标签: WNM20203TRVB

WNM2020-3/TR详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:8Vgs(±V)-阈值电压:0.45~1Vth(V)-封装类型:SOT23应用简介:WNM2020-3/TR是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制8Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。WNM2020-3/TR采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其适中的额定电压和额定电流特性，WNM2020-3/TR特别适合中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。总之，WNM2020-3/TR是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。