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芯片测试的几个术语及解释
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资料介绍
CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是wafer level的chip probing,是整个wafer工艺,包括backgrinding和backmetal(if need),对一些基本器件参数的测试,如vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高; FT是packaged chip level的Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC或Device芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试; Pass FP还不够,还需要做process qual 和product qual CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用,那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address,通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来,这样保证了yield和reliability两方面的提升。 CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平
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