型号：SI4920DY-T1-E3
丝印：VBA3316
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：2个N沟道MOSFET
- 最大耐压：30V
- 最大电流：8.5A
- 导通电阻：20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：1.5Vth
- 封装：SOP8

应用简介：
SI4920DY-T1-E3是一款具有两个N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为30V，最大电流为8.5A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。
2. 电动工具：可用于电动工具中的负载开关和电源控制。
3. 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。

总之，SI4920DY-T1-E3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用领域的模块设计，包括电源管理、电动工具和汽车电子模块等。