丝印： VBA2317
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-7A
- 导通电阻：
- RDS(ON)：23mΩ@10V
- RDS(ON)：29mΩ@4.5V
- RDS(ON)：66mΩ@2.5V
- 门源极电压：20Vgs(±V)
- 阈值电压：-1.37Vth(V)
- 封装类型：SOP8
详细参数说明：
FDS4435A-NL-VB是一款P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其电气参数为额定电压为-30V，额定电流为-7A。其导通电阻RDS(ON)在不同的电压下有不同的取值，如在10V时为23mΩ，在4.5V时为29mΩ，在2.5V时为66mΩ。其最大允许的门源极电压为20Vgs，阈值电压为-1.37Vth(V)。该器件采用SOP8封装。
应用简介：
FDS4435A-NL-VB常被广泛应用于各种电路模块中，如电源管理，电池充放电控制，开关电源等。
产品应用领域：
FDS4435A-NL-VB适用于以下领域的模块：
1. 电源管理：可用于电源开关模块、直流-直流（DC-DC）转换器、逆变器等。
2. 电池充放电控制：可应用于锂电池充电管理、电池保护、电池充电器等领域的模块。
3. 开关电源：可用于开关电源的开关组件、逆变器等。
4. 其他领域：该器件还可应用于电机驱动、照明控制等领域的模块。
总之，FDS4435A-NL-VB是一款P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高性能特性，常被广泛应用于电源管理、电池充放电控制、开关电源等领域的模块。
