丝印：VB1102M
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大耐压：100V
- 最大电流：2A
- 导通电阻：246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs
- 门阈电压：2Vth
- 封装：SOT23
应用简介：
SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于需要开关高电压和大电流的电路。其最大耐压为100V，最大电流为2A，具有低导通电阻，可支持高功率传输。
该器件具有快速开关速度和低开关损耗，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于开关电源中的电流控制和功率开关。
2. 电机驱动模块：可用于驱动小型直流电机或步进电机。
3. 照明模块：可用于LED驱动和调光控制。
总之，SI2324DS-T1-GE3适用于需要高电压和大电流的应用领域的模块设计，如电源管理、电机驱动和照明控制等。
