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半导体工艺:降低双重图形光刻的成本
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类别: 制造与封装
时间:2019-11-06
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上传用户:汽电黄蜂
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资料介绍
双重图形(DP)将是32nm技术节点的备选光刻技术之一。但由于这种方法需要两次曝光和两次刻蚀步骤,因此工艺成本较高且比较耗时。IMEC及其研发伙伴已经详细研究了替代工艺流程,从成本、关键尺寸均匀性(CDU)、线条粗糙度(LR)和套刻精度的角度,对工艺流程和材料进行了评估。

一种低成本DP方案与采用两次光刻两次刻蚀的标准DP一样,也可以获得32nm线条和特征尺寸。新的DP工艺流程去除了中间刻蚀步骤,而是在两次曝光之间采用用其他流程取代刻蚀。这种工艺在第一次曝光之后,将光刻胶冷冻,这样就不会受第二层光刻胶和第二次曝光的影响。这种成功的可冷冻光刻胶是由JSR Microelectronics开发的。

IMEC为来自世界各地的研发伙伴提供了合作研究项目,这样他们可以共享领先于实际产品两个技术代的IP、并分担研发成本和研究风险,当前的一个例子是(亚)32nm技术节点。IMEC是欧洲最大的纳米电子技术研究中心,拥有1600名研究人员从事最尖端的研究开发。
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