本文将讨论增强型 GaN HEMT 在低功率应用（如 USB-PD 适配器和移动设备充电器）中的优势。本文将定量地展示，与仅次于 GaN 的硅替代品相比，使用 GaN 器件构建的系统的优势。还将提供相应拓扑结构、磁性器件优化和开关频率选择的进一步详细信息，以更好地充分利用下一代功率器件。
本文将讨论增强型 GaN HEMT 在低功率应用（如 USB-PD 适配器和移动设备充电器）中的优势。本文将定量地展示，与仅次于 GaN 的硅替代品相比，使用 GaN 器件构建的系统的优势。还将提供相应拓扑结构、磁性器件优化和开关频率选择的进一步详细信息，以更好地充分利用下一代功率器件。
