标签: SI4840DYT1E3VB

型号:SI4840DY-T1-E3丝印:VBA1410品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):40V -额定电流(ID):10A -开通电阻(RDS(ON)):14mΩ@10V,16mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):1.6V -封装类型:SOP8应用简介:这款SI4840DY-T1-E3MOSFET是一款高压N沟道MOSFET，适用于中高压应用场景。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中高功率电源模块。-电机控制模块：用于高压直流电机驱动、步进电机驱动等中高功率电机控制。-照明模块：用于高压LED驱动、照明开关和控制电路等。-汽车电子模块：用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中高压汽车电子模块。-通信设备模块：用于高压功率放大、开关模块等中高压通信设备模块。总之，SI4840DY-T1-E3MOSFET适用于需要高压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于中高压高功率应用的模块。