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挑战：复杂度高且追溯效率低 在现代软件开发领域，需求到测试用例及其结果的追溯是确保质量的关键环节。然而，手动将测试用例与需求关联是一项耗时且容易出错的工作。开发和测试人员面临以下挑战： 需求的动态变化 ：开发过程中需求的频繁变更要求不断地更新和重新关联测试用例。 一致性缺失 ：手动关联往往不一致且不完整，导致追溯性出现断层。 审查过程繁琐 ：需求或测试用例的任何变更都需要进行详尽的审查，以保证追溯性的准确性。 故障分析复杂 ：测试用例失败时，尤其是当它覆盖多个需求时，很难确定具体是哪个需求受到了影响。 这些挑战导致测试流程效率低下，并增加了关键需求未得到充分测试的风险。 动态追溯方法带来的成果 动态追溯方法通过实现测试用例和需求的动态自动关联，彻底改变了测试流程。以下是该方法的主要成果： 自动更新 ：需求或测试用例的变更会自动反映在追溯性上，确保变更发生时，立即明确受影响的需求和需要调整的测试用例。 实时相关性检查 ：所有测试最初都会执行。之后，只有实际覆盖需求的测试用例会自动与这些需求关联。 精确的故障分析 ：测试失败时，能够准确识别受影响的具体需求。如果测试用例涉及多个需求且某个条件失败，只有相关的需求会被标记为失败，而其他需求则视为通过。 减少审查工作量 ：自动一致性检查消除了广泛手动审查的需要，节省时间并减少人为错误的可能性。 持续追溯 ：该方法确保追溯性持续自动更新，保持追溯信息始终最新和准确。 表格 - 静态与动态追溯 实施该方法所需的条件 为了成功实施动态追溯方法，需要满足以下条件： 自动化测试环境 ：需要一个支持自动测试执行和评估的先进测试环境，能够动态生成和管理测试用例。 高效的需求管理工具 ：需要一个强大的需求管理系统，便于与测试环境集成和同步，确保需求及其变更顺利融入测试流程。 数据一致性 ：测试和需求数据必须一致且结构化良好，明确定义的数据结构有助于自动关联和追踪。 高级评估功能 ：测试环境应具备高级评估功能，以高效评估复杂条件和预期结果，这可以通过Python等脚本语言实现。 员工培训 ：测试人员和开发人员需要接受有关自动化工具和方法的培训，以充分发挥动态追溯的潜力。 结论 动态追溯方法为解决软件开发中追溯的挑战提供了创新的解决方案。通过自动和动态地链接需求和测试用例，使测试过程显著提高效率和精确度。该方法减少了手工操作，改善了故障分析，并确保了持续的追溯性，最终提升了软件的质量和可靠性。采用动态追溯方法来优化您的测试流程，成功应对现代软件开发的挑战。

VLSI 设计中的线性 RC 延迟模型 众所周知，为了使晶体管更小，人们做了大量工作。然而，仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作，以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单，只有几个逻辑门（包含两到四个晶体管），也可能是包含成千上万个晶体管的更大系统。相反，这些系统需要满足各种工作条件下的速度/延迟和功率要求。 众所周知，为了使晶体管更小，人们做了大量工作。然而，仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作，以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单，只有几个 逻辑门 （包含两到四个晶体管），也可能是包含成千上万个晶体管的更大系统。相反，这些系统需要满足各种工作条件下的速度/延迟和功率要求。 在本文中，我们将讨论如何确定单个晶体管的大小，以便在考虑到这些需求的情况下与其他晶体管正确集成。我们将首先介绍 RC 延迟模型。 这篇文章是系列文章的一部分，在该系列文章中，我们还将讨论其他流行的模型，例如用于估计 VLSI 电路延迟的 Elmore 延迟和逻辑努力。在这些后续文章中，我们还将研究如何组合这些晶体管和栅极以提供面积，同时提供性能。 线性 RC 延迟 与大多数电气系统一样，晶体管可以建模为简单的 RC 电路，其中通道宽度建模为 电阻 器，而扩散（即源极/漏极）之间的空间建模为 电容 器。 这创建了一个 RC 网络，该网络以在输入端（在本例中为晶体管的栅极）应用阶跃输入时具有指数上升/下降瞬态响应而闻名。上升/下降时间（即输出电压电平与输入电压电平匹配所需的时间）定义了晶体管电路的延迟。 计算晶体管的电阻 现在，什么是晶体管的有效电阻？我们如何计算晶体管的电阻？ 通常，晶体管的电阻是漏源电压与漏源电流之间的比率。 在建模中，单位 NMOS 晶体管的有效电阻为 R，等于单元库或工艺中使用的尺寸 NMOS 晶体管的电阻。并且由于具有大宽度的晶体管驱动更多电流，因此 k 倍单位宽度的 NMOS 晶体管具有RkRk的电阻。而由于PMOS晶体管的迁移率较低，其有效电阻通常为2Rk2Rk。 晶体管的有效电容 对于 k 倍单位宽度，单位 NMOS/PMOS 晶体管的有效电容为“C”或“kC”。用于驱动类似逆变器的逆变器的等效 RC 电路如下图 1 所示。 图 1.所有图像改编自CMOS VLSI 设计（第 4 版）1，作者 Neil HE Weste 和 David Money Harris 由于 反相器 的PMOS晶体管尺寸为2倍单位，NMOS为单位宽度，因此它通常为驱动电路提供总计3C的输入电容。 回顾一下，当输入为高电平 (3.3V) 时，NMOS（底部晶体管）导通，并在将输出电压下拉至地 (0V) 的同时提供“R”电阻。但是，当输入为低电平 (0V) 时，PMOS（顶部）导通，并且在将输出电压拉至高电平 (3.3V) 的同时还提供 R 的电阻。 这意味着，在上升/下降转换中，等效 RC 电路的有效电阻为“R”。同时，每个晶体管（3C）的总电容不随晶体管的变化而变化。由于我们有两个逆变器级联在一起，它们总共提供 6C 的电容。 为 3 输入与非门调整晶体管大小 为了进一步了解晶体管在逻辑门中的大小，让我们看一下 3 输入与非门。 作为参考，如果任何输入为低电平，与非门将提供高电平输出。买电子元器件现货上唯样商城。相反，当所有输入均为高电平时，输出将为低电平。这为我们提供了三个并联的 PMOS——只有一个 PMOS 足以将输出电压拉至高电平——以及三个串联的 NMOS——这三个 NMOS 需要先导通才能将输出电压拉至低电平。 为了有效地调整每个晶体管的尺寸，我们必须注意，电路中的晶体管尺寸必须以 NMOS 部分提供单位电阻“R”而 PMOS 部分必须提供两倍单位电阻“2R”的方式确定以确保相等的上升/下降时间。 由于三个 NMOS 晶体管串联连接，它们的总电阻必须为 ((frac{R}{3} + frac{R}{3} + frac{R}{3} = R))其中 k = 3。由于只有一个 PMOS 足以将输出拉至高电平，因此在坏情况下，每个 PMOS 晶体管保持有效电阻 (frac {2R}{2} = R ) 其中 k = 2.( R 3+ R 3+ R 3= R )(R3个+R3个+R3个=R)2对2= R2个R2个=R 在上升/下降晶体管处，每个输入将呈现 5C 的输入电容，而输出端 Y 的总输出电容为 (2C+2C+2C+3C = 9C)。 向前推进，可以开发等效 RC 电路以给出图 2(c) 和 2(d) 中所示的电路。 图 2。 下降过渡 (2(c)) 显示所有 NMOS 晶体管都需要导通，而上升过渡 (2(d)) 显示坏情况，其中一个 PMOS 导通同时两个 NMOS 晶体管导通， ，有助于电路的总电容。 评估电路的瞬态响应：传播延迟、 ST C 和 TT C 在推导出合适的等效 RC 电路后，下一步是检查电路的瞬态响应。如果我们检查下面图 3 中所示逆变器的等效 RC 电路，目标是估计在输出端看到输入电压的时间。 施加输入 (V DD) 与输出 (frac {V_{DD}}{2})之间的时间称为传播延迟。传播延迟的表达式可以从给出的一阶电路的经典传递函数导出：V D D 2V丁丁2个 H ( s ) = 1 1 + s R CH(秒)=1个1个+秒RCV o u t = V D D e ? t R CVo你吨=V丁丁电子?吨RC 因此，传播延迟是瞬态响应的时间常数 (τ)，即： t p d = R C吨pd=RC 图 3。 从图 3 中的延迟响应来看，目标是将传播延迟推至接近于零以生成总体上更快的电路。在文献中，这种方法通常被称为单时间常数(STC) 方法，这是一种估算电路延迟的简单方法。 然而，这种方法在估计较大电路的延迟时似乎不准确，这导致了双时间常数(TTC) 近似的发展，由于第二个时间常数，它使我们有机会获得更好的延迟估计。 检查上面讨论的 3 输入与非门，其 RC 电路可以如图 4 所示给出。 图 4。 该电路的阶跃响应为 H ( s ) = 1 1 + s + s 2 R 1 C 1 R 2 C 2H(秒)=1个1个+秒 +秒2个R1个C1个R2个C2个 和 V o u t (t)= V D D τ 1 e ? τ τ 1? τ 2 e ? τ τ 2τ 1 ? τ 2Vo你吨(吨)=V丁丁τ1个电子?ττ1个?τ2个电子?ττ2个τ1个?τ2个 在哪里 τ 1 , 2 = R 1 C 1 + ( R 1 + R 2 ) C 2 2 2]τ1个,2个=R1个C1个+(R1个+R2个)C2个2个 2个] 和 R * = R 2 R 1; C * = C 2 C 1R＊=R2个R1个;C＊=C2个C1个 但由于 TTC 近似的复杂性，这违背了将 CMOS 电路延迟简化为简单 RC 网络的目的。然而，它可以通过 STC 模型进行简化，给出一个近似的时间常数 (τ)。 τ = τ 1 + τ 1 = R 1 C 1 + ( R 1 + R 2 ) C 2τ=τ1个+τ1个=R1个C1个+(R1个+R2个)C2个 单时间常数 (STC) 与双时间常数 (TTC) 根据 Mark Alan Horowitz1 的说法，如果性常数明显大于另一个，则此近似值有效。 然而，根据 Neil HE Weste 和 David Money Harris2 的说法，这种近似被认为会产生 7%-15% 的误差，因此不能给出中间节点的准确延迟描述。

本文为硬件原理图设计的通用规范，主要从基本的设计角度，总结一般公司的设计要求，整合而成。 1. 原理图各页内容依次为：封面、目录、电源、时钟、CPU、存储器、逻辑、背板（母板）接口等。 2. 原理图上所有的文字方向应该统一，文字的上方应该朝向原理图的上方（正放文字）或左方（侧放文字）。 下图分别为符合规范和不符合规范的例子。 文字都向上或者向左，符合规范 文字方向不一致，有文字向右，字符重叠，不合规范 标注文字方向向下，不合规范。 3. 原理图上的各种标注应清晰，不允许文字重叠。 原理图上包括网络名、位好、器件管脚号等各中字符都不允许重叠下面是不符合规范的例子 4. 元器件的位号要显示在该元件的附近位置，不应引起歧义。 5. 芯片的型号和管脚标注，精密电阻、大功率电阻、极性电容、高耐压电容、共模电感、变压器、晶振，保险丝等有特殊要求的器件参数要显示出来，LED应标示型号或颜色。 6. 有确定含义的低电平有效信号采用*或者_N（引入逻辑的需要用_N）后缀结尾。“有确定含义”包括但不限于如下信号：片选，读写，控制，使能。 7. 所有的时钟网络要有网络标号，以CLK 字符结尾，以便于SI分析、PCB布线和检查；非时钟信号禁止以CLK等时钟信号命名后缀结尾。时钟信号命名应尽量体现出时钟频率信息。 为了方便信号完整性分析和布线约束制定，并保证不引起歧义，时钟信号必须以规定的CLK后缀结束。其他信号，例如时钟使能信号等，一律禁止以该信号命名后缀结束。时钟信号命名还应体现出时钟频率。根据绘图者的习惯，可以体现出时钟的流向、用途、来源等信息。 例如：FPGA1_8K_CLK，FPGA2_33M_CLK，OIB0_52CHIP_TCLK都是符合规范的命名。 串联端接时钟网络的命名参见串联端接网络的绘制和命名 8. 在PCB布线时有特殊要求的网络要定义网络名，推荐在原理图上注明要求。 9. 采用串联端接的信号（包括时钟），串阻在原理图上应就近放置于驱动器的输出端。串阻和驱动器之间不放置网络标号，串阻后的网络进行命名（时钟信号必须命名并满足时 钟信号的命名规范）。 对于源端端接网络，正确的画法应该是将串阻直接画在驱动器件的输出端，串阻和驱动器件之间的网络可以不进行命名，串阻之后的网络进行命名。如下图所示为一个正确的范例。 如果将串阻放在接收端，或者在串阻之前的信号进行命名，串阻之后的信号不进行命名，都会使得布线的分析和检查困难，甚至会造成串阻被放置在接收端而未被查出的结果，导致信号完整性较差。如下图是不正确的范例。 10 提供各单点网络列表和未连接管脚列表，并一一确认 关于单节点网络和浮空管脚的检查 可以通过Cadence附带的原理图规则检查工具Rules Checker对原理图进行规则检查。我们最常用的是单节点（Single_node_net）和浮空管脚（Unconnected_instance）检查。 启动Rules Checker的方法是选择Allegro Project Manager的菜单Tools – Rules Checker。在Logic Rules一项中选择net_name_checks.rle中的single_node_net和Property_checks.rle中的unconnected_instance选项（根据需要可以继续选择nets_shorted等选项），运行Rules Checker。 运行完成的结果可以通过读取文本文件的方式检查，也可以通过View Marker直接在原理图上定位确认。 在设计中出现单节点和浮空管脚是很正常的事情，例如单板静电泄放模块中有很多单节点。本条目要求的是对所有的单节点和未连接管脚进行确认，确保没有漏接网络或者遗留未处理的CMOS输入管脚、器件控制管脚。

电路中，电容的主要作用有四种，也就是我们常说的储能，滤波，旁路，去耦。四种电路的应用形式，可以用下图简要表示应用场合。 其中，对于储能我已经多次详细讲过，不妨再重复一次。对于电容的储能效果可以描述如下。 不降低于 IC 的最低工作电压，以保证工作安定。 结论：此时的备用电容相当于小池塘的功能。类似于庄稼需要水灌溉，如果只有远处的水库水源充足，那么当干旱严重时，远水解不了近渴，庄稼可能枯萎。 但是，如果庄稼旁边有小池塘，那么，但干旱严重时，可以先通过小池塘来应急，保证庄稼稳定生长，待水库水源过来时，在大规模补充。 其中，庄稼相当于图中的芯片； 干旱严重相当于要求大电流； 小池塘就是电容；水库指的是远处的电源模块。 然后，电容的主要分类有陶瓷电容，钽电容，贴片电容和电解电容等。 而这当中， 0.1μF 可以说是所有电路设计中最重要最普遍的存在。 我们随便举几个例子， 0.1uf 陶瓷电容器非常适合滤除 1KHz 以上的噪声。电源尖峰和其他噪声可能会导致项目中发生各种奇怪的事情，因此拥有其中的一些应该会有所帮助！该专用电容器的额定电压为 0.1uF 和 50V 。将它们放置在所有 IC 上 VCC 引脚旁边，以提高稳定性。 无论是在原理图，或者 PCB ，又或者 BOM 中，都非常常见。 比如原理图中， 在比如 PCB 中，电容尤其是 0.1uf 的电容应用也相当广泛。 当时被我们当作万精油的 0.1uf 电容，也不要什么地方都用。 因为，根据电容的阻抗 - 频率的特性曲线 电容在高频范围内，不再是一个单纯的电容，还会有电感的特性成分。具体来说，谐振点有两条曲线交会而成，左边取决于电容器件的容量 C ，右边取决于电容器件的 ESL. 基于这个原因，在高频时， 0.1uf 的电容就不单单是电容了，还要考虑其电感的影响。 知道这一点后，那高频该如何选择呢？多少频率范围算是高频呢 ? 我们就可以参考上图，或者网上找更全面的电容值和自谐振频率对照表来加以参考。 透过这张表，也能看出，电容的应用也工作的场景及频率范围有密切的关系，不能一刀切的应用。

　　在我们遇到引脚数量特别多的芯片时，此前用的创建元件的方法会显得特别的麻烦，且费时费力，也会容易出现错误，这时我们可以通过Capture导入Excel表格的方式来创建元件。 　　 第一步 ，右击.olb文件，点选New Part From Spreadsheet，如图1所示。 图1 表格导入选项 　　 第二步 ，打开需要创建的元件的Datasheet，将管脚信息通过可编辑的PDF软件复制粘贴成Word文档来复制粘贴。可以网上搜索，或者直接自己手工创建。 　　 第三步 ，通过Excel表格整理成如图2所示。 　　 Number ：代表着元器件的管脚号，通过表格我们可以发现，从第17管脚开始我们的元器件管脚是倒序的，那是因为我们的元器件右方跟上方的管脚式倒序的，所以这里我们要注意顺序，如图3所示。 　　 Name ：元器件的管脚名称，从Datasheet中直接复制粘贴编辑好即可，注意与管脚号对应。 　　 Type ：是元器件的管脚类型，一般的管脚定义为“PASSIVE”即可，此处要注意的是，电源管脚一定要是“POWER”类型，不然导网表时会报错。 　　 Pin Visable ：空着即可，在Orcad软件中勾选即为可视，这处是在软件中编辑的。 　　 Shape ：将所有管脚定义成“Line”即可。 　　 Pin Group ：定义管脚组，空闲即可。 　　 Position ：管脚的位置，以此处为例，32个管脚，1-8为“left”左边，9-16为“bottom”下面，17-24为“right”右边，25-32为“top”上面，整个管脚为逆时针排序方式。 　　 Section ：如果是分裂元器件，则可自行定义管脚的AB部分，此处器件为一个整体，我们全部定义成“A”即可。 图2 管脚Excel表格 图3 管脚排序 　　 第四步 ，将表格中定义好的数据复制后直接粘贴到New Part From Spreadsheet对话框中，在“Part Name”中输入元器件名字，如图4所示，此处例子输入的是“Stm32”。“Part reference”输入器件的位号，由于是芯片，此处定义成“U”。 　　 第五步 ，“Power”类型的管脚由于名称一致，粘贴到New Part From Spreadsheet对话框中软件会默认将“Power”类型的管脚只勾选一个，其他不勾选，此时需要手动全部勾选，不然部分“Power”类型管脚不可视。全部设置完毕点击Save即可。 图4 New Part From Spreadsheet对话框 　　 第六步 ，完成的元器件如图5所示，此时再调整一下元器件的外形框以及管脚的位置，到此元器件创建完毕。 图5 元器件外形框调整前 图6 元器件外形框调整后 　　备注：文中部份内容来源于网络，如有侵权，请联系本作者删除。