标签: TO263

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth(V)封装：TO263该型号的IRF9Z24NSTRLPBF-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：**详细参数说明：**-最大耐压：-60V，表示它可以承受不超过60伏的电压。-最大电流：-30A，该MOSFET可以承受最高30安培的电流。-开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为58毫欧姆（@10V）和70毫欧姆（@4.5V）。这表明它在导通状态下有相对较低的电阻。-阈值电压：-1至-3V，表示MOSFET在此范围内的电压下开始导通。**应用简介：**这种MOSFET（IRF9Z24NSTRLPBF-VB）适用于多个领域的电路模块，主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域：1.**电源管理模块：**用于开关电源、稳压电路和电源开关，有助于实现高效的能源管理。2.**电机控制：**作为电机驱动器或电机控制模块的一部分，用于电流控制和电压开关。3.**电源逆变器：**在逆变器中，它可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。4.**电源开关和保护：**用于电源开关、短路保护和过流保护电路。总之，IRF9Z24NSTRLPBF-VB是一种多功能的P沟道MOSFET，适用于多种电子应用领域，主要用于电流控制和电源管理。

型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）：1.9V-封装：TO263应用简介：IRFZ24SPBF-VB是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高电流和高电压的应用。其低通态电阻和高电流承受能力使其在高功率电子设备中非常有用。应用领域：1.**电源放大器**：IRFZ24SPBF-VB可用于电源放大器模块，增强电源信号的放大和控制。2.**电机驱动**：在电机控制应用中，如工业电机和机器人，它可用于电机驱动电路，提供高功率控制。3.**开关电源**：可用于高功率开关电源，提供高效率的电源管理。4.**汽车电子**：在汽车电子系统中，它可以用于电池管理、点火控制和电动汽车控制。总之，IRFZ24SPBF-VB适用于高功率、高电压和高电流的应用，包括电源放大器、电机驱动、开关电源和汽车电子等领域。

型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-30A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：-1~-3V-封装：TO263应用简介：IRF5305STRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要功率开关、电源管理和电流控制的高功率应用。**应用领域和模块说明：**1.**功率开关模块**：  -由于其P沟道MOSFET的高电流承受能力和低导通电阻，IRF5305STRPBF-VB适用于功率开关模块，可用于高功率负载开关操作。  -在电源放大器、高功率LED驱动、电机控制等领域中用于高功率开关。2.**电源管理模块**：  -该MOSFET可用于电源管理模块，实现电路的功率控制和管理。  -在电源供应模块、电池充放电管理、DC-DC转换器中用于高效能量管理。3.**电流控制模块**：  -IRF5305STRPBF-VB的特性使其适用于电流控制应用，可用于调整和限制电流流动。  -在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。4.**电源放大模块**：  -该MOSFET可用于电源放大模块，用于放大和控制高功率信号的传输。  -在音频放大器、功率放大器、高功率音响设备中用于信号处理和放大。总结，IRF5305STRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种高功率电子设备和电路中。其特性使其成为高功率开关、电源管理、电流控制和功率放大模块中的重要组件，有助于实现高功率电路的可靠性和效率。

型号:IRF530S-VB丝印:VBL1101M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:20A-静态导通电阻(RDS(ON)):100mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):106mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1.7V-封装:TO263应用简介:IRF530S-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**IRF530S-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高额定电压和适中电流容忍能力使其适用于各种电源开关电路。2.**电源管理：**在电源管理模块中，IRF530S-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。3.**电流控制：**可以用于电流控制电路，例如电流限制器和电流源。4.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等领域。5.**电机驱动：**在电机控制和驱动器应用中，IRF530S-VB可用于控制电机的启停和速度控制，例如直流电机驱动和步进电机驱动。这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块，IRF530S-VB的高电压容忍能力和适中电流特性使其成为用于电源管理、电流控制和电源开关的理想元件。它可以在各种电路中实现高效率和可靠性。

型号：IRF640NS-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：200V-最大电流：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-阈值电压（Vth）：3.3V-封装：TO263应用简介：IRF640NS-VB是一款高压、高电流N沟道MOSFET，适用于需要在高电压和高电流条件下工作的电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。**应用领域和模块说明：**1.**电源开关模块**：  -由于其高额定电压和电流承受能力，IRF640NS-VB适用于电源开关模块。  -可用于开关电源、电力电子变换器、电池管理系统等领域，提供高效的电能转换。2.**电机驱动模块**：  -该MOSFET的高电流承受能力使其成为电机驱动模块的理想选择。  -在工业电机控制、电动汽车电机控制、高性能电机控制系统中用于提高电机的性能和效率。3.**电源逆变模块**：  -IRF640NS-VB可用于电源逆变模块，将直流电源转换为交流电源。  -用于太阳能逆变器、工业逆变器、电网连接逆变器等领域，实现高效的能源转换。4.**高压开关模块**：  -在需要高压开关控制的应用中，如高压电路保护、电压稳定控制等领域，该MOSFET非常有用。  -帮助实现高压电路的可靠和精确控制。5.**电池管理模块**：  -IRF640NS-VB可用于电池管理模块中的电池充电和放电控制。  -用于电动汽车、太阳能逆变器、工业UPS等领域，实现高功率电池的安全和高效管理。总结，IRF640NS-VB是一款高性能N沟道MOSFET，具有广泛的应用领域，包括电源、电机驱动、电源逆变、高压开关和电池管理等多个领域的模块。其高额定电压、高电流承受能力和高性能特性使其成为各种高电压和高功率电子设备和系统的重要组成部分，有助于提高效率和性能。

型号：AOB470L-VB丝印：VBL1806品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：80V-最大电流：120A-开态电阻(RDS(ON))：6mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：3.7V-封装：TO263应用简介：AOB470L-VB是一款N沟道MOSFET，具有高额定电压和电流特性，适用于高功率应用。它的低开态电阻和高电流容量使其非常适合用于电流开关和功率放大。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：AOB470L-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高电流和电压额定值使其适用于处理高功率电源。2.**电机驱动**：这款MOSFET可以用于电机驱动电路，包括直流电机、步进电机和三相电机。其高电流特性使其适合用于控制各种类型的电机。3.**电池管理**：在电池管理系统中，AOB470L-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。4.**电源调节**：该MOSFET可用于电源调节器电路，用于调整输出电压并实现高效的电源调控。5.**电力放大器**：在音频和RF放大器中，AOB470L-VB可以用于功率放大，提供高功率输出。总之，AOB470L-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机驱动、电池管理、电源调节和电力放大器等模块。其高额定电压和电流、低开态电阻等特性使其成为处理高功率应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能MOSFET的电路设计。

型号：IRF830ASTRLPBF-VB丝印：VBL165R10品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：1100mΩ@10V-阈值电压(Vth)：3.5V-封装：TO263应用简介：IRF830ASTRLPBF-VB是一款N沟道MOSFET，具有高额定电压和较低的电流特性。这种器件适用于高压应用，其中需要控制电流和开关高电压。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：IRF830ASTRLPBF-VB可用于高压电源开关应用，例如电源逆变器和高压开关电源。其高额定电压使其能够处理高电压输入和输出。2.**电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，这款MOSFET可以用于控制电流和充电过程，确保安全和高效的电动汽车充电。3.**工业驱动器**：IRF830ASTRLPBF-VB适用于工业驱动器和控制器，用于控制电机、变频器和其他高压电路。4.**电源因流保护**：由于其高额定电流和低开态电阻，这种MOSFET可以用于电源因流保护电路，以保护电路不受过载或短路情况的损害。5.**电动工具**：这款MOSFET也可以应用于电动工具，例如电动钻机、电锯和电动割草机，以控制电机和提供高功率输出。总之，IRF830ASTRLPBF-VB适用于多个领域，包括高压电源开关、电动汽车充电器、工业驱动器、电源因流保护和电动工具等模块。其高额定电压和电流、低开态电阻等特性使其成为处理高电压、高功率的应用的理想选择。

型号：SPB80P06PG-VB丝印：VBL2625品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-80A-导通电阻（RDS(ON)）：21mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：-2.1V-封装：TO263应用简介：SPB80P06PG-VB是一款高功率P沟道MOSFET，适用于多种高电流和高功率电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。**应用领域和模块说明：**1.**电源模块**：  -由于其低导通电阻和高电流承受能力，SPB80P06PG-VB适用于高功率电源模块。  -可用于开关电源、DC-DC变换器、工业电源和服务器电源等领域，提供高效的电能转换和电源管理。2.**电机驱动模块**：  -该MOSFET的高电流和高功率特性使其成为电机驱动模块的理想选择。  -在工业电机、电动汽车电机驱动、高性能机器人等领域中用于提高电机的性能和效率。3.**电池管理模块**：  -SPB80P06PG-VB可用于高功率电池管理模块中的电池充电和放电控制。  -用于电动汽车、太阳能逆变器、工业UPS等领域，实现高功率电池的安全和高效管理。4.**高功率开关模块**：  -在需要高功率开关控制的应用中，如高功率电机控制、电池电压调节等领域，该MOSFET非常有用。  -帮助实现高功率电路的可靠和精确控制。5.**电动汽车充电模块**：  -由于其高电流承受能力，SPB80P06PG-VB可用于电动汽车充电桩和充电控制模块。  -有助于实现电动汽车快速充电和电池管理。总之，SPB80P06PG-VB是一款高功率P沟道MOSFET，适用于高功率电源、电机驱动、电池管理、高功率开关和电动汽车充电等多个领域的模块。其高电流承受能力、低导通电阻和高额定电压使其成为各种高功率电子设备和系统的重要组成部分，有助于提高效率和性能。

型号：BUK7675-55A-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：1.9V-封装：TO263应用简介：BUK7675-55A-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高电流承受能力和低导通电阻的电子应用。它在电源开关、电机控制、电池管理等领域具有广泛的应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要正向电压操作的电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为60V。这表示它可以在相对高电压条件下工作。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为40A。这使其能够处理高电流负载。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为23mΩ，表示在导通状态下的功耗非常低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为1.9V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用TO263封装，这是一种常见的功率封装类型，适用于高功率电子应用。应用领域：BUK7675-55A-VB这款MOSFET适用于多种需要高电流承受能力和低导通电阻的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于高电流电源开关，如电压转换和电源稳定。2.**电机控制**：在电机控制器中用于控制电机的速度和方向，特别是用于工业电机。3.**电池管理**：可用于电池充电和放电管理，以确保安全和高效的电池使用。4.**高电流负载开关**：用于高电流负载的通断控制，如电动工具、电焊机和电动车辆。5.**电源管理**：在需要高电流开关和电流控制的电源管理电路中使用，如工业控制系统。总之，这款N沟道MOSFET适用于需要高电流承受能力和低导通电阻的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在高功率和高电流应用中。

型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4.5Vgs-阈值电压（Vth）：1.9V-封装类型：TO263应用简介：STB60N06-14-VB是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高耐压和高电流承受能力，适用于多种高功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域：1.电源开关模块：STB60N06-14-VB的高电流承受能力和低开通电阻使其非常适合用于电源开关模块，例如开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器，以提供高效率和稳定的电源输出。2.电机驱动：这款MOSFET可以用于电机驱动电路，如工业电机控制、电动汽车电机驱动和电动工具，以实现高功率的电机运行。3.电源逆变器：在需要高电压逆变的应用中，例如太阳能逆变器和电动汽车逆变器，这款MOSFET可以用于电源逆变电路，将直流电转换为交流电。4.高电流电源开关：由于其高电流承受能力，STB60N06-14-VB也可用于高电流电源开关，用于控制电路的通断状态。总之，STB60N06-14-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种高功率电子应用，特别是需要高电流承受能力、低电阻和高耐压的领域。它在电源开关模块、电机驱动、电源逆变器和高电流电源开关等模块中都有广泛的用途。

型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：3.3V-封装：TO263应用简介：STB30NF20-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有高额定电压和较高电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域，如电源开关、电机控制和工业应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为200V。这表示在正常工作条件下，其电压可以达到200V。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为40A。这使它能够处理高电流负载。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为48mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为3.3V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用TO263封装，这是一种常见的功率封装类型，适用于高功率电子应用。应用领域：STB30NF20-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于高电压开关电源，如电压转换和电源稳定。2.**电机控制**：在电机控制器中用于控制电机的速度和方向，特别是用于工业电机。3.**电力逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。4.**高电压电源管理**：用于高电压电源管理和电流控制电路，如工业控制系统。5.**电动工具**：在需要高功率和高效能的电动工具中，如电动钻机和电锯。总之，这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在高功率和工业应用中。

型号:IRF3710STRPBF丝印:VBL1102N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):70A -开通电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V,22mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):2V -封装类型:TO263应用简介:这款IRF3710STRPBFMOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和大电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。-高功率电机控制模块：用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。-电动车充放电模块：用于电动车充电桩、电池管理系统中的功率开关和控制。-工业自动化模块：适用于工业自动化控制系统的功率开关和控制模块。-高功率LED照明模块：适用于高压高功率LED照明驱动和控制模块。总之，IRF3710STRPBFMOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能。

型号：IRFZ24NS丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V，27mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压：1.9V-封装类型：TO263应用简介：IRFZ24NS（丝印：VBL1632）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：IRFZ24NS是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为60V，额定电流为40A，RDS(ON)为23mΩ@10V，27mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.9V，封装类型为TO263。应用领域：IRFZ24NS（VBL1632）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：IRFZ24NS可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器：它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高功率和高效能的电力输出。3.汽车电子系统：IRFZ24NS适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。综上所述，IRFZ24NS（VBL1632）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。

型号：IRF9Z24NS丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；TO263该产品具有以下详细参数说明：-类型：P沟道功率场效应管-最大耐压：-60V-最大漏极电流：-30A-导通时的电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）范围：-1V至-3V-封装：TO263该产品适用于以下领域模块：-电源开关：IRF9Z24NS可用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。-电流控制：适用于需要控制电流的模块，提供稳定的电流放大和电路控制能力。-车辆电子：可用于车辆电子模块中，如汽车点火控制和电路保护。-电源管理：适用于电源管理模块中，实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。综上所述，IRF9Z24NS适用于电源开关、电流控制、车辆电子和电源管理等领域模块。

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263该产品具有以下详细参数说明：-类型：N沟道功率场效应管-最大耐压：100V-最大漏极电流：45A-导通时的电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V,34mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）：2V-封装：TO263该产品适用于以下领域模块：-电源开关：IRF540NSTRPBF可用于电源开关模块中，用于实现电源的控制和转换。-电机驱动：适用于各种电机驱动模块中，提供稳定的功率放大和驱动能力。-汽车电子：可以应用于汽车电子模块中，实现电路的控制和驱动。-工业控制：适用于工业控制系统中的电路控制和功率放大模块。综上所述，IRF540NSTRPBF适用于电源开关、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域模块。

AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流应用，如电源开关和电机驱动。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块：适用于高电流电源开关、电机驱动和功率放大器等领域模块。