丝印:VBK1270
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:4A
- 开态电阻:45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V
- 门源电压范围:12Vgs (±V)
- 阈值电压范围:1~3Vth (V)
- 封装:SC70-3
详细参数说明:
- N沟道:这是一个N沟道MOSFET。N沟道MOSFET是一种场效应晶体管,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率应用。
- 额定电压:该器件的额定电压为20V,意味着在正常工作条件下,其电压不应超过20V。
- 额定电流:该器件的额定电流为4A,意味着它可以承受最高4A的电流。
- 开态电阻:该器件的开态电阻是指在不同电压下的导通状态下的电阻值。它具有很低的开态电阻,分别为45mΩ @ 10V,49mΩ @ 4.5V和60mΩ @ 2.5V,意味着它可以减小功耗和发热。
- 门源电压范围:该器件的门源电压范围为12Vgs (±V),这意味着在操作时,其门电极与源电极之间的电压应在12Vgs (±V)范围内。
- 阈值电压范围:该器件的阈值电压范围为1~3Vth (V),这是指当其门源电压超过或低于1~3Vth (V)范围时,其导通状态将改变。
- 封装:该器件封装为SC70-3,这是一种小型封装,通常用于需要高密度组件的应用。
应用简介:
SI1308EDL-VB主要用于以下领域模块:
1. 电源管理模块:由于SI1308EDL-VB具有低导通电阻和能够承受较高电流的能力,它适用于电源管理模块中的功率开关和电流控制应用。
2. DC-DC转换器:SI1308EDL-VB可以用于DC-DC转换器中的开关元件,以实现高效的电能转换。
3. 逆变器:逆变器用于将直流电转换为交流电。SI1308EDL-VB的高导通电流和低导通电阻使其适用于逆变器中的开关元件。
4. 电机驱动器:SI1308EDL-VB的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器中的开关元件。
总结:SI1308EDL-VB是一款N沟道MOSFET,适用于电源管理模块、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器等领域模块,具有低导通电阻、高电流承受能力和高效的电能转换能力。