英飞凌凭借其领先的硅（Si）解决方案，结合覆盖 40-200 V 和 400-2000 V 领域的宽禁带技术，为高效电源转换提供了全面的技术支持。作为行业领导者，英飞凌同时提供硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种基础技术，致力于成为客户的全方位技术顾问。CoolMOS™ 8 系列在与宽禁带替代方案的对比中，展现了卓越的性能，实现了最高的功率密度和最低的系统成本。同时，英飞凌通过创新的沟槽技术，在 SiC MOSFET 领域不断追求卓越，推动行业技术发展。此外，氮化镓（GaN）凭借其显著提升效率和功率密度的能力，将在未来电力电子领域扮演决定性角色。英飞凌通过多元化的技术布局和创新解决方案，持续赋能高效电源转换，助力客户应对未来挑战。