标签: FDD6637VB

型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON)):9mΩ@10V,12mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):-1.71V -封装类型:TO252应用简介:这款FDD6637MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。-电机控制模块：适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。-汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。-高功率LED照明模块：适用于高功率LED照明驱动和控制模块。总之，FDD6637MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能。