WNM2020-3/TR详细参数说明:
- 极性: N沟道
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- 导通电阻: 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 门源电压: 8Vgs (±V)
- 阈值电压: 0.45~1Vth (V)
- 封装类型: SOT23

应用简介:
WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。

通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。

WNM2020-3/TR采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块。

该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其适中的额定电压和额定电流特性，WNM2020-3/TR 特别适合中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。

总之，WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。