资料
  • 资料
  • 专题
【FDC6312P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
推荐星级:
类别: 消费电子
时间:2024-02-28
大小:283.09KB
阅读数:28
上传用户:VBsemi
查看他发布的资源
下载次数
0
所需E币
0
ebi
新用户注册即送 300 E币
更多E币赚取方法,请查看
close
资料介绍
详细参数说明:
- 型号:FDC6312P-VB
- 丝印:VB4290
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 2个P沟道
  - 工作电压:-20V
  - 工作电流:-4A
  - 导通电阻:75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V
  - 门源极电压范围:12Vgs (±V)
  - 阈值电压范围:-1.2 ~ -2.2Vth(V)
  - 封装:SOT23-6

应用简介:
这款FDC6312P-VB型号的晶体管适用于需要P沟道的场合,可以用于各种需要控制电流和电压的应用。其主要应用领域包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于设备电源管理模块,主要用于控制电源开关和稳定输出电压。通过控制门源极电压和阈值电压,可以实现电源的开关控制和调节输出电压。

2. 电机驱动模块:FDC6312P-VB晶体管具有较低的导通电阻和较高的工作电流能力,适用于各种需要高效、稳定驱动电机的场合。可以用于电动工具、汽车电动座椅、航模、无人机等应用中的电机驱动模块。

3. 电池管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于电池充放电管理模块,通过控制电流和电压,保护电池的充电和放电过程。同时,其小尺寸的封装可以满足电池管理模块对于体积的要求。

4. 其他模块:FDC6312P-VB晶体管还可以用于其他需要控制电流和电压的模块,比如LED照明模块、电子设备的开关控制模块等。

总之,FDC6312P-VB晶体管适用于各种需要P沟道的控制电流和电压的应用场合,广泛应用于电源管理模块、电机驱动模块、电池管理模块等领域模块上。




型号: SI4848DY-T1-E3-VB
丝印: VBA1158N
品牌:VBsemi
参数: N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8

详细参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 最大电压:150V
- 最大电流:5.4A
- 开态电阻:80mΩ @ 10V;85mΩ @ 4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:2Vth (V)
- 封装类型:SOP8

应用简介:
SI4848DY-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备和电路中的功率开关应用。该器件具有低开态电阻,能够在较低的电压下提供低电压降,具备较低的损耗和高效率。

这款产品可以广泛应用于以下领域模块:
1. 电源模块:由于SI4848DY-T1-E3-VB具有高电流承载能力和低电压降特性,适用于电源模块中的开关电路和功率开关。
2. 电机控制模块:该器件能够提供高功率输出和低能耗,适用于电机控制模块中的开关电路,如直流电机驱动器和步进电机控制器等。
3. 照明模块:SI4848DY-T1-E3-VB在照明模块中可以用作开关电路,实现灯光的开关和亮度控制。
4. 电源逆变器:该产品可以用于逆变器模块中的开关电路,将直流电源转换为交流电源,如太阳能逆变器和电动车驱动器等。

总之,SI4848DY-T1-E3-VB适用于各种需要功率开关控制的电子设备和模块,如电源模块、电机控制模块、照明模块和电源逆变器等。它的特点是低开态电阻、高电流承载能力和低电压降,能够提供高效率和低能耗的功率开关解决方案。
版权说明:本资料由用户提供并上传,仅用于学习交流;若内容存在侵权,请进行举报,或 联系我们 删除。
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书