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【FDS4435A-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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阅读数:42
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资料介绍
型号: FDS4435A-NL-VB
丝印: VBA2317
品牌:VBsemi

参数:
- P沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-7A
- 导通电阻:
  - RDS(ON):23mΩ@10V
  - RDS(ON):29mΩ@4.5V
  - RDS(ON):66mΩ@2.5V
- 门源极电压:20Vgs(±V)
- 阈值电压:-1.37Vth(V)
- 封装类型:SOP8

详细参数说明:
FDS4435A-NL-VB是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其电气参数为额定电压为-30V,额定电流为-7A。其导通电阻RDS(ON)在不同的电压下有不同的取值,如在10V时为23mΩ,在4.5V时为29mΩ,在2.5V时为66mΩ。其最大允许的门源极电压为20Vgs,阈值电压为-1.37Vth(V)。该器件采用SOP8封装。

应用简介:
FDS4435A-NL-VB常被广泛应用于各种电路模块中,如电源管理,电池充放电控制,开关电源等。

产品应用领域:
FDS4435A-NL-VB适用于以下领域的模块:
1. 电源管理:可用于电源开关模块、直流-直流(DC-DC)转换器、逆变器等。
2. 电池充放电控制:可应用于锂电池充电管理、电池保护、电池充电器等领域的模块。
3. 开关电源:可用于开关电源的开关组件、逆变器等。
4. 其他领域:该器件还可应用于电机驱动、照明控制等领域的模块。

总之,FDS4435A-NL-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高性能特性,常被广泛应用于电源管理、电池充放电控制、开关电源等领域的模块。
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