原创 【晒一波电源】反激电源多路输出的RCD吸收电路调整

2024-7-7 16:42 232 1 1 分类: 电源/新能源 文集: 科学技术
反激电源多路输出原理图如下:


重点讨论红色圈圈的RCD电路的调整,如何调整参数达到合理的数值。


R6=3.3K 1206封装,R31=3.3K  1206封装,C32=200V/100NF 1206封装,D8=ES1D,200V,1A,SMT封装。


机箱对充,满载200A,充放电(25℃)温升测试,发现RCD温升过高,温升数据如下:

充电温升数据如下,


放电温升数据如下,


用示波器实测C32=200V/100NF 1206封装的实际波形,未有起到有效吸收漏感造成的电压尖峰,下面的C32电压波形看到,电容的电压没有放完就进入下一个循环,在温度和波形的见证下,可见电容参数不合理。



决定调整RCD的参数,直到合理范围为止,

首先加大R6,R31的电阻,测试C32的波形如下,C32=22nF,R31=10K,R6=10K,同时监测了MOS管的Vds波形,观察一下电压尖峰的变化。



常温下测试的温度数据如下:

充电温升数据如下,

放电温升数据如下,

数据的整理分析,温度数据还是有些偏高,原理图预留了MOS管的放电回路,增加了驱动电阻R7=100Ω,给MOS管弄个放电回路,加速MOS管的关断,如图。


调整了RCD参数,C32=22nF,R31=3.3K,R6=3.3K,同时监测了MOS管的Vds波形,观察一下电压尖峰的变化,测试C32的波形如下,

没有加R7的波形如下,最大值Vds=72.4V,


有加R7的波形如下,最大值Vds=57.1V,


可见R7加不加,对Vds的电压尖峰影响很大,从而可以影响RCD的参数调整效果,最终确定RCD的参数C32=22nF,R31=3.3K,R6=3.3K,R7=100Ω,测试波形如下,


常温下,充放电的温度测试数据如下,



和起初的数据对比,明显优化了很多,MOS管从86.53,87.63优化到了64.88,64.62。

其他温升数据也优化不少,RCD的,还有控制IC的,副边二极管D33。


作者: liweicheng, 来源:面包板社区

链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-468701.html

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