标签: IRF530NPBFVB

型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS(ON)):127mΩ@10V,132mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):2~4V -封装类型:TO220应用简介:这款IRF530NPBFMOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。-高功率电机控制模块：用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。-高压照明模块：适用于高压高功率照明驱动和控制模块。-高压工业控制模块：适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。总之，IRF530NPBFMOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。