标签: SI4920DYT1E3VB

型号：SI4920DY-T1-E3丝印：VBA3316品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：8.5A-导通电阻：20mΩ@10V,12mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.5Vth-封装：SOP8应用简介：SI4920DY-T1-E3是一款具有两个N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为30V，最大电流为8.5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。2.电动工具：可用于电动工具中的负载开关和电源控制。3.汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。总之，SI4920DY-T1-E3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用领域的模块设计，包括电源管理、电动工具和汽车电子模块等。