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    2019-7-2 13:44
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    电动车的控制器MOS管:SKST065N08N,直接影响产品的寿命!
    电子工程师都知道控制器是电动车的重要部件,甚至相当于整个电动车的“大脑”。而MOS管作为它的控制器核心元器件起至关重要,换句话就是MOS管的好坏直接影响着这个电动车的质量。目前行业内通用的型号大多为SKST065N08N场效应管,但在市场质量参差不齐的情况下,如何选择一款与SKST065N08N同参数功能的MOS管来进行代用就显得尤为重要。 电动车的控制器中的电机是靠MOS的输出电流来驱动的,因而一个好的MOS管输出电流越大(为了防止过流烧坏MOS管,控制器有限流保护),电机扭矩就强,加速就有力,也就更利于电动车的工作运作。所以作为电动车厂商的电子工程师为了加强电动车的质量,降低产品的售后问题,在选用一个好的场效应管就非常有必要了。目前飞虹电子生产的型号为:FHP100N08高压MOS管就可替代型号:SKST065N08N高压MOS管。 广州飞虹电子 的FHP100N08高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管,在使用方面是不仅能匹配型号为SKST065N08N场效应管,还能代用型号为:STP75NF75、HY3008、HY3208、STP140NF75这四款型号场效应管。 FHP100N08场效应管广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动等。 FHP100N08的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263,脚位排列位GDS。这款产品最主要的特点就是8.0A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。
  • 热度 16
    2018-12-1 11:34
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    MOS管应用概述(四):基本参数
    mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。 上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图: 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管。 高速下,二极管也不是理想的,二极管导通后,PN节中充满了电子和空穴,当瞬间反向加电的时候,需要时间恢复截止,这个类似一扇门打开了,需要时间关上,但在高速下,这个关上的时间太长,就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中,直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长,所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管,但哪怕特殊工艺制作的,其性能也达不到独立的高速二极管性能,只是比原MOS管寄生的指标强一些而已,但已经满足大部分软开关的需求了,500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列,后缀带CFD的管子,内部的二极管就是高速的。 若有些场合需要更高速的二极管,而内置的二极管性能达不到,则需要特殊的处理方式,MOS管先串联二极管,再外部并二极管,这样子实现,可以应用于频率超过500KHz的场合。
  • 热度 10
    2018-11-11 18:21
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    MOS管应用概述(一):等效模型
    MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,哪怕是小功率MOS管,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,最后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计,也涉及嵌入式开发,对大小功率MOS管,都有一定的理解,所以把心中理解的经验总结一番,形成理论模型。 MOS管等效电路及应用电路如下图所示: 把MOS管的微观模型叠加起来,就如下图所示: 我们知道,MOS管的输入与输出是相位相反,恰好180度,也就是等效于一个反相器,也可以理解为一个反相工作的运放,如下图: 有了以上模型,就好办了,尤其从运放这张图中,可以一眼看出,这就是一个反相积分电路,当输入电阻较大时,开关速度比较缓慢,Cgd这颗积分电容影响不明显,但是当开关速度比较高,而且VDD供电电压较高,比如310V下,通过Cgd的电流比较大,强的积分很容易引起振荡,这个振荡叫米勒振荡。所以Cgd也叫米勒电容,而在MOS管开关导通或者关断的那段时间,也就是积分那段时间,叫米勒平台,如下图圆圈中的那部分为米勒平台,右边的是振荡严重的米勒振荡: 因为MOS管的反馈引入了电容,当这个电容足够大,并且前段信号变化快,后端供电电压高,三者结合起来,就会引起积分过充振荡,这个等价于温控的PID中的I模型,要想解决解决这个米勒振荡,在频率和电压不变的情况下,一般可以提高MOS管的驱动电阻,减缓开关的边沿速度,其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下,可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容,或者用RC电路来做吸收电路。 下图给出雨滴科技常用的三颗大功率MOS管的电容值:LCR电桥直接测量,具体型号就不提了。 从图上可以看出,Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能,它的各个指标都很小,当米勒振荡通过其他手段无法降低时,可以考虑更换更小的米勒电容MOS管,尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。 下期 讲解MOS管的米勒振荡 。
  • 热度 2
    2011-6-16 09:53
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    《Farewell My Concubine》――再见了,我的小老婆(这可是《霸王别姬》的英文译名啊) 《Seventeen Years》――十七年(故弄玄虚,《回家过年》) 《Ashes of Time》――时间的灰烬(《东邪西毒》,这个译名意味深长,无论你是东邪还是西毒,武功再高还不是最后都成了时间的灰烬?) 《All Men Are Brothers: Blood of the Leopard》――四海之内皆兄弟:豹子的血(《水浒传》,《水浒传》赛珍珠版的英文译名是《四海之内皆兄弟》) 《Chinese Odyssey 1: Pandora's Box》――中国的奥德赛1:潘多拉宝盒(《大话西游之月光宝盒》,这个绝对是入乡随俗了,不过好像都挨不上边耶) 《Dream Factory》――梦工厂(《甲方乙方》,够牛的) 《Steel Meets Fire》――钢遇上了火(翻译遇上了鬼?《烈火金刚》) 《Third Sister Liu》――第三个姐姐刘(《刘三姐》,典型的不动脑筋) 《In the Mood for Love》――在爱的情绪中(《花样年华》,恋爱中的译者) 《Woman-Demon-Human》――女人-恶魔-人类(《人鬼情》,失恋中的译者) 《From Beijing with Love》――从北京带着爱(到香港换不了菜,《国产007》) 《Flirting Scholar》――正在调情的学者(别人看《红楼梦》看到诗,你看到了……《唐伯虎点秋香》) 《Royal Tramp》――皇家流浪汉(《鹿鼎记》,怎么不译成 “ 皇家马德里”?) 《Flowers of Shanghai》――上海之花(pg18?《海上花》) 《A Better Tomorrow》――明天会更好(“玉山白雪飘零,燃烧少年的心……”《英雄本色》) 《Saviour of the Soul》――灵魂的救星(啊呸!真不要脸!《九一神雕侠侣》) 《Romantic of Three Kingdoms》―― 三个王国的罗曼史(居然是《三国演义》) (推荐/DD)
  • 热度 2
    2011-6-15 17:44
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    还在为找不到货而烦恼吗? 还在为不知道选什么样的管子而纠结吗? 找我啊,把烦恼和纠结交给我吧,一切都迎刃而解!
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  • 所需E币: 1
    时间: 2020-5-12 14:32
    大小: 254.37KB
    上传者: sense1999
    1概念电阻元件的电阻值大小一般与温度,材料,长度,还有横截面积有关,衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数,其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-27 19:54
    大小: 185.28KB
    上传者: givh79_163.com
    MOS管的开关损耗-反激式分析公式是什么不重要电源网:cheng111目录1.CCM模式开关损耗..................................................................................................11.1导通时的开关损耗.......................................................................................................11.1.1CCM下反激式开关电源损耗公式.....................................................................21.2关断时的开关损耗.......................................................................................................31.3DCM模式的开关损耗.................................................................................................52.参考资料.................................……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-27 20:45
    大小: 1.19MB
    上传者: 2iot
    MOS、三极管用作开关时的区别联系MOS管开关MOSFET和BJT的工作区域的命名有所不同。BJT中的截止,放大和饱和区相对于MOSFET为截止,饱和,变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当Vgs时,MOSFET处于截止状态,即截止区。当Vgs>Vt且Vds>Vgs-Vt时,为饱和区。当Vgs>Vt且Vds如果忽略沟道的长度调制效应,MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。通常用其作为放大区域使用(类比BJT的放大去)。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器,当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率MOSFET的Rds可以降到非常之小,以便流过较大的电流。利用MOSFET截止区和变阻区的特性,就可以将MOSFET应用于逻辑或功率开关。现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了,一般一块钱左右的管子,源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱,因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。MOS管有几个重要的参数,Vgs,Vds,Id/Is以及Ron,其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法,它就像三极管的Ibe,之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言,也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管,否则管子不能导通。比如Vgs耐压在12V左右的管子,当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通,一般4-5V就可以达到其最小Ron了。但是,由于这个电压是基于S极的,所以对于电源一类的开关管应用场合(靠低压控制高压输入),必须想办法让Vgs高于Vs足够高(或者也可以让管子并联于电源,靠储能器件工作于高速开关状态),而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-28 20:05
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    上传者: 二不过三
    无应用笔记,版本2.0,2010年5月通过简单设计优化同步整流直流-直流转换器的同步整流效率和过电压尖峰的简单设计方法[pic]1.摘要日益提高的封装密度和越来越严格的能效标准(80PLUS®[1]),要求逐渐将开关电源(SMPS)的能效提高至90%以上。隔离式电源转换器的次级二极管整流产生的二极管正向损耗是主要损耗之一。因此,只有利用先进的功率只有利用最新技术的MOSFET来作为执行同步整流(SR),才可能实现更很高的能效。但是这种方法在低可以在更高开关损耗造成的轻输出负载时由于较高的开关损耗会造成的低效率,而在效率提高的同时会引起与提高效率但高压过冲超出同步整流MOSFET(以下简称SRMOSFET)的最高额定电压,因此这需要之间作出折衷。本文提出了可用于优化系统的总体能效和降低过冲电压的易于实现的设计方法,以便加快SMPS设计过程。2.引言开关电源通常借助功率二极管来实现次级端的整流级。但是,功率二极管在可流过产生较高输出电流同时,也并且会产生0.5V甚至更高的正向压降,因而会造成严重的导通传导损耗。可以利用导通电阻仅为几毫欧姆的先进功率可以利用导通电阻仅为几毫欧姆的新技术的MOSFET来降低这些损耗。采用先进的功率MOSFET能够提高系统的总体能效,特别是在电流较高的情况下。通过仔细比较这两种不同的整流方法,我们发现,由MOSFET来替代功率二极管,可能造成诸如轻输出负载时的低效率或关断时的高过冲电压等问题。这是因为MOSFET的结开关电容通常比二极管的高[4]。为了克服这个缺点,必须对如何最优RDS(on)进行详尽的分析。另一个重要问题是,SRSRMOSFET的栅极时间控制定时。这个参数对电源转换器的能效和过电压尖峰有显著影响。……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-28 20:05
    大小: 163.5KB
    上传者: wsu_w_hotmail.com
    无应用笔记,版本2.0,2010年5月通过分析MOSFET功耗产生机制来提高同步整流效率[pic]1.摘要80PLUS®[1]计划的推行,要求将开关电源(SMPS)的系统总体能效提高至90%。隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗。因此,只有利用同步整流(SR),才可能达到如此高的能效水平。要实现理想的开关性能,必须充分理解SRMOSFET的功耗产生机制。本文分析了SRMOSFET的关断过程,并且提出了一个用于计算功耗以优化系统能效的简单模型。2.导言随便看一个开关电源,你都可以在电源转换器的二次侧发现一个整流级。整流级的任务是对经由变压器从SMPS的一次侧转移至二次侧的方波电源信号进行整流。SMPS通常利用功率二极管来实现整流(请参见图1)。但是,功率二极管具有0.5V乃至更高的正向压降,并且会产生较高输出电流,因此会造成严重的导通损耗,从而大大影响整个电源转换器的能效。为了最大限度地降低这些整流损耗,可以利用最新功率MOSFET来代替二极管。最新的功率MOSFET能够大幅降低导通损耗,特别是在输出电流较高的情况下。在考虑低负载效率时,关注的焦点不是导通损耗,而是开关损耗。因为相比于二极管,MOSFET的开关损耗高得多。对系统能效的其他重要影响来自栅极驱动和旨在遏制关断过程中的过电压尖峰的缓冲网络。这是一个十分复杂的系统,因此,必须深刻理解所有参数相互之间的关系,才能优化系统能效。[2][3][pic]图1.同步整流与二极管整流之比较3.SRMOSFET关断性能分析为便于理解SR开关的关断过程,图2所示为几个最重要的波形的示意图。[pic]图2.SRMOSFET的关断性能(按不同开关点分段)分析首先从开关的导通状态开始:此时,栅极电……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-28 20:05
    大小: 379KB
    上传者: givh79_163.com
    无应用笔记,版本2.0,2010年5月为同步整流选择最优化的MOSFET[pic]1.引言电源转换器的封装密度日益提高和节能标准越来越严格,要求不断提高电源级的能效。隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗,因此,只有利用同步整流(SR)才可能达到这些标准要求的能效水平。用MOSFET替代二极管引发了新的挑战——优化系统能效和控制电压过冲。本应用笔记介绍了通过利用英飞凌OptiMOS™3解决方案的优化表(适用于30V、40V、60V、75V、80V、100V、120V和150V等应用)帮助选择最佳MOSFET的方法。[pic]图1.二极管整流与同步整流之比较2.同步整流基础知识要选择最优的MOSFET来实现同步整流,必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。首先,必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。导通损耗取决于MOSFET的RDS(on)和内部体二极管的正向电压VSD。随着输出电流的提高,导通损耗(RDS(on)损耗)也会相应地增加。为确保两个SRMOSFET之间互锁,以避免出现直通电流,必须实现一定的死区时间。因此,在开启一次侧之前,必须关断相应的MOSFET。由于该MOSFET正在导通全部续流电流,因此,这些电流将不得不从MOSFET沟道转而流向内部的体二极管,并由此产生额外的体二极管损耗。体二极管的导通时间很短,仅为50ns至100ns左右,因而,当输出电压比体二极管的正向电压高得多时,这些损耗可以忽略不计。取决于电源转换器的开关频率和输出负载,开关损耗对MOSFET的总功耗有很大影响。MOSFET开启时,必须对栅极进行充电,以产生栅极电荷Qg。MOSFET关断时,则必须将栅极中的电荷放电至源极……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-28 21:03
    大小: 1010.83KB
    上传者: 16245458_qq.com
    CoolMOSC6TheNewReferenceintheHVMOSmarketCoolMOSTMC6TheNewReferenceintheHVMOSmarketDianyuanForum14thNovember2009CoolMOSTMC6Features!ProductCharacteristics!ValueforSMPSDesigner"Highcommutationruggedness."Easyapplyinhardswitchingandapplicableforsomeresonanttopology."LowerReverseRecoveryCharges(Qrr)."Improvelightloadefficiencyand"BestFigure-of-MeritRon*Eossandgoodminimalimpacttoresonanttankdesign.FoMRon*Qoss.……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-28 23:48
    大小: 56.5KB
    上传者: 2iot
    Becauseofinternalcircuit-breakerdelayandlimitedMOS-gatepulldowncurrent,manyhot-swapcontrollersdonotlimitcurrentduringthefirst10usto50usfollowingashortedoutput.Theresultcanbeabriefflowofseveralhundredamperes.Asimpleexternalcircuitcountersthisproblembyminimizingtheinitialcurrentspikeandterminatingtheshortcircuitwithin200nsto500ns.……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-30 10:23
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    上传者: 2iot
    这里介绍的逆变器主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-25 15:37
    大小: 230.49KB
    上传者: 二不过三
    以GOLAY码互补序列为例,研究了超声编码激励的原理和优点.采用TI的TMS320F2812DSP芯片,把预先编制好的GOLAY码脉冲序列存储在DSP芯片的FLASH中,通过DSP的McBSP多通道缓冲串口把编码脉冲发送给电压放大器,驱动MOS管信号放大后直接加载在超声探头上,回波信号增益采集;最后,对采集到的数据进行脉冲压缩及求和.基于DSP的超声编码激励发射研究蔡欣荣1,缪相林1,王晓森1,李鹏2,卞正中2(1.西安交通大学电子与信息工程学院,陕西西安710049;2.西安交通大学生命学院,陕西西安710049)摘要:以GOLAY码互补序列为例,研究了超声编码激励的原理和优点。采用Ⅱ的TMS320F2812DsP芯片,把预先编制好的GO蚣Y码脉冲序列存储在DsP芯片的FLASH中,通过DSP的McBsP多通道缓冲串口把编码脉冲发送给电压放大器,驱动MOS管信号放大后直接加载在超声探头上,回波信号增益采集;最后,对采集到的数据进行脉冲压缩及求和。关键词:Golay互补序列对DSPMOSMcBSP超声换能器传统医学超声成像系统通常采用单一脉冲波【1】【21,同元素对的个数等于另一个序列中的相异元素对的个为了获取高的信噪比,需要提高发射的脉冲峰值功率,数。数学语言描述如下:设有一对长度相同的有限二相这样就受到安全诊断阚值的限制及超声换能器非线性序列A={%l,锡∈(+l,一1),乃EO,1,2,…,Ⅳ一l和B=制约。因此,传统的医学超声系统存在脉冲峰值功率高、{6。),6。∈(+1,一1……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-25 12:13
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    上传者: rdg1993
    射频CMOS集成电路原理和设计-6CMOS8¤>nOLecture5,Oct.14,2003J1.Non-QuasiStatic(NQS)MOSmodel1/72.SmallsignalACequivalentcircuitsá1.Chs.7-9,YannisTsividis,“OperationandModelingofTheMOSTransistor,”2nded.,1999,WCB/McGraw-HillNon-QuasiStatic(NQS)MOSModel2/7DenitionThetransittimeassociatedwithdcoperationinaMOS-FETistheaveragetimeittakesforanelectrontotravelthelengthofthechannel:QIτ=(1)IDS……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-25 12:13
    大小: 371.24KB
    上传者: 978461154_qq
    射频CMOS集成电路原理和设计-4CMOS8¤>nOLecture3,Sept.28,2003J1.Introduction1/142.DCcharacteristics3.MOScapacitances(dynamicelements)4.High-frequencyFoM:ωTandωmax5.Mobilityandotherissues)á1.Chs.3,2ofThomasLee’sbook2.1n§8¤>N|+§]§/CMOS8¤>O0Introduction2/14ThediscussionofsemiconductordevicemodelsinthislecturefocusesonthoseaspectsoftransistorbehaviorthatareofimmediaterelevancetotheRFcircuitdesigners.DCCharacteristicsLinearregion3/142W……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-25 12:14
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    上传者: givh79_163.com
    低噪声放大器的设计和优化Nov.25,20031/64Emailyuzhip@tsinghua.edu.cnchibylxc@tsinghua.edu.cnThomasH.Lee,TheDesignofCMOSRadio-FrequencyIntegratedCircuits,Chap.11ReinholdLudwigandPavelBretchko,RFCircuitDesign:TheoryandApplications,Chap.92/64MOS(SmithSmith3/64:Ga=PLaPsa:GP=PPsLPL:Gt=PsaPLaPLPsaPsGAV……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-25 10:51
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    上传者: 978461154_qq
    半导体场效应……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-25 10:49
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    上传者: rdg1993
    存储器介绍……
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    时间: 2019-12-25 10:48
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    计算机基础知识……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-25 10:38
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    上传者: rdg1993
    微电子学导论(第二章)第二章晶体管基本原理第二章晶体管基本原理Ⅰ.半导体中的载流子1.半导体的导电能力本章的主要内容●电导率σ描述导电能力,电阻率ρ=1/σ,R=ρL/AⅠ.半导体中的载流子铜ρ=1.7×10-6Ωcm铝ρ=2.8×10-6Ωcm金属,通常ρ<10-4ΩcmII.半导体P-N结(二极管)III.双极型晶体管的基本结构与工作原理SiO2ρ≈1014Ωcm……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-25 10:28
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    AdvancedAnalogIntegratedCircuitsAdvancedAnalogIntegratedCircuitsDongmeiLiElectronicEngineeringDept.,TsinghuaUniversityFall,2004DongmeiLiElectronicEngineeringDept.,TsinghuaUniversityAdvancedAnalogIntegratedCircuitsCoursesyllabusandcalendarFall,2004DongmeiLiElectronicEngineeringDept.,TsinghuaUniversityAdvancedAnalogIntegratedCircuitsIntroductionWhyAnalog?Whyisanalogdesignchallenging?Fall,2004DongmeiLiElectronicEngineeringDept.,TsinghuaUniversityAdvancedAnalogIntegratedCircuitsWhyAnalog?aDevelopmentofdigitization……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-25 10:29
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    场效应管放大电路……
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    时间: 2020-1-3 18:43
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       PowerTransistorsforSwitchingPowerSupplies……
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