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碳化硅相关资料

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时间： 2023-03-27 15:01:39

阅读数： 1661

创建者：Quest

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碳化硅相关介绍包括栅极驱动（SiC）、功率器件综述与展望

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本专题包括的资源（5）

1、碳化硅功率器件技术综述与展望

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碳化硅(siliconcarbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20年来，SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该文对近些年来不同SiC器件

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2、碳化硅（SiC）：新一代半导体材料

所需E币：1

上传者：Quest

第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代

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3、宽禁带半导体术语

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上传者：Quest

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的--宽禁带半导体术语

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4、 IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识

所需E币：1

上传者：Quest

1.GBT和SiC电源开关基础知识；2.隔离式栅极驱动器特性；3.IGBT和SiC保护基础知识

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5、碳化硅栅极驱动器：电力电子行业的颠覆性技术

所需E币：1

上传者：Quest

探讨碳化硅(SiC)作为功率半导体开关及其生态系统（尤其是栅极驱动器）的价值，从而实现CO2减排及其相关优势，此外，文中还将介绍栅极驱动器和隔离要求。

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