标签: 2SJ668

型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.3Vth-封装：TO252应用简介：2SJ668是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-38A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于需要负极电压控制的高功率DC-DC转换器、逆变器等。2.高功率负载开关：可用于高功率负载开关和电源控制器。3.汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之，2SJ668适用于负极电压控制和高功率负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、高功率负载开关和汽车电子模块等。