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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.21
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    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.21
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    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.21
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    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    5V开关电源电路图资料
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    MC34063A组成的升压式开关电源电路图
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    太阳能镍镉电池充电器电路图
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    开关电源原理及各功能电路详解
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    LM317电压可调模块DXP资料及其相关资料
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    单脉冲控制转换开关电路图
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    时间:2022.01.17
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    上传者:samewell
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