丝印: VBA1410
品牌: VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 40V
- 额定电流(ID): 10A
- 开通电阻(RDS(ON)): 14mΩ@10V, 16mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): 1.6V
- 封装类型: SOP8
这款SI4840DY-T1-E3 MOSFET是一款高压N沟道MOSFET，适用于中高压应用场景。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中高功率电源模块。
- 电机控制模块：用于高压直流电机驱动、步进电机驱动等中高功率电机控制。
- 照明模块：用于高压LED驱动、照明开关和控制电路等。
- 汽车电子模块：用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中高压汽车电子模块。
- 通信设备模块：用于高压功率放大、开关模块等中高压通信设备模块。
总之，SI4840DY-T1-E3 MOSFET适用于需要高压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于中高压高功率应用的模块。
