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晶台光耦 KL1013 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1013 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1012 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1012 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦 KL1010 LSOP4 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL101X系列由一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，它们封装在4引脚LSOP封装中。产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio

晶台光耦 1010 LSOP4 晶体管光耦产品规格书
KL4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N37 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4n37 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书

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KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、

4N25 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书

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KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7L SSOP4 晶体管光耦产品规格书 3H7L
KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦高温特规产品规格书
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高

KL3H4 SSOP4 晶体管光耦 ac 交流产品规格书
Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

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高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计，极大地降低了导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>），使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO

toshiba 东芝 TPH1500CNH 沟道 mosfet 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB62214AFTG双全桥驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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高电压和电流能力TB62214AFTG能够在最高40V电压下运行，并能处理每通道高达1.5A的电流（峰值2.5A），为苛刻的电机控制应用提供了充足的余量。这使其特别适合需要高扭矩和高速的应用。低导通电

toshiba 东芝 TB62214AFTG 全桥驱动 ic 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝光耦TLP2301产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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高速数据传输速率：TLP2301的一个突出特点是其支持高速数据传输的能力。对于设计中时间和速度至关重要的工程师来说，该光耦合器确保数据高效传输，没有显著延迟或数据丢失。增强的抗噪声能力：TLP2301

toshiba 东芝光耦 TLP2301 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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隔离电压：TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms，确保电路免受电压尖峰和噪声的影响，非常适合高压应用场景。输出电流：TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流，尽管数值不大，但足以驱动低功

toshiba 东芝 TLP176AM 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最

toshiba 东芝 74VHC74FT 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝 TK49N65W5 MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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低漏源导通电阻（RDS(ON)）：TK49N65W5在标准条件下（VGS=10V,ID=24.6A）的典型RDS(ON)值仅为0.051Ω。这种低电阻确保了操作期间的功率损耗最小化，对于高效能电源和转

toshiba 东芝 TK49N65W5 mosfet 产品规格书 datasheet

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