件采用SOP8封装。应用简介:FDS4435A-NL-VB常被广泛应用于各种电路模块中,如电源管理,电池充放电控制,开关电源等。产品应用领域:FDS4435A-NL-VB适用于以下领域的模块:1.电源管理:可用于电源开关模块、直流-直流(DC-DC)转换器、逆变器等。2.电池充放电控制:可应用于锂电池充电管理、电池保护、电池充电器等领域的模块。3.开关电源:可用于开关电源的开关组件、逆变器等。4.其他领域:该器件还可应用于电机驱动、照明控制等领域的模块。总之,FDS4435A-NL-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高性能特性,常被广泛应用于电源管理、电池充放电控制、开关电源等领域的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:35
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:STD35P6LLF6-VB-丝印:VBE2625-品牌:VBsemi-功能:P沟道功率MOSFET-最大工作电压:-60V-最大工作电流:-50A-开启电阻(RDS(ON)):20mΩ@10V、25mΩ@4.5V、20Vgs-阈值电压:-1.76Vth(V)-封装:TO252应用简介:这种型号的P沟道功率MOSFET广泛应用于以下领域的模块中:1.电源供应模块:由于其较大的工作电压和电流能力,该MOSFET可用于电源供应模块,以控制电流和达到稳定的电压输出。2.电动工具:由于其高效能和低开启电阻,该MOSFET能够在电动工具中实现高速开关控制,提高工具的效率和性能。3.汽车电子:该MOSFET可用于汽车电子模块中,如电动车辆的电动驱动模块,以实现高效能的电能转换和驱动电动机。4.工业自动化:在工厂自动化系统中,该MOSFET可用于控制电机和其他高功率装置,以实现高效能、高精度的控制。5.LED照明:由于其低开启电阻和高工作电流能力,该MOSFET可用于LED照明模块中,以调节和控制LED的亮度和电流。6.其他领域模块:除以上领域外,该MOSFET还可应用于各种需求较大功率和控制的电子模块,如家用电器、医疗设备等。综上所述,STD35P6LLF6-VB型号的P沟道功率MOSFET主要用于电源供应模块、电动工具、汽车电子、工业自动化、LED照明以及其他需要较大功率和控制的领域模块中。
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    时间: 2024-2-28 09:32
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:型号:RSQ045N03TR-VB丝印:VB7322品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:30V-额定电流:6A-开态电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门压(Vgs):20Vgs(±V)-阈值电压(Vth):1.2Vth(V)-封装:SOT23-6应用简介:该型号的RSQ045N03TR-VB是一种N沟道MOSFET器件,主要用于在各种电子设备中进行开关控制。它具有较低的开态电阻和高的额定电流,适用于许多领域的模块。应用领域:1.电源和逆变器模块:RSQ045N03TR-VB可用于电源和逆变器模块中,实现高效的电能转换和电压调节功能。2.工业自动化领域:该器件可用于工业自动化设备中的电流控制和电流保护功能,提高系统的稳定性和可靠性。3.汽车电子控制模块:RSQ045N03TR-VB适用于汽车电子控制模块,如发动机控制单元、车身控制模块等,实现精确的汽车电子控制。4.照明和照明控制模块:该MOSFET器件可用于照明和照明控制模块,如LED驱动器和照明开关,提供高效和可靠的照明控制。5.其他领域模块:RSQ045N03TR-VB还可应用于其它领域的模块,如电机驱动、电源管理、无线通信等,为这些模块提供高效的开关功能。总结:RSQ045N03TR-VB是一种N沟道MOSFET器件,适用于多种领域的模块,包括电源和逆变器模块、工业自动化领域、汽车电子控制模块、照明和照明控制模块以及其他领域的模块。由于其具有较低的开态电阻和高的额定电流等特点,可提供高效的开关控制功能。
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    时间: 2024-2-28 09:42
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    上传者: VBsemi
    型号:SI2309DS-T1-GE3-VB丝印:VB2658品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-5.2A-开通电阻:40mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源极电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-2Vth(V)-封装类型:SOT23应用简介:SI2309DS-T1-GE3-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种领域的应用。它具有较高的额定电压和额定电流,能够提供可靠的功率放大和开关控制。其低开通电阻,在低电压下能够提供较低的功耗,同时保持较低的温升。这些产品适用于以下领域模块:1.电源模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电源模块中的开关电源,为电子设备提供稳定和高效的电源转换。2.电机驱动模块:由于SI2309DS-T1-GE3-VB具有较高的额定电流和低的开通电阻,它可以用于电机驱动模块中,实现电机的高效、精确控制。3.照明模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于LED照明模块中的开关电源,提供稳定和可靠的电源供应,以实现高亮度和节能的照明效果。4.电池管理模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电池管理模块中的电源开关和电流控制,以保护电池并提供高效的充放电控制。总结而言,SI2309DS-T1-GE3-VB适用于各种领域模块,包括电源模块、电机驱动模块、照明模块和电池管理模块等,用于功率放大、开关控制和电源转换等应用。
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    时间: 2024-2-28 09:33
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    上传者: VBsemi
    型号:AP9435K-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi详细参数说明:1.P沟道2.最大耐压:-40V3.最大工作电流:-6A4.开导电阻(RDS(ON)):42mΩ@10V,49mΩ@4.5V5.最大门源电压(20Vgs)6.临界电压(Vth):-0.83V7.封装类型:SOT223应用简介:AP9435K-VB是一款P沟道功率场效应晶体管(FET)。它具有高耐压和低导通电阻特性,适用于需要控制高电流和电压要求的应用场景。该产品主要用于:1.电源模块:由于其能够控制较高的电流和电压,AP9435K-VB常用于电源模块中,用于稳定和调整电源输出。2.驱动模块:AP9435K-VB可以应用于各种驱动模块,例如电机驱动器、LED驱动器等,以实现有效的电流控制和输出。3.逆变器模块:在逆变器模块中,AP9435K-VB可用于将直流电转换为交流电,并用于太阳能逆变器、UPS系统等应用中。4.照明模块:由于其高电流和高耐压特性,AP9435K-VB可用于照明模块中,例如LED照明驱动器等。总之,AP9435K-VB适用于需要控制高电流和高电压的电源、驱动、逆变器和照明模块等应用领域。
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    时间: 2024-2-28 09:36
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    上传者: VBsemi
    型号:NTD20N06LT4G-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:45A-导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-硅极电压:20Vgs(±V)-门槽电压:1.8Vth(V)-封装类型:TO252详细参数说明:NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其丝印为VBE1638,由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数:1.高额定电压(60V)和大额定电流(45A),适合处理高功率电路;2.导通电阻低,具有优秀的导通性能(24mΩ@10V,28mΩ@4.5V),可以降低功率损耗;3.20V的硅极电压(20Vgs),以及1.8V的门槽电压(1.8Vth(V)),提供灵活的驱动和控制能力;4.封装为TO252,易于焊接和安装。应用简介:NTD20N06LT4G-VBMOSFET通常用于以下领域模块:-电源模块:由于其高额定电压和大额定电流,可广泛应用于电源模块中,用于稳定和分配电流;-电机驱动:该器件的低导通电阻和高功率特性,使其成为电机驱动模块的理想选择,可以提供高效率和高输出功率;-电子设备:由于其灵活的驱动和控制能力,NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备,如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。总之,NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件,适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:52
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    上传者: VBsemi
    丝印:VB2355品牌:VBsemi型号:SPP3407DS23RGB-VB参数说明:-电源电压(Vds):-30V-电流(Id):-5.6A-开关电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-硅门压(Vgs(±V)):20V-硅门阈值电压(Vth):-1V-封装类型:SOT23应用简介:SPP3407DS23RGB-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。它具有低电阻、高电流处理能力,适用于各种需要进行开关控制或功率放大的应用。该产品主要应用于以下领域模块:1.电源模块:由于SPP3407DS23RGB-VB能够承受高电流和电压,因此非常适用于电源模块中的开关电路和功率放大电路。2.电调模块:对于需要对电机进行控制的设备,如电调模块,SPP3407DS23RGB-VB能够提供高效的电源开关和驱动功能。3.车载电子模块:由于其小巧的封装和高电流处理能力,SPP3407DS23RGB-VB可用于车载电子模块中的驱动器和电源开关。4.工业自动化模块:在工业自动化和控制系统中,SPP3407DS23RGB-VB可以用作各种开关和放大电路的关键元件。总之,SPP3407DS23RGB-VB是一款高性能P沟道MOSFET器件,适用于各种需要进行高电流、高电压开关控制或功率放大的领域模块。
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    时间: 2024-2-28 09:48
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    上传者: VBsemi
    型号:PMN50XP-VB丝印:VB8338品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-4.8A-开启电阻:RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门极电压范围:20Vgs(±V)-阈值电压范围:-1~-3Vth(V)-封装类型:SOT23-6应用简介:该型号的PMN50XP-VBP沟道功率MOSFET适用于各种领域的电路和模块设计,可以应用于需要高性能功率开关和电源控制的应用中。该器件的特性包括工作电压高,电流能力大,开启电阻低等,使其适用于以下领域模块:1.DC/DC转换器:用于电源管理系统,提供高效率的电力转换;2.电机驱动:用于控制电机速度和方向的模块,可以应用于工业自动化、家电等领域;3.逆变器:用于将直流电转换为交流电的模块,广泛应用于太阳能发电、电动车、UPS等领域;4.开关电源:用于稳定输出电压和电流的电源模块,适用于计算机、通信设备等领域。
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    时间: 2024-2-28 09:49
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    上传者: VBsemi
    型号:SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印:VBC6P3033品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.2A-导通电阻:33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源极电压范围:±20V-阈值电压:1~3V-封装类型:TSSOP8应用简介:SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压,使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。具体应用领域模块如下:1.电源模块:SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关,用于控制电源的开关和调节功率的大小。2.电动工具模块:在电动工具中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动工具的功率输出和运行状态。3.LED照明模块:SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器,控制LED的亮度和开关。4.电动车辆模块:在电动车辆中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动车辆的动力输出和控制。5.手持设备模块:在手持设备中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块,控制电池的供电和功耗管理。总之,SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中,特别适用于低电压和高电流条件下的模块。
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    时间: 2024-2-28 09:51
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    上传者: VBsemi
    型号:SI9435BDY-T1-E3-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-6A-导通电阻:40mΩ(在10V下)-导通电阻:54mΩ(在4.5V下)-门源电压:±20V-阈值电压:-1.5V-封装:SOP8详细参数说明:SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于负责在特定应用中控制电流的关键元件。该器件的工作电压范围为-30V,工作电流可达-6A。在10V下,其导通电阻为40mΩ;在4.5V下,其导通电阻为54mΩ。门源电压范围为±20V,阈值电压为-1.5V。器件封装为SOP8。应用简介:SI9435BDY-T1-E3-VB常用于各种电子设备和模块中的开关电路、功率放大电路等场合,以实现对电流的精确控制。该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于要求高效能和响应速度的应用场景。其主要应用领域包括但不限于:1.电源管理:该MOSFET可用于电力转换、开关模式电源和电源控制器中的功率开关电路。2.电子调光:可应用在LED照明设备、背光模块、触摸开关等场合,实现对灯光亮度的调节和控制。3.电荷控制:可用于电池充电和放电保护电路、USB充电器等场合,对电流进行准确的控制和管理。4.电机驱动:适用于电动工具、无刷直流电机和步进电机等电机控制电路中,实现对电机的高效驱动。总结:SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻、快速开关特性,可适用于多个领域的功率开关电路、电源管理、电子调光和电机驱动等应用场景。
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    时间: 2024-2-28 09:49
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:NTD24N06LT4G-VB-丝印:VBE1638-品牌:VBsemi-参数: -极性:N沟道 -额定电压:60V -额定电流:45A -漏电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V -门源电压:20Vgs(±V) -阈值电压:1.8Vth(V) -封装:TO252应用简介:该型号的NTD24N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于60V以下的电路应用。其具有低漏电阻和低阈值电压的特点,能够在较低电压下实现高电流的开关和增强功能。该产品适用于以下领域模块:-电源模块:由于该型号具有较低的漏电阻和高电流承受能力,可以用于电源模块中的开关电路,提高效率和稳定性。-驱动模块:由于具有低门源电压和低阈值电压,可广泛应用于驱动模块中,用于控制电流和功率输出。-电动工具:该型号的降低漏电阻和高电流特性使其适用于电动工具中,提高效率和稳定性。-电动汽车:由于额定电压和电流较高,该型号可用于电动汽车中的驱动系统,以实现高功率输出和能效。总结来说,NTD24N06LT4G-VB适用于电源模块、驱动模块、电动工具和电动汽车等领域模块。其具有低漏电阻、低阈值电压和高电流承受能力的特点,在这些领域模块中能够提供高效率、稳定性和高功率输出。
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    时间: 2024-2-28 09:46
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    上传者: VBsemi
    型号:AM4392N-T1-PF-VB  丝印:VBA1203M  品牌:VBsemi  详细参数说明:  -沟道类型:N沟道-额定电压:200V-额定电流:3A-开态电阻:300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压范围:20Vgs(±V)-阈值电压范围:2~4Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:  该型号的AM4392N-T1-PF-VBMOSFET适用于各种领域模块中的电路设计,其具有以下特点:1.N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。2.高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。3.低RDS(ON)值(300mΩ和360mΩ)可实现低导通电阻以减小功耗和提高效率。4.广泛的门源电压范围(20Vgs)和门阈值电压范围(2~4Vth(V))使其能够适应不同的驱动电路需求。5.SOP8封装提供了方便的安装和散热性能。这些产品主要用于以下领域的模块:1.电源模块:由于高额定电压和电流以及低导通电阻,AM4392N-T1-PF-VB可以在电源模块中用于有效地控制电流和改善功率效率。2.电动工具:高额定电流使其适用于电动工具中的电机驱动。3.工业自动化:由于能耐受高压和高电流,AM4392N-T1-PF-VB可以用于工业自动化系统中的各种电路设计需求。4.汽车电子:适用于汽车电子系统中的各种模块设计,如电动汽车控制器。5.LED照明:可用于LED照明模块中,以实现高效的电流驱动和精确的亮度控制。总之,AM4392N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种领域的模块中的电路设计,具有高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的门源电压和阈值电压范围等优势。
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    时间: 2024-2-28 09:54
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    上传者: VBsemi
    详细参数说明:-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V),1-3Vth(V),SC70-3应用简介:AO7414-VB是一款适用于各种领域的N沟道功率MOSFET。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、卓越的温度稳定性和导通耐压等。该器件在20V工作电压下,最大能够承受4A的电流。同时,它具有较低的导通电阻,以保证低功耗和高效率的电流传输。该器件的阈值电压范围在1-3V之间,使其适用于各种电路控制需求。该器件采用SC70-3封装,具有小体积和高密度布局的优势,适用于紧凑型模块和电路设计。它广泛应用于各种领域的模块,包括但不限于:1.电源管理模块:AO7414-VB可用于电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器等功率管理模块中,以实现有效的能量转换和管理。2.电动工具:该器件适用于电动工具如电钻、扳手和锯等的功率控制模块,提供可靠的电源控制和高效能量传输。3.汽车电子模块:AO7414-VB可用于汽车电子模块,如车载音频系统、车身控制模块和照明控制模块,以提供高效的功率管理和保护功能。4.LED驱动器:该器件可用于LED照明驱动模块,以提供精确的亮度控制和高效的功率传输,适用于室内照明和汽车照明等应用。总之,AO7414-VB是一款用途广泛的N沟道功率MOSFET,适用于各种领域的模块,包括电源管理、电动工具、汽车电子和LED驱动器等。