标签: SC703

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V),1-3Vth(V),SC70-3应用简介：AO7414-VB是一款适用于各种领域的N沟道功率MOSFET。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、卓越的温度稳定性和导通耐压等。该器件在20V工作电压下，最大能够承受4A的电流。同时，它具有较低的导通电阻，以保证低功耗和高效率的电流传输。该器件的阈值电压范围在1-3V之间，使其适用于各种电路控制需求。该器件采用SC70-3封装，具有小体积和高密度布局的优势，适用于紧凑型模块和电路设计。它广泛应用于各种领域的模块，包括但不限于：1.电源管理模块：AO7414-VB可用于电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器等功率管理模块中，以实现有效的能量转换和管理。2.电动工具：该器件适用于电动工具如电钻、扳手和锯等的功率控制模块，提供可靠的电源控制和高效能量传输。3.汽车电子模块：AO7414-VB可用于汽车电子模块，如车载音频系统、车身控制模块和照明控制模块，以提供高效的功率管理和保护功能。4.LED驱动器：该器件可用于LED照明驱动模块，以提供精确的亮度控制和高效的功率传输，适用于室内照明和汽车照明等应用。总之，AO7414-VB是一款用途广泛的N沟道功率MOSFET，适用于各种领域的模块，包括电源管理、电动工具、汽车电子和LED驱动器等。

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-驱动电压:12Vgs(±V)-阈值电压:-0.6~-2Vth(V)-封装类型:SC70-3应用简介:APM1403ASC-TRL-VB是一款P沟道场效应管。它具有较低的导通电阻和较高的额定电流，适用于多种领域的电子模块。该器件可以用于电源管理电路中的开关电源，用于调节传感器和执行器的电流，以及用于控制大功率负载。由于其低导通电阻和可靠性，它还可以用于电源逆变器、电机驱动器和照明应用中。此外，APM1403ASC-TRL-VB也可以用于手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电池管理电路。它能够提供高效的电池充电和放电，以延长设备的电池寿命。总之，APM1403ASC-TRL-VB适用于各种需要P沟道场效应管的电子模块，包括开关电源、电源管理、电动工具、电机驱动、电气照明和便携式设备等领域。

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：12Vgs(±V)-阈值电压范围：1~3Vth(V)-封装：SC70-3详细参数说明：-N沟道：这是一个N沟道MOSFET。N沟道MOSFET是一种场效应晶体管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种功率应用。-额定电压：该器件的额定电压为20V，意味着在正常工作条件下，其电压不应超过20V。-额定电流：该器件的额定电流为4A，意味着它可以承受最高4A的电流。-开态电阻：该器件的开态电阻是指在不同电压下的导通状态下的电阻值。它具有很低的开态电阻，分别为45mΩ@10V，49mΩ@4.5V和60mΩ@2.5V，意味着它可以减小功耗和发热。-门源电压范围：该器件的门源电压范围为12Vgs(±V)，这意味着在操作时，其门电极与源电极之间的电压应在12Vgs(±V)范围内。-阈值电压范围：该器件的阈值电压范围为1~3Vth(V)，这是指当其门源电压超过或低于1~3Vth(V)范围时，其导通状态将改变。-封装：该器件封装为SC70-3，这是一种小型封装，通常用于需要高密度组件的应用。应用简介：SI1308EDL-VB主要用于以下领域模块：1.电源管理模块：由于SI1308EDL-VB具有低导通电阻和能够承受较高电流的能力，它适用于电源管理模块中的功率开关和电流控制应用。2.DC-DC转换器：SI1308EDL-VB可以用于DC-DC转换器中的开关元件，以实现高效的电能转换。3.逆变器：逆变器用于将直流电转换为交流电。SI1308EDL-VB的高导通电流和低导通电阻使其适用于逆变器中的开关元件。4.电机驱动器：SI1308EDL-VB的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器中的开关元件。总结：SI1308EDL-VB是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理模块、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器等领域模块，具有低导通电阻、高电流承受能力和高效的电能转换能力。

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2160mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：1~2.5V-封装：SC70-3应用简介：2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要低功率开关、信号放大和电流控制的应用。**应用领域和模块说明：**1.**低功率开关模块**：  -由于其N沟道MOSFET的特性，2N7002WT1G-VB适用于低功率开关模块，可用于控制低电压和低电流的开关操作。  -在便携式电子设备、电源管理模块、小型电子开关中广泛使用。2.**信号放大模块**：  -该MOSFET可用于信号放大模块，用于放大和控制小信号的传输。  -在音频放大器、传感器接口、信号调理电路中用于信号处理。3.**电流控制模块**：  -2N7002WT1G-VB的特性使其适用于电流控制应用，可用于调整和限制电流流动。  -在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。4.**模拟开关模块**：  -该MOSFET可用于模拟开关模块，用于开关模拟信号。  -在模拟电路切换、模拟信号选择和模拟电路开关中广泛应用。总结，2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种低功率、信号处理和电流控制应用。其特性使其成为低功率电子设备、信号放大器、电流控制模块和模拟开关模块中的重要组件，有助于实现精确的电路控制和信号处理。

型号:MCH3409-TL-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):49mΩ@4.5V-静态导通电阻(RDS(ON)):60mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±12V-阈值电压(Vth):1V至3V-封装:SC70-3应用简介:MCH3409-TL-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**低功耗开关：**MCH3409-TL-VB适用于低功耗开关应用，例如电源管理模块中的低功耗开关和电源切换。2.**电源分配：**可以用于电源分配单元，帮助控制电路中的电流流动，以实现电源的有效管理。3.**电池保护：**在电池保护电路中，MCH3409-TL-VB可用于电池充电和放电的控制，确保电池的安全运行。4.**信号开关：**可以用于信号开关应用，如模拟信号切换和信号放大器的输入开关。5.**低功耗电子设备：**由于其低静态导通电阻和低功耗，适用于需要节能的低功耗电子设备。MCH3409-TL-VB的特点使其成为用于低功耗开关和电源管理的理想元件。它在低电流和低功耗应用中表现出色，可用于多种便携式和低功耗设备，如手机、平板电脑、传感器和便携式电子设备。

型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±12V-阈值电压(Vth):1~3V-封装类型:SC70-3应用简介:SI1304BDL-T1-GE3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源管理**:这款晶体管可用于电源管理模块，帮助实现电源的高效控制和管理，尤其在便携式设备中。2.**电流控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于需要电流控制的电子模块，如电机驱动、电池充放电控制等。3.**信号开关**:SI1304BDL-T1-GE3-VB可用于信号开关电路，适用于数据传输和信号处理模块，如高频应用。4.**LED照明**:在LED照明控制模块中，这款晶体管可以用作电流调节器和开关，实现亮度控制和颜色温度调整。5.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定。总之，SI1304BDL-T1-GE3-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源管理、电流控制、信号开关、LED照明和电池保护等领域。其N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。

型号：NTS4101PT1G丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12V-门源阈值电压范围：-0.6V~-2V-封装类型：SC70-3应用简介：NTS4101PT1G（丝印：VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：NTS4101PT1G是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-3A，RDS(ON)为98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V，门源电压范围为12V，门源阈值电压范围为-0.6V~-2V，封装类型为SC70-3。应用领域：NTS4101PT1G（VBK2298）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：NTS4101PT1G可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电池管理系统：它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。3.低功耗应用：NTS4101PT1G也适用于低功耗应用中的电源开关和信号控制等方面。综上所述，NTS4101PT1G（VBK2298）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和低功耗应用等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要高功率和高效能的电路。

型号：AO7407丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12V-门源阈值电压范围：-0.6V~-2V-封装类型：SC70-3应用简介：AO7407（丝印：VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：AO7407是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-3A，RDS(ON)为98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V，门源电压范围为12V，门源阈值电压范围为-0.6V~-2V，封装类型为SC70-3。应用领域：AO7407（VBK2298）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：AO7407可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电池管理系统：它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。3.低功耗应用：AO7407也适用于低功耗应用中的电源开关和信号控制等方面。综上所述，AO7407（VBK2298）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和低功耗应用等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要低功耗和高效能的电路。

NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2Vth(V)-封装类型：SC70-3应用简介：NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。NTS2101PT1G采用SC70-3封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性，NTS2101PT1G特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。

AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1~3V；封装：SC70-3应用简介：AO7400(VBK1270)是一款N沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。其中等额定电流和低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。优势：中等电流能力：适用于多种中等功率应用。低导通电阻：降低功耗，提高效率。可调阈值电压：可以根据需求调整阈值电压，实现不同的开关控制。适用模块：AO7400(VBK1270)适用于中等功率电流控制模块，如电源开关模块、电机驱动模块等。