原创 【晒一波电源】反激电源多路输出的RCD吸收电路调整

重点讨论红色圈圈的RCD电路的调整，如何调整参数达到合理的数值。

R6=3.3K 1206封装,R31=3.3K  1206封装,C32=200V/100NF 1206封装，D8=ES1D，200V，1A，SMT封装。

机箱对充，满载200A，充放电（25℃）温升测试，发现RCD温升过高，温升数据如下：

充电温升数据如下，

放电温升数据如下,

用示波器实测C32=200V/100NF 1206封装的实际波形，未有起到有效吸收漏感造成的电压尖峰，下面的C32电压波形看到，电容的电压没有放完就进入下一个循环，在温度和波形的见证下，可见电容参数不合理。

决定调整RCD的参数，直到合理范围为止，

首先加大R6,R31的电阻，测试C32的波形如下，C32=22nF,R31=10K,R6=10K，同时监测了MOS管的Vds波形，观察一下电压尖峰的变化。

常温下测试的温度数据如下：

充电温升数据如下，

放电温升数据如下，

数据的整理分析，温度数据还是有些偏高，原理图预留了MOS管的放电回路，增加了驱动电阻R7=100Ω，给MOS管弄个放电回路，加速MOS管的关断，如图。

调整了RCD参数，C32=22nF,R31=3.3K,R6=3.3K，同时监测了MOS管的Vds波形，观察一下电压尖峰的变化，测试C32的波形如下，

没有加R7的波形如下，最大值Vds=72.4V，

有加R7的波形如下，最大值Vds=57.1V，

可见R7加不加，对Vds的电压尖峰影响很大，从而可以影响RCD的参数调整效果，最终确定RCD的参数C32=22nF,R31=3.3K,R6=3.3K，R7=100Ω，测试波形如下，

常温下，充放电的温度测试数据如下，

和起初的数据对比，明显优化了很多,MOS管从86.53，87.63优化到了64.88,64.62。

其他温升数据也优化不少，RCD的，还有控制IC的，副边二极管D33。