型号: IRF530NPBF
丝印: VBM1101M
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 100V 
- 额定电流(ID): 18A 
- 开通电阻(RDS(ON)): 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V 
- 阈值电压(Vth): 2~4V 
- 封装类型: TO220

应用简介:
这款IRF530NPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。
- 高功率电机控制模块：用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。
- 高压照明模块：适用于高压高功率照明驱动和控制模块。
- 高压工业控制模块：适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。

总之，IRF530NPBF MOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。