英飞凌的 CoolGaN™硅基氮化镓(GaN-on-Si) HEMT（高电子迁移率晶体管）的系统性能出色，效率和功率密度更高，系统成本更低，大大改善了功率转换开关器件品质因数(FOM)。
为了保证可靠的运行、满足电力转换系统中的设计寿命和质量要求，遵循全面的技术开发和产品鉴定程序至关重要，也是新技术必须做到的一点。GaN 器件的材料和设计与硅基器件相比差异很大，足以驱使我们分析它们的应用方式，并确定相关开发和可靠性鉴定过程所必须有的变化。
本文介绍了英飞凌用于成功鉴定 CoolGaN™600V 技术和产品的四部分流程。内文介绍了关键故障机制，并说明如何在各种应用中确保安全可靠的运行。
因此，客户得以避开许多原本会遇到的风险，并能学习安全地使用 CoolGaN™技术。有意加深一般半导体可靠性概念的工程师，也可以本文做参考资料。
