标签: SI2333CDST1GE3

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。常用于电池供电设备、小型电子设备等。优势：低导通电阻：有助于高效能电流开关控制。适用于低电压：适用于低电压操作，如电池供电设备。适用模块：SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块，如电池供电的小型设备、移动设备等。