碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近 20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该 文对近些年来不同 SiC 器件的发展进行分类梳理，介绍二极 管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型 晶体管及门极可断晶闸管器件，并对比分析器件结构及参数 性能，针对关键问题展开论述。最后，对 SiC 器件近年的发 展进行总结和展望。