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分享一份华为关于射频天线匹配的设计机调试指导，做过相关的设计，觉得指导性比较强，可以供参考，也是很好的学习资料。 本文主要分享要点，如果觉得需要原件，可以百度搜索，资源很多，如果搞不到，可以私信我，发百度网盘链接。 1 整体介绍 1.1 概述 华为终端模块产品设计中， 虽然天线口与外接天线连接器 switch 都是按 50 ohm 设计的，但由于分布参数影响工艺上很难做到刚好都是 50 ohm，如果天线口与外接天线连接器 switch 的阻抗刚好能共轭匹配，将会获得最优的射频性能。所以在模板的天线与外接天线连接时要增加匹配网络，避免因射频通路上的阻抗不匹配而造成的反射和损耗，以致降低了射频性能。 本设计指南介绍了使用终端模块产品时， 射频天线口匹配的设计和调试方法。 2 仪器说明 2.1 所用仪器 我们这里用的矢量网络分析仪是 Agilent E5071C，当然也可选用其它型号的矢量网络分析仪。 Agilent E5071C 参数如下： 品牌： 美国安捷伦 Agilent 型号： E5071C | Agilent E5071C 描述： Agilent E5071C ENA 网络分析仪具有同类产品中最高的射频性能和最快的速度，并具有宽频率范围和全面的功能。它是制造和研发工程师们测试频率范围在 20GHz 以内的射频元器件和电路的理想解决方案。 Agilent E5071C ENA 网络分析仪新款 20 GHz 选件可将 E5071C ENA 系列网络分析仪的频率范围扩展至 20 GHz。新款 20 GHz 选件支持双端口（选件 2K5）和四端口（选件 4K5）两种配置，可用于测量各种成分，例如 WLAN、 WiMAX™、 UWB 或任何4G 技术中的无源器件的第三个谐波。 Agilent E5071C ENA 网络分析仪， 9 kHz 至 8.5 GHz/300 kHz 至 20 GHz。 123 dB 的动态范围（典型值）  极快的测量速度：全双端口校准时为 41 ms， 1601 点  低迹线噪声： 70 kHz 中频带宽（IFBW）处为 0.004 dB rms  Agilent E5071C ENA 网络分析仪集成的 S 参数测试装置  端口选项： 2 端口和 4 端口  平衡测量能力（4 端口选件） 3 模块天线口匹配参考原理图 3.1 模块天线口匹配参考原理图 华为模块天线口匹配参考原理图如下图所示： 图3-1 华为模块天线口匹配参考原理图 说明  匹配网络为 C1、 L1 和 C2 构成的∏型匹配， C3 为隔直电容。  匹配网络在布局放置时最好能靠近模块的天线焊盘。而从模块的天线焊盘到天线（ 或天线SWITCH） 的走线总长度尽量短。  匹配网络中电容电感符号只是示意图， C1， L1 和 C2 的值要通过阻抗匹配调试来确定， 既可能是电容也可能是电感，当然也可能不用焊上器件（ NC）。 4 天线口匹配调试 4.1 天线口匹配网络模型和网络参数 常见的二端口网络如下图所示： 图4-1 常见的二端口网络 a1 和 b1 分别为输入端口的入射波和出射波； a2 和 b2 分别为输出端口的入射波和出射波； Sij 表示网络散射参数的各个分量，其中 Sii 表示当所有其它端口接匹配负载时端口 i 的反射系数， Sij 表示当所有其它端口接匹配负载时从端口 j 到端口 i 的传输系数。 我们的天线口匹配就是如图 4-1 所示的一个二端口网络，而且具有互易性，即 S12 = S21。 4.2 天线口匹配调试 调试时，要先设定矢量网络分析仪的测试频率范围，显示模式用 smith（R+jX），然后用校准件进行校准， 最后在 ANT PAD 端口焊开口电缆， ANT 接 50 ohm 射频匹配负载，用矢量网络分析仪调试 C1， L1 和 C2 ，使 S11 参数在所用频带内收敛于 SMITH圆图圆心（50 ohm）处， 越收敛越好， 如图 4-2 所示。 图4-2 模块天线口匹配 S11 圆图 将 S11 参数在所用频带内收敛于 SMITH 圆图圆心（50 ohm）后，匹配已调试完毕，此时测量所用频点的 S12 值，作为线损补偿。测量 S12 时，显示模式最好选用幅值的对数模式 Log Mag 来读值，如图 4-3 所示。一般情况下选所用频带的中信道频点的S12 值作为插损。 图4-3 模块天线口匹配补偿值测量 把 Marker 功能打开， 在图 4-3 的左上方可以读得各 marker 点的 S12 值，其表示这段线路的插损，理论上其绝对值越小越好。

​ 转载-- 8号线攻城狮 2021-10-19 07:00 1、变压器饱和 变压器饱和现象 在高压或低压输入下开机(包含轻载，重载，容性负载)，输出短路，动态负载，高温等情况下，通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长，当出现此现象时，电流的峰值无法预知及控制，可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。 ​ 变压器饱和时的电流波形 容易产生饱和的情况： 1）变压器感量太大； 2）圈数太少； 3）变压器的饱和电流点比IC的最大限流点小； 4）没有软启动。 解决办法： 1）降低IC的限流点； 2）加强软启动，使通过变压器的电流包络更缓慢上升。 ​ 2、Vds过高 Vds的应力要求： 最恶劣条件(最高输入电压，负载最大，环境温度最高，电源启动或短路测试)下，Vds的最大值不应超过额定规格的90% Vds降低的办法： 1）减小平台电压：减小变压器原副边圈数比； 2）减小尖峰电压： a. 减小漏感： 变压器漏感在开关管开通时存储能量是产生这个尖峰电压的主要原因，减小漏感可以减小尖峰电压。 b. 调整吸收电路： ①使用TVS管； ②使用较慢速的二极管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰)； ③插入阻尼电阻可以使得波形更加平滑，利于减小EMI。 3、IC 温度过高 原因及解决办法： 1）内部的MOSFET损耗太大： 开关损耗太大，变压器的寄生电容太大，造成MOSFET的开通、关断电流与Vds的交叉面积大。解决办法：增加变压器绕组的距离，以减小层间电容，如同绕组分多层绕制时，层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘) 。 2）散热不良： IC的很大一部分热量依靠引脚导到PCB及其上的铜箔，应尽量增加铜箔的面积并上更多的焊锡 3）IC周围空气温度太高： IC应处于空气流动畅顺的地方，应远离零件温度太高的零件。 4、空载、轻载不能启动 现象： 空载、轻载不能启动，Vcc反复从启动电压和关断电压来回跳动。 原因： 空载、轻载时，Vcc绕组的感应电压太低，而进入反复重启动状态。 解决办法： 增加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻，适当加上假负载。如果增加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻后，重载时Vcc变得太高，请参照稳定Vcc的办法。 5、启动后不能加重载 原因及解决办法： 1）Vcc在重载时过高 重载时，Vcc绕组感应电压较高,使Vcc过高并达到IC的OVP点时，将触发IC的过压保护，引起无输出。如果电压进一步升高，超过IC的承受能力，IC将会损坏。 2）内部限流被触发 a.限流点太低 重载、容性负载时，如果限流点太低，流过MOSFET的电流被限制而不足，使得输出不足。解决办法是增大限流脚电阻，提高限流点。 b.电流上升斜率太大 上升斜率太大，电流的峰值会更大，容易触发内部限流保护。解决办法是在不使变压器饱和的前提下提高感量。 6、待机输入功率大 现象： Vcc在空载、轻载时不足。这种情况会造成空载、轻载时输入功率过高，输出纹波过大。 原因： 输入功率过高的原因是，Vcc不足时，IC进入反复启动状态，频繁的需要高压给Vcc电容充电，造成起动电路损耗。如果启动脚与高压间串有电阻，此时电阻上功耗将较大，所以启动电阻的功率等级要足够。 电源IC未进入Burst Mode或已经进入Burst Mode，但Burst 频率太高，开关次数太多，开关损耗过大。 解决办法： 调节反馈参数，使得反馈速度降低。 7、短路功率过大 现象： 输出短路时，输入功率太大，Vds过高。 原因： 输出短路时，重复脉冲多，同时开关管电流峰值很大，造成输入功率太大过大的开关管电流在漏感上存储过大的能量，开关管关断时引起Vds高。 输出短路时有两种可能引起开关管停止工作： 1）触发OCP这种方式可以使开关动作立即停止 a. 触发反馈脚的OCP； b. 开关动作停止； c. Vcc下降到IC关闭电压； d. Vcc重新上升到IC启动电压，而重新启动。 2）触发内部限流 这种方式发生时，限制可占空比，依靠Vcc下降到UVLO下限而停止开关动作，而Vcc下降的时间较长，即开关动作维持较长时间，输入功率将较大。 a. 触发内部限流，占空比受限； b. Vcc下降到IC关闭电压； c. 开关动作停止； d. Vcc重新上升到IC启动电压，而重新启动。 解决办法： 1）减少电流脉冲数，使输出短路时触发反馈脚的OCP，可以使开关动作迅速停止工作，电流脉冲数将变少。这意味着短路发生时，反馈脚的电压应该更快的上升。所以反馈脚的电容不可太大； 2）减小峰值电流。 8、空载，轻载输出纹波过大 现象： Vcc在空载或轻载时不足。 原因： Vcc不足时，在启动电压(如12V)和关断电压(如8V)之间振荡IC在周期较长的间歇工作，短时间提供能量到输出，接着停止工作较长的时间，使得电容存储的能量不足以维持输出稳定，输出电压将会下降。 解决方法： 保证任何负载条件下，Vcc能够稳定供给。 现象： Burst Mode时，间歇工作的频率太低，此频率太低，输出电容的能量不能维持稳定。 解决办法： 在满足待机功耗要求的条件下稍微提高间歇工作的频率，增大输出电容。 9、重载、容性负载不能启动 现象： 轻载能够启动，启动后也能够加重载，但是重载或大容性负载情况下不能启动。 一般设计要求： 无论重载还是容性负载(如10000uF)，输入电压最低还是最低，20mS内，输出电压必须上升到稳定值。 原因及解决办法 (保证Vcc在正常工作范围内的前提下)： 下面以容性负载C=10000uF为例进行分析， 按规格要求，必须有足够的能量使输出在20mS内上升到稳定的输出电压(如5V)。 E=0.5*C*V^2 电容C越大，需要在20mS内从输入传输到输出的能量更大。 ​ 以芯片FSQ0170RNA为例如图所示，阴影部分总面积S就是所需的能量。要增加面积S，办法是： 1）增大峰值电流限流点I_limit，可允许流过更大电感电流Id：将与Pin4相接的电阻增大，从内部电流源Ifb分流更小，使作为电流限制参考电压的PWM比较器正输入端的电压将上升，即允许更大的电流通过MOSFET/变压器，可以提供更大的能量。 2）启动时，增加传递能量的时间，即延长Vfb的上升时间(到达OCP保护点前)。 ​ 对这款FSQ0170RNA芯片，电感电流控制是以Vfb为参考电压的，Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。控制Vfb的上升时间即可控制电感包络的上升时间，即增加传递能量的时间。 IC的OCP功能是检测Vfb达到Vsd(如6V)实现的。所以要降低Vfb斜率，就可以延长Vfb的上升时间。 输出电压未达到正常值时，如果反馈脚电压Vfb已经上升到保护点，传递能量时间不够。重载、容性负载启动时，输出电压建立较慢，加到光耦电压较低，通过光耦二极管的电流小，光耦光敏管高阻态(趋向关断)的时间较长。IC内部电流源给与反馈脚相接的电容充电较快，如果Vfb在这段时间内上升到保护点(如6V)，MOSFET将关断。输出不能达到正常值，启动失败。 解决办法： 使输出电压达到正常值时，反馈脚电压Vfb仍然小于保护点。使Vfb远离保护点而缓慢上升，或延长反馈脚Vfb上升到保护点的时间，即降低Vfb的上升斜率，使输出有足够的时间上升到正常值。 A.增大反馈电容(C9)，可以将Vfb的上升斜率降低，如图所示，由D线变成A线。但是反馈电容太大会影响正常工作状态，降低反馈速度，使输出纹波变大。所以此电容不能变化太大。 B.由于A方法有不足，将一个电容(C7)串连稳压管(D6，3.3V)并联到反馈脚。此法不会影响正常工作，如B线所示，当Vfb 注意点： 1）增加反馈脚电容(包括稳压管串电容)，对解决超大容性负载问题作用较小； 2）增大峰值电流限流点I_limit，同时也增加了稳态下的OCP点。需要在容性负载，输入最低情况下检查变压器是否会饱和； 3）如果要保持限流点，须使R10×C11更大，但在超大容性负载(10000uF)情况下，可能会增加5Vsb的上升时间超过20mS，此法需要检查动态响应是否受太大影响； 4）431的偏置电阻R10太小，431并联的C11要更大； 5）为了保证上升时间，增大OCP点和增大R10×C11方法可能要同时使用。 10、空载、轻载输出反跳 现象： 在输出空载或轻载时，关闭输入电压，输出(如5V)可能会出现如下图所示的电压反跳的波形。 ​ 原因： 输入关掉时，5V输出将会下降，Vcc也跟着下降，IC停止工作，但是空载或轻载时，巨大的PC电源大电容电压并不能快速下降，仍然能够给高压启动脚提供较大的电流使得IC重新启动，5V又重新输出，反跳。 解决方法： 在启动脚串入较大的限流电阻，使得大电容电压下降到仍然比较高的时候也不足以提供足够的启动电流给IC。 将启动接到整流桥前,启动不受大电容电压影响。输入电压关断时，启动脚电压能够迅速下降。 来源：21ic电子网 ---End--- ​

MounRiver® Studio(MRS) 配合 GD-Link 、 WCH-Link 、 JLink 等在线调试下载器，可支持 GDVFx 系列、 CH56x 、 CH57x 、 CH58x 、 CH32Fx 、 CH32Vx 等 RISC-V/ARM 内核 MCU 工程的代码调试功能。本文主要介绍 MRS 针对 RISC-V 内核 MCU 的代码调试操作。 【启动调试】以 CH32V103C8T6 的芯片工程为例来说，首先保证工程可以编译通过，然后点击菜单栏 按钮，开始进入调试模式，正常进入调试模式会停在如图所示的位置，此位置有一个临时断点： 【更改默认断点位置】当然如果希望工程可以直接停在 main 函数起始地方，也可以去手动更改此断点的位置，点击 调试图标旁 的下拉按钮，选择 ”Debug Configurations” ，在弹出的页面中选择 Startup 选项卡，将 set breakpoint at 设置为 main 即可。 配置完成后点击右下角 Debug ，或者保存之后退出配置，点击菜单栏 ，进入调试模式后就会停在刚才设置的位置 【查看机器码】进入调试之后，可以看到左下角 Disassembly 窗口，此窗口可以显示 PC 附近代码的汇编以及地址，也可以在左侧空白处鼠标右键，选择 show opcodes, 来显示机器码。 【机器码断点与跳转】双击反汇编窗口左侧空白处也可以设置断点，红框位置处可以填写 16 进制的地址，用来跳转到想要查看位置的汇编代码。主窗口用来显示代码运行位置，可以在左侧窗体位置处双击来增加或取消断点。 【软件断点】因为采用的是软件断点，理论上不限制断点个数，但是过多的断点会引起程序仿真变慢。 【变量查看】右侧 Variables 窗口会显示当前函数中变量的值。也可以在此窗口修改你想要改变的变量的值，但注意只是修改到 Ram ，重新上电后该值恢复为实际大小。 【添加监测变量】 Experssions 可以自定义添加监测的变量，也同样可以修改，效果和 Variables 窗口中的一致。 【错误中断】下方 Registers 窗口显示的是 RISCV 内核的 CSR+GPR 寄存器，可以用来观测内核状态，有几个寄存器在出现 HARDFAULT 错误时可以帮助定位问题，在进入硬件错误中断处理函数时， mepc 显示的是出错时的地址， mcause 显示的是原因， mtval 显示的是出错时 cpu 取到的值， mcause 值含义如下图。 【断点窗口】 Breakpoints 窗口可以显示所有设置的断点位置，可以在此处使能或者删除段断点。 【内存窗口】 Memory 窗口可以用来查询不同地址的值，例如我们查询 0x2000000 ，点击该窗口下绿色加号 ，在弹出的窗口输入要查询的地址。此处也可更改不同地址内的数据，要注意的是根据芯片手册看此地址是否可以读写。 【外设寄存器窗口】 Peripherals 窗口可以选择要观察的外设寄存器，一同展示的内容除外设寄存器名称外，还有地址以及描述信息。

随着国内消费电子,汽车等产业的升级发展，以及国内企业或国际企业中国分部在中国研发业务的扩展。 越来越多的Lauterbach Trace32高端调试工具出现在中国工程师的工作台上，国内对Trace32调试工具的使用需求也越来越强烈。 为了帮助客户更好的理解和使用Trace32调试工具，以达到帮助用户提高工作效率，缩短产品研发及上市时间。Lauterbach 中国分公司特此提供如下三部分的培训内容：PowerDebug配置，包含Lauterbach Trace32软件/硬件安装和配置,以及调试环境的配置；PowerTrace实时软件跟踪运行； lauterbach 的debug 工具进行linux 环境下得调试。   视频地址如下 ： http://v.youku.com/v_show/id_XMzE2MzkyMTk2.html   本次视频主要讲解 PowerDebug 配置， Lauterbach Trace32 调试环境配置 调试环境配置： （1）确认硬件通信正常 （2）由程序开始菜单打开Lauterbach Trace32配置导“Trace32 Start” （3）以Power Debug USB II调试ARM架构的目标系统为例   登录页面http://www.eetrend.com/files-eetrend/banner/edm/lauterbach/201111/DM2.html 即可免费领取 劳特巴赫产品信息光盘 一张，同时有机会参与抽奖，奖品保温水杯一个。  

能耗分析 随着全球气候变暖问题日益显现以及各种“绿色”电子系统的纷纷面世，如何测量嵌入系统的能耗逐渐成为行业关注的焦点。在现代技术刊物中，关于电池驱动设备与低功耗微处理器的文章随处可见。该领域内越来越多的新技术赢得了各种创新奖项。多年来，行业内已采取了各种降低系统能耗的措施。但如果不能通过一个软件时刻来监控嵌入式系统，并使各个硬件工作在的剩电模式，则这些措施很难真正见效。自 2006 年初以来，Lauterbach 工具已开始支持各种测量功能，能够对嵌入式系统内的软件与功耗之间的相互影响进行比较分析。该技术从 2010 年中开始用在 TRACE32 CombiProbe 中。 多核调试 虽然多核芯片用于嵌入式系统中已有 10 年历史，且Lauterbach 早在 2001 年就开发出多核芯片调试器，但该领域仍然是一个技术热点。由于目前市场上关于增强内部系统操作可见性的需求正日益提高，因此在芯片调试结构内集成新型跟踪单元亦已成为大势所趋。以前只能够对单核生成跟踪信息，而现在可以有很多的其他跟踪源： TRACE32 调试器重视不断改进和持续开发，确保支持最新的跟踪源，而且保证调试器的配置简单，以及能够提供所得信息的综合分析功能。 串行端口跟踪 为了实现内部芯片流程的可见性，需要采集和处理大量跟踪数据，因此复杂的多核芯片和高性能处理器必须具有更大的带宽和以及更快速的跟踪端口。为了满足芯片制造商的要求，Lauterbach 开发出串行跟踪端口，这是近几年来行业内非常重要的创新产品之一。硬盘制造商很多年前就开始使用串行接口实现硬盘与计算机之前的高速数据交换，2008 年Lauterbach 开始推出采用串行端口技术的跟踪工具。在此期间，还有一些其他处理器使用串行跟踪接口。 更大的跟踪存储器 快速跟踪接口与高数据传输率显然都需要更大的跟踪存储空间，否则，将根本无法存储复杂嵌入系统大型程序的记录与长时间程序分析。   劳特巴赫工程师精心为您准备在线视频讲座，欢迎观看！ http://v.youku.com/v_show/id_XMzExNzcwMTI4.html   您可以登录“劳特巴赫(Lauterbach)中国公司”官方微博http://weibo.com/lauterbach 官方博客http://blog.sina.com.cn/lauterbachchina 官方网站http://www.lauterbach.com/frames.html?country=cn%3fhome_c.html 留言与专家进行互动，为您做免费咨询解答。