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【IRF9Z24NS-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-21
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阅读数:39
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资料介绍
型号:IRF9Z24NS
丝印:VBL2658
品牌:VBsemi
参数:P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V);TO263

该产品具有以下详细参数说明:
- 类型:P沟道功率场效应管
- 最大耐压:-60V
- 最大漏极电流:-30A
- 导通时的电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs)范围:±20V
- 阈值电压(Vth)范围:-1V至-3V
- 封装:TO263


该产品适用于以下领域模块:
- 电源开关:IRF9Z24NS可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。
- 电流控制:适用于需要控制电流的模块,提供稳定的电流放大和电路控制能力。
- 车辆电子:可用于车辆电子模块中,如汽车点火控制和电路保护。
- 电源管理:适用于电源管理模块中,实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。

综上所述,IRF9Z24NS适用于电源开关、电流控制、车辆电子和电源管理等领域模块。
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