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功率器件技术
标签: 功率器件技术
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碳化硅功率器件技术综述与展望
所需E币: 0
时间: 2023-3-27 15:12
大小: 583.89KB
上传者:
Quest
碳化硅(siliconcarbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。
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