标签: SI2324DST1GE3

型号：SI2324DS-T1-GE3丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs-门阈电压：2Vth-封装：SOT23应用简介：SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于需要开关高电压和大电流的电路。其最大耐压为100V，最大电流为2A，具有低导通电阻，可支持高功率传输。该器件具有快速开关速度和低开关损耗，适用于多种应用领域，包括但不限于：1.电源管理模块：可用于开关电源中的电流控制和功率开关。2.电机驱动模块：可用于驱动小型直流电机或步进电机。3.照明模块：可用于LED驱动和调光控制。总之，SI2324DS-T1-GE3适用于需要高电压和大电流的应用领域的模块设计，如电源管理、电机驱动和照明控制等。