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碳化硅相关资料
碳化硅相关资料
时间: 2023-03-27 15:01:39
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Quest
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碳化硅相关介绍包括栅极驱动(SiC)、功率器件综述与展望
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1、
碳化硅功率器件技术综述与展望
所需E币:0
上传者:
Quest
碳化硅(siliconcarbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件
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2、
碳化硅(SiC):新一代半导体材料
所需E币:1
上传者:
Quest
第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代
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3、
宽禁带半导体术语
所需E币:1
上传者:
Quest
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的--宽禁带半导体术语
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4、
IGBT 和 SiC 栅极驱动器 基础知识
所需E币:1
上传者:
Quest
1.GBT和SiC电源开关基础知识;2.隔离式栅极驱动器特性;3.IGBT和SiC保护基础知识
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5、
碳化硅栅极驱动器:电力电子行业的 颠覆性技术
所需E币:1
上传者:
Quest
探讨碳化硅(SiC)作为功率半导体开关及其生态系统(尤其是栅极驱动器)的价值,从而实现CO2减排及其相关优势,此外,文中还将介绍栅极驱动器和隔离要求。
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