丝印：VBE2610N
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-38A
- 导通电阻：61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.3Vth
- 封装：TO252
应用简介：
2SJ668是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-38A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于需要负极电压控制的高功率DC-DC转换器、逆变器等。
2. 高功率负载开关：可用于高功率负载开关和电源控制器。
3. 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。
总之，2SJ668适用于负极电压控制和高功率负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、高功率负载开关和汽车电子模块等。
