资料
  • 资料
  • 专题
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
推荐星级:
时间:2023-12-26
大小:288.81KB
阅读数:143
上传用户:VBsemi
查看他发布的资源
下载次数
1
所需E币
0
ebi
新用户注册即送 300 E币
更多E币赚取方法,请查看
close
资料介绍
SI2333CDS-T1-GE3 参数:P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23

应用简介:SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。

其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。
常用于电池供电设备、小型电子设备等。
优势:低导通电阻:有助于高效能电流开关控制。
适用于低电压:适用于低电压操作,如电池供电设备。
适用模块:SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块,如电池供电的小型设备、移动设备等。

版权说明:本资料由用户提供并上传,仅用于学习交流;若内容存在侵权,请进行举报,或 联系我们 删除。
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书