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【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号: NTD20N06LT4G-VB
丝印: VBE1638
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:45A
- 导通电阻:24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V
- 硅极电压:20Vgs (±V)
- 门槽电压:1.8Vth(V)
- 封装类型:TO252

详细参数说明:
NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其丝印为VBE1638,由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数:
1. 高额定电压(60V)和大额定电流(45A),适合处理高功率电路;
2. 导通电阻低,具有优秀的导通性能(24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V),可以降低功率损耗;
3. 20V的硅极电压(20Vgs),以及1.8V的门槽电压(1.8Vth(V)),提供灵活的驱动和控制能力;
4. 封装为TO252,易于焊接和安装。

应用简介:
NTD20N06LT4G-VB MOSFET通常用于以下领域模块:
- 电源模块:由于其高额定电压和大额定电流,可广泛应用于电源模块中,用于稳定和分配电流;
- 电机驱动:该器件的低导通电阻和高功率特性,使其成为电机驱动模块的理想选择,可以提供高效率和高输出功率;
- 电子设备:由于其灵活的驱动和控制能力,NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备,如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。

总之,NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件,适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块。
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