资料
  • 资料
  • 专题
【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
推荐星级:
类别: 消费电子
时间:2024-02-21
大小:458.36KB
阅读数:35
上传用户:VBsemi
查看他发布的资源
下载次数
0
所需E币
0
ebi
新用户注册即送 300 E币
更多E币赚取方法,请查看
close
资料介绍
型号: FDD6637
丝印: VBE2309
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: P沟道
- 额定电压(VDS): -30V 
- 额定电流(ID): -60A 
- 开通电阻(RDS(ON)): 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 
- 阈值电压(Vth): -1.71V 
- 封装类型: TO252


应用简介:
这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET,适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力,适用于高功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块:
- 电源管理模块:适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。
- 电机控制模块:适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。
- 汽车电子模块:适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。
- 高功率LED照明模块:适用于高功率LED照明驱动和控制模块。

总之,FDD6637 MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET的各种应用场景,提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能。
版权说明:本资料由用户提供并上传,仅用于学习交流;若内容存在侵权,请进行举报,或 联系我们 删除。
相关评论 (下载后评价送E币 我要评论)
没有更多评论了
  • 可能感兴趣
  • 关注本资料的网友还下载了
  • 技术白皮书