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【SI2309DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号:SI2309DS-T1-GE3-VB
丝印:VB2658
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-5.2A
- 开通电阻:40mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V
- 门源极电压:20Vgs (±V)
- 阈值电压:-2Vth (V)
- 封装类型:SOT23

应用简介:
SI2309DS-T1-GE3-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种领域的应用。它具有较高的额定电压和额定电流,能够提供可靠的功率放大和开关控制。其低开通电阻,在低电压下能够提供较低的功耗,同时保持较低的温升。

这些产品适用于以下领域模块:
1. 电源模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电源模块中的开关电源,为电子设备提供稳定和高效的电源转换。
2. 电机驱动模块:由于SI2309DS-T1-GE3-VB具有较高的额定电流和低的开通电阻,它可以用于电机驱动模块中,实现电机的高效、精确控制。
3. 照明模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于LED照明模块中的开关电源,提供稳定和可靠的电源供应,以实现高亮度和节能的照明效果。
4. 电池管理模块:SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电池管理模块中的电源开关和电流控制,以保护电池并提供高效的充放电控制。

总结而言,SI2309DS-T1-GE3-VB适用于各种领域模块,包括电源模块、电机驱动模块、照明模块和电池管理模块等,用于功率放大、开关控制和电源转换等应用。

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