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    时间:2022.01.27
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.27
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.27
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.27
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.27
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.27
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    上传者:Argent
    飞思卡尔K60原理图
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    时间:2022.01.27
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    传感器原理图综合应用
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    时间:2022.01.24
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    上传者:Argent
    LQ-K60P144-SYSVB核心板原理图
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
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    时间:2022.01.21
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    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.17
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    单节锂电池充电器电路图
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    时间:2022.01.14
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    上传者:Vasse
    此份文件描述了CA-IS372x系列双通道数字隔离器评估板的使用方法。使用户可以评估芯片性能且对隔离系统进行系统性分析,从而提高开发速度。该评估板可以兼容该系列双通道的SOIC8-G宽体封装的数字隔离
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    时间:2022.01.14
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    上传者:Vasse
    CA-IS37xx系列产品采用全差分隔离电容技术。由SiO2构成的高压隔离电容为不同的电压域之间提供可靠的绝缘屏障,并提供可靠的高频信号传输路径;为了保证稳定的数据传输质量,引入开关键控(OOK)调制
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    时间:2022.01.14
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    上传者:Vasse
    芯片MCP2200是一个USB2.0到UART的协议转换器。CA-IS37XX系列是同类产品中最好的双向隔离器,具有显著的抖动性能,传输延迟比较低。耐压性能比较好
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    时间:2022.01.14
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    上传者:Vasse
    集成电路(I2C)总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法,由于其简单,已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信,可能系统中存在高电压,就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员
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    时间:2022.01.14
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    上传者:Vasse
    隔离是一种防止系统两部分之间有直流干扰,或者防止干扰性交流电流的方法,同时允许信号可以在这两部分系统正常传输。为保护操作人员,防止高压系统中昂贵的处理器损坏,就会需要这种隔离,切断通信网络中的接地回路
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