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碳化硅MOS应用充电桩
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类别： 基础知识 电源/功率 工业/医疗
时间：2022-01-20
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资料介绍
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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SIC碳化硅应用 汇总
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SIC MOSFET第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

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相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
  • 三剑笑 2022-03-03
    可以很清楚知道新型mos管的应用相对于旧的应用区别。值得查看`
  • 胡利辉 2022-02-23
    ok
  • power3_734415083 2022-02-19
    感谢楼主分享
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