双重图形（DP）将是32nm技术节点的备选光刻技术之一。但由于这种方法需要两次曝光和两次刻蚀步骤，因此工艺成本较高且比较耗时。IMEC及其研发伙伴已经详细研究了替代工艺流程，从成本、关键尺寸均匀性（CDU）、线条粗糙度（LR）和套刻精度的角度，对工艺流程和材料进行了评估。

一种低成本DP方案与采用两次光刻两次刻蚀的标准DP一样，也可以获得32nm线条和特征尺寸。新的DP工艺流程去除了中间刻蚀步骤，而是在两次曝光之间采用用其他流程取代刻蚀。这种工艺在第一次曝光之后，将光刻胶冷冻，这样就不会受第二层光刻胶和第二次曝光的影响。这种成功的可冷冻光刻胶是由JSR Microelectronics开发的。

IMEC为来自世界各地的研发伙伴提供了合作研究项目，这样他们可以共享领先于实际产品两个技术代的IP、并分担研发成本和研究风险，当前的一个例子是（亚）32nm技术节点。IMEC是欧洲最大的纳米电子技术研究中心，拥有1600名研究人员从事最尖端的研究开发。