资料
  • 资料
  • 专题
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
时间:2022-01-27
大小:1.12MB
阅读数:1088
上传用户:Eways-SIC
查看他发布的资源
下载次数
17
所需E币
0
资料介绍
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。但是,由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) SiC 功率器件的固有特性,使其与硅基电路相比,这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感
所属专题
展开资源列表

SIC MOSFET第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。

1
收藏 举报
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
  • 好资料,谢谢分享!
  • 没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书