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碳化硅(SiC):新一代半导体材料
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时间:2023-03-27
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资料介绍
第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料,碳化硅 具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,广泛应用于制作高温、高频、大功率和 抗辐射电子器件。
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碳化硅相关介绍包括栅极驱动(SiC)、功率器件综述与展望
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