标签: 充电模块

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率(dv/dt)和电流转换速率(di/dt)是SiC功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰(EMI)更为敏感。碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。