SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
