资料
  • 资料
  • 专题
【IPD50P04P4L-11-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
推荐星级:
类别: 消费电子
时间:2024-02-28
大小:280.93KB
阅读数:26
上传用户:VBsemi
查看他发布的资源
下载次数
0
所需E币
0
ebi
新用户注册即送 300 E币
更多E币赚取方法,请查看
close
资料介绍
型号: IPD50P04P4L-11-VB
丝印: VBE2412
品牌: VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型:P沟道
- 最大工作电压:-40V
- 最大工作电流:-65A
- 导通电阻:10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压:-1.6Vth(V)
- 封装类型:TO252

应用简介:
IPD50P04P4L-11-VB适用于各种领域的电子模块,主要用于功率开关应用。由于P沟道MOSFET具有负责电流的优点,因此它们广泛应用于电源管理和开关模块。

此型号产品可用于以下领域模块:
1. 电源模块:由于其高电流和低导通电阻特性,适用于高功率电源模块,如电动汽车充电器和电池管理系统。
2. 电机驱动模块:具有高工作电流能力的IPD50P04P4L-11-VB可用于电机驱动模块,如电动机控制器和电机驱动电路。
3. 照明模块:由于其高电流能力和低导通电阻特性,可用于LED照明模块,如LED驱动器和LED灯控制电路。
4. 工业控制模块:适用于工业控制模块,如工业自动化控制系统和工业电源模块。

总之,IPD50P04P4L-11-VB适用于需要高功率开关能力和低导通电阻的电子模块应用,并可广泛应用于电源管理、电机驱动、照明和工业控制等领域。
版权说明:本资料由用户提供并上传,仅用于学习交流;若内容存在侵权,请进行举报,或 联系我们 删除。
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书